对比文件的名称：2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT
目标专利的名称：具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 封装内的温度测量装置，所述封装的至少一部分为热传导的，所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0025]段：“package body 3 is constructed of a laminated ceramic... hollow part 12... thermistor 14 which is a chip type element... is arranged”； 第[0029]段：“thermistor 14 can exactly detect actual operating temperature of the crystal unit (i.e., crystal blank 4).” | 对比文件公开了在由层压陶瓷（laminated ceramic）制成的封装体（package body 3）内设置有热敏电阻（thermistor 14）作为温度传感器。层压陶瓷材料本身通常具有热传导性，属于热传导材料。该热敏电阻被明确记载用于检测晶体单元（即晶体空白）的实际工作温度，而晶体单元容纳于同一封装内，因此热敏电阻实质上测量的是其所在封装空间的温度。该特征在对比文件中被明确、直接地公开，且作用同样是测量封装内温度以供温度补偿之用。 |
| **B. 所述封装内的时钟源，所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0025]段：“crystal blank 4 is held in the concavity”； 第[0029]段：“since being accommodated in the same concavity of package body 3 with crystal blank 4, thermistor 14 can exactly detect actual operating temperature of the crystal unit (i.e., crystal blank 4).” | 对比文件公开了晶体空白（crystal blank 4）容纳于封装体（package body 3）的凹部（concavity）内。热敏电阻（thermistor 14）也容纳于同一凹部内的空心部分（hollow part 12）。由于二者处于同一密封的封装空间内，通过封装体这一共同的热传导介质，晶体空白与热敏电阻（即温度测量装置）必然处于热耦合状态，并经受大体相同的温度环境。该特征被对比文件直接公开。 |
| **C. 所述封装外部的控制器，所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0008]段：“IC (integrated circuit) chip 11 is fixed... in the concavity of mount substrate 2... an oscillation circuit which uses crystal blank 4, and a temperature compensation mechanism which compensates a frequency-temperature characteristic of crystal blank 4 are integrated in IC chip 11.”； 第[0010]段：“ambient temperature is detected by a temperature sensor provided in the temperature compensation mechanism in IC chip 11”。 结合第[0009]段，晶体单元1通过外部端子6与安装基板2上的键合端子连接，从而使IC芯片11与晶体单元（包含热敏电阻14）电连接。 | 对比文件公开了安装在单独的安装基板（mount substrate 2）上的IC芯片（IC chip 11）。该IC芯片集成了温度补偿机制（temperature compensation mechanism），其中包含温度传感器。虽然对比文件中提及的温度传感器集成在IC芯片内部，但其检测的是“环境温度”（ambient temperature）。然而，根据对比文件第[0011]段指出的问题，为了解决IC芯片发热导致其内部传感器检测温度与晶体实际温度不同的问题，本发明的改进方案（第[0025]、[0029]段）是将热敏电阻14与晶体空白4一同置于封装内。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，改进后，热敏电阻14检测到的封装内温度信号，需要通过电连接（经由电路端子13、外部端子6、安装基板2上的键合端子及内部导线）传送给外部的IC芯片11进行处理。IC芯片11中的温度补偿机制接收此温度测量结果，其功能即为目标专利中“控制器”接收温度测量结果的功能。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **D. 所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0010]段：“the temperature compensation mechanism generates a compensation voltage according to the detected ambient temperature, and the generated compensation voltage is applied to a voltage variable capacitance element provided in an oscillation closed loop of the oscillation circuit. Thereby, since load capacity in a circuit side which is seen from crystal unit 1 as an inductor component changes, a change of an oscillating frequency by temperature is compensated for the oscillating frequency to be kept at a reference frequency (nominal frequency).” | 对比文件明确公开了IC芯片11中的温度补偿机制根据检测到的温度（在改进方案中即为来自热敏电阻14的温度测量结果）产生补偿电压，并施加到振荡回路中的电压可变电容元件，以补偿由温度引起的振荡频率变化，使其保持在参考频率。补偿频率变化的前提是知道或估计出因温度变化导致的频率偏差（即频率误差），进而产生相应的补偿信号。因此，IC芯片11的“温度补偿机制”实质上执行了“基于温度测量结果估计时钟源的频率误差”的功能。该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **E. 以及信号产生器，其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差**<br>**《未公开》** | 对比文件未公开“非补偿信号”这一概念及信号产生器同时接收非补偿信号和频率误差的结构。对比文件中，IC芯片11内的振荡电路直接使用晶体单元1产生振荡，并通过内部集成的温度补偿机制进行补偿，输出的是经过补偿的振荡信号。未区分“非补偿信号”和“频率误差”作为两个独立的输入提供给一个独立的“信号产生器”。 | 对比文件中，晶体单元与IC芯片中的振荡电路及温度补偿机制共同构成一个温度补偿晶体振荡器（TCXO）。其工作模式是：晶体产生振荡，温度补偿机制基于检测温度直接对振荡频率进行补偿。目标专利权利要求中的“信号产生器”需要接收来自时钟源的“非补偿信号”和来自控制器的“频率误差”估计，并基于二者产生两个参考信号。这是一种与TCXO不同的系统架构，其中频率误差估计被提供给外部系统（如信号产生器）用于后续处理，而非直接在振荡回路内部进行补偿。对比文件未公开此种分离的架构和“非补偿信号”的传输路径。 |
| **F. 所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。**<br>**《未公开》** | 对比文件未公开基于非补偿信号和频率误差产生两个不同参考信号的信号产生器。 | 如特征E所述，对比文件的架构是集成化的温度补偿振荡器，输出经过补偿的单一振荡信号。目标专利中“产生第一参考信号和第二参考信号”的特征未被对比文件公开。 |
| **G. 其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0005]、[0024]段：“package body 3 which is made of laminated ceramic”； 第[0005]、[0025]段：“crystal blank 4”。 | 对比文件明确公开了封装体（package body 3）由层压陶瓷（laminated ceramic）制成，并且时钟源为晶体空白（crystal blank 4）。该技术特征被直接公开。 |
| **H. 其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0004]段：“it is incorporated in a crystal oscillator... in portable electronic equipment”； 第[0008]段：“mount substrate 2... IC chip 11 is fixed... in the concavity”； 第[0009]段：“bonding terminals are formed... of mount substrate 2... bonded... to external terminals 6 on the outer bottom surface of package body 3 of crystal unit 1”。 附图1展示了晶体单元1安装在安装基板2上。 | 对比文件公开了晶体单元（封装体3及其内部元件）通过外部端子6焊接或键合到安装基板（mount substrate 2）上，而控制器（IC芯片11）也安装在该安装基板2上。安装基板是电子设备中承载电子元件的电路板，属于“电子板”的一种具体形式。因此，封装（晶体单元1）和控制器（IC芯片11）共同实现在安装基板（电子板）上。该特征被直接公开。 |
| **I. 其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。**<br>**《未公开》** | 说明书第[0025]段：“hollow part 12 communicating with the concavity is formed... thermistor 14... is arranged in hollow part 12”； 第[0029]段：“thermistor 14 is provided in hollow part 12 which is formed in the other end part in the inner bottom surface of the concavity of package body 3”。 | 对比文件公开了晶体空白4和热敏电阻14都位于同一个“concavity”（凹部）内。热敏电阻14被安置在该凹部底部形成的“hollow part 12”（空心部分）中。对比文件没有将封装腔体明确划分为“上部空腔”和“下部空腔”，也没有描述晶体在上、温度测量装置在下的明确上下分层容纳结构。“hollow part 12”是凹部底部的一个凹陷区域，并非独立的下部空腔。因此，该特定结构特征未被对比文件公开。 |
| **J. 其中所述温度测量装置包括热敏电阻。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0015]段：“accommodating a thermistor as a temperature sensor”； 第[0025]段：“thermistor 14 which is a chip type element”。 | 对比文件多次明确记载温度测量装置是热敏电阻（thermistor）。该技术特征被直接公开。 |
| **K. 其中所述封装按H构型而配置。**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及封装的“H构型”配置。 | 对比文件描述的是层压陶瓷封装体（package body 3），具有底部壁层和框架壁层形成凹部。未公开其具体为“H构型”。该特定构型特征未被公开。 |
| **L. 其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及封装的基底层，也未提及任何与电路卡组合件热隔离的特征。 | 该特征未被对比文件公开。 |
| **M. 其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。**<br>**《未公开》** | 说明书第[0004]段：“for example, it is incorporated in a crystal oscillator as a reference source of a frequency or time in portable electronic equipment.” | 对比文件仅泛泛提及可用于“便携式电子设备”（portable electronic equipment），并未具体公开或隐含公开其集成到目标专利权利要求所列举的“移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元”这些特定设备类型中。该具体应用场景的特征未被公开。 |
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