**对比文件名称**：2002-09-04_发明公开_EP1237222A1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device
**目标专利名称**：可切换的天线阵列CN105917581B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落编号或位置) | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：阻抗电路**<br>**《隐含公开》** | [0033] "The multiband transformation stage 14 has a single signal path 50 which connects the first signal port 20 and the second signal port 26 of the multiband transformation stage 14. The signal path 50 is constituted by two signal path portions in the form of a first transmission line T1 and a second transmission line T2 coupled in series. The first transmission line T1 is configured to have approximately a quarter-wavelength characteristic for the two frequency bands of 1800 MHz and 1900 MHz corresponding to GSM 1800 and GSM 1900. The second transmission line T2 is configured such that the two transmission lines T1 and T2 coupled in series have approximately a quarter-wavelength characteristic for the frequency band of 900 MHz corresponding to GSM 900." | 目标专利中的“阻抗电路”（如说明书图4中的404）用于提供阻抗匹配。对比文件中，多频段变换级14包含串联的传输线T1和T2，它们被配置为在特定频段具有四分之一波长特性。四分之一波长传输线是实现阻抗变换和匹配的经典无源元件。因此，由T1和T2组成的信号路径50本质上构成了一个用于在多个频段提供特定阻抗特性（包括阻抗匹配）的电路。虽然对比文件未明确使用“阻抗电路”一词，但T1和T2的组合所起到的阻抗变换/匹配功能，与本领域技术人员对目标专利中“阻抗电路”作用的理解（提供阻抗匹配，如说明书[0031]所述）实质相同。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B：以及多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子**<br>**《直接公开》** | [0051] "As can be seen in Fig. 4, inductors L3 and L4 are connected in parallel to pin-diodes D3 and D4 in order to improve the isolation to the first and second signal inputs 30, 32 of the high-power stage." | 目标专利的多个电感器（如图4的430-436）并联在开关上，并耦合到阻抗电路（404）和相应的输出端子（420-426）。对比文件图4的仿真设置中明确公开了电感器L3和L4分别并联在开关（PIN二极管D3和D4）上。虽然L3和L4位于高功率级12（发射开关）而非变换级14中，但它们同样是耦合在电路（高功率级12的信号路径）和非接地输出端子（即信号输入端口30、32，这些是信号输出端子）上的电感器。其作用是为了改善隔离，这与目标专利中电感器用于谐振开关电容、改善隔离的作用（说明书[0031]）在原理上相关。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出存在并联在开关上并耦合至相应端子的电感器这一技术方案。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关**<br>**《直接公开》** | [0051] "As can be seen in Fig. 4, inductors L3 and L4 are connected in parallel to pin-diodes D3 and D4 ..." | 对比文件图4和相应描述清楚地显示了电感器L3和L4分别与开关（PIN二极管D3和D4）并联连接。这与目标专利中每个电感器并联耦合至对应开关（如图4的410-416与430-436）的技术特征完全相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。**<br>**《直接公开》** | [0034] "The two pin-diodes D1, D2 can be switched independently from each other by means of individual biasing networks..." <br> 及表1（对应于[0037]段） | 目标专利中开关可被独立激活以配置天线阵列。对比文件明确描述了多频段变换级14中的开关（PIN二极管D1和D2）可以通过独立的偏置网络彼此独立地切换（[0034]）。表1（[0037]）进一步展示了在不同工作模式（如发射GSM 900、发射GSM 1800/1900、接收）下，D1和D2具有不同的、独立的开/关（ON/OFF）状态组合。这直接公开了至少一个开关（实际上多个开关）可被独立激活配置。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中的“组合器”（如图4的450）用于组合从多个开关中选择的开关输出的信号，这是其可配置分配和加和（CDS）网络的核心功能，用于实现信号的路由与合成（说明书[0024], [0036]）。对比文件的多频段变换级14的功能是通过切换D1、D2的状态来改变信号路径50的阻抗特性（四分之一波长线或传输线），从而在发射模式下隔离接收路径，在接收模式下传递信号（[0038]-[0040]）。它不具备将多个并行开关输出的信号进行“组合”以产生一个组合信号的功能。低功率级16是一个开关矩阵，用于将信号从单个输入端口28路由到多个输出端口之一（[0036]），这是一个选择/切换功能，而非组合功能。因此，对比文件没有公开技术特征E。 |
| **技术特征F：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中，开关（如晶体管）在闭合（激活）时，信号通过开关传播，从而旁路了与之并联的电感器（说明书[0034]：“当开关接通时，对应电感器可以随着信号穿行通过开关而基本被旁路。”）。对比文件中虽然公开了与开关并联的电感器（L3、L4），但未描述开关在接通时具有使信号“旁路”相应电感器并从其输入传播到输出的功能。图4中的电感器L3、L4并联在PIN二极管D3、D4两端，其作用被描述为“改善隔离”（[0051]），并未提及信号在二极管导通时“旁路”电感器的机制。两者工作原理不同。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中开关是晶体管（如NFET、PFET），其尺寸基于特定标准确定以平衡不同模式下的性能（说明书[0031]）。对比文件中使用的开关是PIN二极管（如D1, D2, D3, D4），并非晶体管。并且，对比文件完全没有提及基于平衡阻抗匹配与串联损耗的标准来确定开关（无论是二极管还是其他器件）尺寸的内容。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| **技术特征H：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关。**<br>**《直接公开》** | [0037] 表1及对应描述（例如[0038] "pin-diode D1 is switched on..."，[0039] "pin-diode D1 is switched off..."） | 目标专利中定义了开关的“闭合”与“断开”状态分别对应第一模式和第二模式。对比文件明确描述了开关（PIN二极管）的“ON”（接通/闭合）和“OFF”（断开）状态，并且这些状态直接对应不同的操作模式（如发射模式、接收模式，参见表1及[0038]-[0040]）。例如，在发射GSM 1800/1900模式（一种模式）下，D1为ON（闭合）；在接收模式（另一种模式）下，D1和D2均为OFF（断开）。这直接公开了开关的闭合与断开状态对应不同的工作模式。因此，技术特征H被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中详细说明了电感器的大小需要基于开关的多种可能配置（如4开关有16种配置）通过模拟来确定，以满足插入损耗和回波损耗的设计标准（说明书[0032]）。对比文件仅提及电感器L3、L4用于“改善隔离”（[0051]），但完全没有描述如何确定这些电感器的大小，更没有提及基于开关的多种配置来确定电感器大小的任何标准或方法。因此，技术特征I未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中，多个电感器通过一个公共节点（图4的406）连接到阻抗电路（404），开关由控制信号激活（说明书[0025]）。对比文件中，与开关并联的电感器L3和L4（图4）是各自独立地连接在各自开关（D3, D4）的两端，并未显示它们通过一个公共节点连接到一个中央的“阻抗电路”。多频段变换级14中的开关D1、D2由偏置网络控制（[0034]），这隐含了存在控制信号，但其电路结构（传输线T1、T2）与目标专利的“阻抗电路”和“公共节点”结构不同。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **技术特征K：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的阻抗电路（图4的404）明确包括一个与输入串联的第二电感器（以及一个电容器）。对比文件的多频段变换级14由传输线T1和T2构成，它们是分布参数元件，并非明确公开的集总参数“第二电感器”。图4中的电感器L1、L2是偏置网络的一部分（[0003]），并非阻抗电路的组成部分。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：以及电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的阻抗电路（图4的404）明确包括一个耦合在输入和地之间的电容器。对比文件的多频段变换级14或相关电路描述中，没有公开这样一个直接耦合在信号输入和地之间的电容器。图4中的电容器C1、C2与电感器L3、L4形成谐振电路，其连接方式和作用（[0052]）与目标专利中用于阻抗匹配的电容器不同。因此，技术特征L未被对比文件公开。 |
| **技术特征M：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的多个电感和开关构成可配置分配和加和（CDS）网络的第一级（如图3的CDS网络320），这是一个用于信号分配/组合的多级网络的一部分。对比文件中的电路结构（高功率级12、变换级14、低功率级16）是为了在多频段下实现天线与发射/接收路径之间的切换和隔离，其功能是路由选择而非目标专利所描述的分配和加和。变换级14及其开关（D1, D2）的作用是提供可变的阻抗变换，以实现隔离或传输，并不构成一个“分配和加和网络”的级。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的分配和加和网络具有第二级（如CDS网络310），并经由放大器（如315）耦合到多个天线。对比文件的低功率级16是一个开关矩阵（[0036]），可以视为包含多个开关的第二级。然而，对比文件完全没有描述该低功率级16（或任何其他级）通过“多个放大器”耦合到“多个天线”。目标专利中的放大器是其CDS网络架构中的关键有源部件，用于信号放大。对比文件的架构中不存在这种结构。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **技术特征O：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。**<br>**《直接公开》** | [0027] "The low-power switch may be configured as a multiband transmitter/receiver switch..." 以及图3a, 3b所示整体架构。 | 目标专利的CDS网络在发射和接收路径之间共享（说明书[0027]）。对比文件的多频段天线开关10（图3a, 3b）整体上用于移动电话的发射和接收路径切换。具体地，多频段变换级14（可视为一个共享部件）在发射模式下用于隔离接收路径，在接收模式下允许信号通过至接收器（[0038]-[0044]）。此外，低功率级16在第二实施例（图3b）中被描述为可配置为“发射/接收开关矩阵”（[0048]），明确说明了其在发射和接收路径之间的共享用途。因此，对比文件公开了其电路结构（包含变换级和开关矩阵）在发射和接收路径之间共享，这与技术特征O的实质相同。 |
| **技术特征P：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。**<br>**《隐含公开》** | [0035] "The multiband transformation stage 14 is also constructed in multi-layer technology." <br> [0048] "the low-power stage 16 may be configured as a GaAs MMIC transmitter/receiver switch matrix." <br> [0028] "Modular MMIC low-power stages can advantageously be combined with modular multiband transformation stages and high-power stages constructed in multi-layer technology or with discrete components." | 目标专利的CDS网络级和放大器被包含在射频集成电路（RFIC）内（说明书[0024]）。对比文件描述了其多频段变换级14可采用“多层技术”制造（[0035]），而低功率级16可以是“GaAs MMIC”（砷化镓单片微波集成电路）（[0048]）。MMIC是射频集成电路（RFIC）的一种常见实现形式。此外，对比文件强调了模块化概念，可以将MMIC低功率级与采用多层技术制造的变换级和高功率级组合（[0028]）。虽然对比文件没有明确声明“第一级、第二级和多个放大器”全部集成在单个RFIC内（因为其是模块化设计），但本领域技术人员可以理解，MMIC技术本身就意味着将射频功能电路集成在一块芯片上，即RFIC。考虑到对比文件明确将低功率级（包含开关矩阵，相当于第二级开关）实施为MMIC（RFIC），并且整个设计面向射频应用，可以合理推断出其电路部件可以被制造或集成在射频集成电路中。因此，技术特征P被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。**<br>**《直接公开》** | [0030] "The antenna switch 10 is part of a mobile telephone operable in three frequency bands in accordance with GSM 900, GSM 1800 and GSM 1900." <br> [0045] "The antenna switch 10 is part of a mobile telephone operable in four frequency bands..." | 目标专利的设备用于无线设备（如移动电话）。对比文件明确且多次指出其描述的多频段天线开关10是移动电话（mobile telephone）的一部分（[0030], [0045]）。因此，包含阻抗电路（由传输线T1, T2实现）和电感器（如L3, L4）的电路必然被包含在移动通信设备中。技术特征Q被对比文件直接公开。 |
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