**本次调用的模型名称：** DeepSeek最新版本模型
**对比文件名称：** TW201140713A 用于凹陷的半导体基底的技术和配置
**目标专利名称：** 具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板《直接公开》** | “半導體基底102”（参见说明书第[0010]段，图1） | 对比文件明确公开了封装元件100包括“半导体基底102”，其作为封装的基础结构，其作用为目标专利权利要求中的“基板”，用于承载和支撑其他结构（如再分布层、通孔、互连等），与本专利中基板的作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《隐含公开》** | “第二表面A2的一部分是凹陷的，以提供厚度T”（参见说明书第[0010]段）<br>“一個或多個溝道104”（参见说明书第[0010]段，图1） | 对比文件公开了基板（半导体基底102）的第二表面A2被凹陷减薄（见引用），并且形成了“一个或多个沟道104”（即通孔）通过该凹陷表面。目标专利的“第一凹陷”是容纳互连的盲孔结构。对比文件中的“沟道104”是从凹陷表面A2向内形成的通孔结构，其开口位于凹陷表面。本领域技术人员可以理解，在基板表面形成凹陷结构（无论是盲孔还是通孔的开口部分）是常见的机械加工或蚀刻工艺结果。对比文件公开了在基板表面（第二表面A2）形成凹陷区域并在此区域内制作通孔（沟道104），这隐含了在基板表面存在一个“凹陷”区域或结构。虽然位置（第二表面 vs 第一表面）和具体形态（通孔开口 vs 容纳互连的盲孔）不完全相同，但“基板表面具有凹陷”这一基本技术手段已被对比文件公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分《隐含公开》** | “一個或多個溝道104，又稱為通孔，形成為通過半導體基底102的凹陷表面（例如，第二表面A2）”（参见说明书第[0010]段）<br>“一個或多個溝道104一般地提供半導體基底102的第一表面A1與第二表面A2之間的電通路”（参见说明书第[0010]段） | 对比文件公开了“一个或多个沟道104”（即通孔）形成并通过半导体基底102，连接第一表面A1与第二表面A2。目标专利的“第一穿基板通孔”是延伸穿过基板非凹陷部分的通孔。对比文件的沟道104是延伸穿过整个基底厚度（包括凹陷后的区域）的通孔。本领域技术人员可以合理推断，在制造过程中，为了形成这种从凹陷表面到对侧表面的通孔，该通孔必然要穿过基底中未被移除（即“非凹陷”）的主体材料部分。因此，对比文件隐含公开了“延伸穿过基板的通孔”，其穿过的是基底的主体部分。虽然对比文件未明确使用“非凹陷部分”这一表述，但通孔穿过的基底主体区域，在本领域技术人员的常规理解中即对应为“基板的非凹陷部分”。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《未公开》** | “佈置在該一個或多個溝道中的一個或多個封裝互連結構114，該一個或多個封裝互連結構通過該一個或多個溝道電耦合到再分佈層106”（参见说明书第[0009]段）<br>圖1顯示溝道104連通至第一表面A1的再分佈層106。 | 对比文件公开了沟道104（即通孔）电耦合到再分布层106，再分布层106形成于基板的第一表面A1上。因此，可以理解沟道104在第一表面A1处具有一个端点（即“第一端”）并与再分布层106连接。然而，目标专利要求该第一端位于“在第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中”。对比文件中的通孔（沟道104）开口位于凹陷的第二表面A2，其与第一表面A1的连接点并未被描述为毗邻任何位于第一表面的“凹陷”。对比文件未公开在第一表面存在凹陷，更未公开通孔在第一表面的端部与第一表面的凹陷区域相邻。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件全文未提及利用穿基板通孔（沟道104）来形成电感器，更没有公开通过基板第二表面上的导体将两个通孔耦合以形成嵌入式电感器的结构。对比文件中的通孔（沟道104）及互连结构（114）主要用于为裸片（108）提供通往外部电路（150）的电信号路由路径，其目的和作用与本专利中利用通孔对形成嵌入式无源器件（电感器）完全不同。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《隐含公开》** | “一個或多個封裝互連結構114，諸如一個或多個焊球或杆，佈置在一個或多個溝道104中”（参见说明书第[0010]段） | 对比文件明确公开了“封装互连结构114”（如焊球）被布置在“沟道104”中。目标专利的“第一互连”被包括在“第一凹陷”内。虽然对比文件中的“沟道104”是贯穿的通孔，而目标专利的“第一凹陷”是盲孔，但两者都是基板表面的凹陷结构，用于容纳互连元件（焊球）。本领域技术人员可以合理推断，将互连结构（如焊球）放置并固定在基板表面的凹陷结构（无论是盲孔还是通孔）内，是实现互连和降低剖面高度的常见技术手段。因此，对比文件隐含公开了“互连被包括在凹陷内”这一技术特征。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一《直接公开》** | “一個或多個再分佈層106形成在電介質膜105上，以路由一個或多個裸片108的電信號”（参见说明书第[0009]段）<br>“佈置在該一個或多個溝道中的一個或多個封裝互連結構114...通過該一個或多個溝道電耦合到再分佈層106”（参见说明书第[0009]段） | 对比文件明确公开了在基板第一表面A1上形成“再分布层106”，其作用正是路由电信号。并且，封装互连结构114通过沟道104（即穿基板通孔）电耦合到该再分布层106（参见图1及文字描述）。这直接对应于目标专利中“重分布层被配置成将第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一”的技术特征，两者的结构和电连接关系一致，作用均为实现内部电路与外部互连之间的信号路由。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件全文未提及在基板第二表面（A2）上集成电容器，也未提及有任何穿基板通孔（沟道）专门用于电耦合至这样的电容器。对比文件中描述的部件主要是裸片（108）、再分布层（106）、互连结构（114）等，并未涉及集成于基板上的无源电容器。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔《未公开》** | 未发现相关内容。 | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于技术特征E（形成嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此其从属特征I也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器《未公开》** | 未发现相关内容。 | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于技术特征E（形成嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此其从属特征J也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未公开》** | “半導體基底102...實質上包括半導體材料，諸如矽(Si)”（参见说明书第[0010]段）<br>“一個或多個封裝互連結構114，諸如一個或多個焊球或杆”（参见说明书第[0010]段） | 对比文件明确公开了基板是“半导体基底”，材料例如为硅，而非“玻璃基板”。虽然第一互连可以包括“焊球”，但由于基板材料的限定（玻璃基板）未被满足，因此该技术特征作为一个整体（玻璃基板+焊球）未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱《隐含公开》** | “半導體基底102...實質上包括半導體材料，諸如矽(Si)”（参见说明书第[0010]段）<br>“一個或多個封裝互連結構114，諸如一個或多個焊球或杆”（参见说明书第[0010]段） | 对比文件直接公开了基板是“半导体基底”，满足“半导体基板”的限定。对于“第一互连包括金属柱”，对比文件公开的互连结构可以是“焊球或杆”。“杆”在封装领域通常指金属柱状互连结构（如铜柱）。因此，本领域技术人员可以从“杆”这一描述中，合理推断出互连结构可以采用“金属柱”的形式。该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未公开》** | “半導體基底102...實質上包括半導體材料，諸如矽(Si)”（参见说明书第[0010]段） | 对比文件明确公开了基板是“半导体基底”，而非“有机基板”。因此，该技术特征作为一个整体（有机基板+焊球）未被对比文件公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未公开》** | 同技术特征M。 | 此特征与技术特征M重复，判断同M，未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件仅公开了在基板的第二表面A2进行整体减薄（形成凹陷区域）并开设通孔（沟道104），并未公开在基板的第一表面A1中形成额外的、独立的“第二凹陷”。目标专利中的“第二凹陷”是与“第一凹陷”并列的独立结构。该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件中的所有“封装互连结构114”均用于电信号路由（“以路由一个或多个裸片的电信号”），并未区分或公开任何仅用于机械紧固功能、不具备电连接功能的互连结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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