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对比文件列表
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx
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2003-10-02_US2003184399A_发明申请_US20030184399A1 Indirect temperature compensation process in an oscillator_+++A_B_C_D_H_J_M+++.docx
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2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx
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2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
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2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators_+++A_B_J+++.docx
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2008-03-20_WO2008033243A_发明申请_WO2008033243A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++B_J_a+++.docx
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2008-06-04_JP4096506B_发明专利_JP4096506B2 Ask modulation circuit_+++A_a+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2009-05-27_EP2062361A_发明公开_EP2062361A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2010-02-18_JP2010040004A_发明专利_JP2010040004A Information processor, power supply unit control method, and program_+++A_a+++.docx
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2010-11-16_CA2394234C_发明专利_CA2394234C INDIRECT TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS_+++A_C_D_J_b_h_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-07-17_EP2062361B_发明授权_EP2062361B1 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_c_d+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-02-20_US2014048923A_发明申请_US20140048923A1 Semiconductor Package for High Power Devices_+++A_a+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
2026-03-10 16:04
2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx

对比文件名称:2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators

目标专利名称:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

模型名称:深度求索

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度<br>**隐含公开**[0034] In one embodiment, the thermal sensor 230 determines the ambient temperature in the vicinity of the XO 220 and communicates it to the host system 250 via the communication link 235.对比文件公开了“热传感器230”(thermal sensor 230),其确定晶体振荡器(XO 220)附近的温度。虽然对比文件没有明确使用“封装”一词,但其图2A和说明描述了DICXO 210作为一个包含XO 220、热传感器230和存储器240的整体装置(见[0034]),这可以被理解为一个事实上的“封装”。此外,为了确保温度传感器能准确测量晶体温度,本领域技术人员容易想到将传感器与晶体置于同一个物理结构(即封装)内,并且为了促进热传递,该结构的至少一部分会采用热传导材料。因此,对比文件隐含公开了该技术特征。
**技术特征B**:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度<br>**直接公开**[0034] The thermal sensor 230 determines the ambient temperature in the vicinity of the XO 220...对比文件明确公开了“晶体振荡器(XO)220”(XO 220)作为时钟源(见[0033])。同时,热传感器230被设置在XO 220的“附近”(in close proximity),这种物理上的紧密接近必然意味着两者之间存在热耦合,并且将经受大体相同的环境温度。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果<br>**直接公开**[0034] ...and communicates it to the host system 250 via the communication link 235.对比文件明确公开了“宿主系统250”(host system 250)通过通信链路235接收来自热传感器230的温度数据(见[0034])。宿主系统250在系统中起到控制和处理作用,相当于权利要求中的“控制器”。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征D**:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差<br>**直接公开**[0034] ...the application 252 uses the input 235 and the FT response of the XO 220 data stored in the memory 240 to derive a frequency correction value (ΔF).对比文件明确公开了宿主系统250中的应用252(application 252)使用来自热传感器的温度输入235以及存储在存储器240中的频率-温度(FT)响应数据来“推导出频率校正值(ΔF)”(derive a frequency correction value)。频率校正值(ΔF)即是对晶体振荡器(时钟源)频率误差的估计。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征E**:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差,<br>**隐含公开**[0034] In this embodiment, the XO 220 provides an uncompensated frequency output Fu 225 to an application 252 of the host system 250. ... The application 252 may then combine the uncompensated frequency Fu 225 with the frequency correction value 245 to produce an output Fc representative of the compensated frequency of the XO 220.对比文件公开了XO 220提供“未补偿频率输出Fu 225”(uncompensated frequency output Fu 225)给宿主系统250的应用252,并且应用252使用频率校正值245。应用252将未补偿频率与频率校正值结合以产生补偿频率输出Fc,这一过程本身就构成了一个信号产生功能。虽然对比文件未明确命名独立的“信号产生器”模块,但实现该功能的“应用252”或宿主系统250内的相关处理单元,实质上就是接收未补偿信号和频率误差并基于它们产生(补偿后)信号的装置。因此,本领域技术人员能够从对比文件中合理推断出该技术特征。
**技术特征F**:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。<br>**未公开**无对应内容。对比文件仅公开了基于未补偿信号和频率校正值产生一个补偿频率输出(Fc)(见[0034])。目标专利中,该特征限定了信号产生器产生“第一参考信号和第二参考信号”,例如图1中的Rx_LO和Tx_LO信号。对比文件没有公开或暗示需要产生两个不同的参考信号。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**技术特征G**:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。<br>**未公开**无对应内容。对比文件虽然提到了XO 220可能包含晶体(例如SC-cut或AT-cut晶体),但完全没有描述其封装的具体材料。目标专利明确限定封装包括“陶瓷材料”。对比文件未公开此特定材料特征。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**技术特征H**:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。<br>**未公开**无对应内容。对比文件描述了DICXO 210与宿主系统250的连接关系,但并未提及这些部件是否共同安装或实现在“电子板”上。该特征未被公开。
**技术特征I**:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。<br>**未公开**无对应内容。对比文件没有描述封装具有“上部空腔”和“下部空腔”的具体结构,也未提及将时钟源和温度测量装置分别容纳于不同空腔中。该特征未被公开。
**技术特征J**:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。<br>**直接公开**[0038] In one embodiment, the thermal sensor 230 may comprise a network of thermistors.对比文件明确公开了在一个实施例中,热传感器230可以包括“热敏电阻网络”(a network of thermistors)。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征K**:其中所述封装按H构型而配置。<br>**未公开**无对应内容。对比文件完全没有提及封装的物理构型,更没有提及“H构型”。该特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。<br>**未公开**无对应内容。对比文件没有描述封装具有“基底层”,更没有提及该基底层与电路卡组合件“热隔离”。该特征未被公开。
**技术特征M**:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。<br>**未公开**无对应内容。对比文件[0035]提到DICXO可用于全球定位系统、雷达、测距设备等,但并未具体列举目标专利权利要求中限定的这一系列特定消费电子或通信设备(如移动电话、音乐播放器等)。因此,该特定应用场景特征未被公开。

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