**对比文件名称**：2005-04-14_发明专利_JP2005101097A Semiconductor device and its manufacturing method
**目标专利名称**：223可切换的天线阵列CN105917581B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：阻抗电路<br>**结果**：未公开 | 对比文件未明确记载或描述“阻抗电路”这一独立部件。 | 目标专利中的“阻抗电路”是一个明确的电路模块（如图4的404），其作用是与电感器、开关等协同工作，以在多种开关配置下实现阻抗匹配，优化返回损耗和插入损耗。对比文件（例如图1(a)）描述的电路是一个谐振型开关，用于在接收和发送模式间切换天线连接。虽然在实际电路中必然存在阻抗，但对比文件的说明书和附图均未提及或暗示存在一个独立的、功能上与目标专利相同的“阻抗电路”模块。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征B**：以及多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子，<br>**结果**：未公开 | 说明书[2]段：“並列接続した第１のインダクタ１１と第１のＦＥＴ１２を有する第１のスイッチ１０ａ、及び、並列接続した第２のインダクタ１３と第２のＦＥＴ１４を有する第２のスイッチ１０ｂが、直列接続されている。...アンテナ端子２１は、接続点２２に接続され、並列接続された第１のインダクタ１１と第１のＦＥＴ１２を介して、...受信側の端子２３に接続されている。また、アンテナ端子２１は、...並列接続された第２のインダクタ１３と第２のＦＥＴ１４を介して、...送信側の端子２４に接続されている。” | 对比文件公开了多个电感器（第一电感器11和第二电感器13），每个电感器连接在一个信号端子（接收侧端子23或发送侧端子24）和公共连接点22之间。这些端子（23, 24）是非接地的输出端子。然而，目标专利的特征B要求每个电感器“被耦合至所述阻抗电路”。如特征A所述，对比文件中不存在“阻抗电路”这一部件。因此，对比文件虽然公开了“多个电感器耦合到多个非接地输出端子”，但并未公开“耦合至阻抗电路”这一限定。该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关，<br>**结果**：《直接公开》 | 说明书[2]段：“並列接続した第１のインダクタ１１と第１のＦＥＴ１２を有する第１のスイッチ１０ａ、及び、並列接続した第２のインダクタ１３と第２のＦＥＴ１４を有する第２のスイッチ１０ｂが、直列接続されている。” | 对比文件图1(a)和说明书文字明确示出并描述了第一电感器11与第一FET（作为开关）12并联，第二电感器13与第二FET（作为开关）14并联。FET作为电压控制的开关元件，其功能与目标专利中的“开关”相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“每个电感器并联耦合至多个开关中的对应开关”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。<br>**结果**：《直接公开》 | 说明书[2]段：“受信モードのときには、第１のスイッチ１０ａがＯＮになり、...送信モードのときには、第２のスイッチ１０ｂがＯＮになり、...” | 对比文件描述了一个单刀双掷（SPDT）开关电路。第一开关10a和第二开关10b是独立的，可以分别控制其ON（激活）和OFF（去激活）状态。例如，在接收模式，第一开关ON，第二开关OFF；在发送模式则相反。这明确公开了开关可以独立地被激活以选择不同的信号路径。 |
| **技术特征E**：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。<br>**结果**：未公开 | 对比文件未记载任何用于组合多个开关输出信号的“组合器”。 | 目标专利中的组合器（如图4的450）是其可配置分配和加和（CDS）网络的核心部件，用于将来自多个被选通开关的信号进行合成，以实现天线阵列的波束成形或信号聚合功能。对比文件描述的是一个选择开关，用于将天线在接收和发射两个端口之间进行切换，其功能是“选择”而非“组合”多个路径的信号。没有证据表明对比文件公开了组合多个开关输出信号的部件或方法。 |
| **技术特征F**：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。<br>**结果**：《隐含公开》 | 说明书[2]段：“並列接続した第１のインダクタ１１と第１のＦＥＴ１２を有する第１のスイッチ１０ａ...受信モードのときには、第１のスイッチ１０ａがＯＮになり、受信側の端子２３からアンテナ端子２１へ信号が流れる。” 图1(a)显示了并联结构。 | 目标专利该特征描述的是开关的功能：当开关闭合（激活）时，信号直接通过开关（低阻抗路径），从而“旁路”了与之并联的高阻抗电感器。对比文件中，当FET（开关）处于ON（激活）状态时，其导通电阻很小，信号将主要从FET的源极流向漏极（或反之），而不会流经与之并联的电感器。这实质上就是使信号“旁路”了电感器。虽然对比文件未使用“旁路”一词，但根据其公开的并联电路结构和开关控制逻辑，本领域技术人员能够合理推断出：当开关ON时，信号通过开关传播，电感器被旁路；当开关OFF时，信号路径被开关阻断。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。<br>**结果**：未公开 | 对比文件未提及确定晶体管（FET）大小的任何“标准”，也未讨论平衡“阻抗匹配”与“串联损耗”。 | 目标专利该特征涉及对开关晶体管尺寸的特定优化设计，其目的是为了在所有可能的开关配置（模式）下，平衡开关闭合时的阻抗匹配和开关断开时的信号损耗（插入损耗）。这是实现其CDS网络高性能（低损耗、良好匹配）的关键设计方法。对比文件仅公开了使用FET作为开关，完全没有涉及如何基于特定性能标准（平衡阻抗匹配与损耗）来设计或确定晶体管尺寸。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关。<br>**结果**：《隐含公开》 | 说明书[2]段：“受信モードのときには、第１のスイッチ１０ａがＯＮになり、...送信モードのときには、第２のスイッチ１０ｂがＯＮになり、...” | 目标专利明确限定了两种模式与开关状态的对应关系。对比文件虽然描述了开关的ON和OFF状态对应于不同的操作模式（接收/发送），但并未明确将“第一模式”定义为闭合开关，“第二模式”定义为断开开关。然而，根据对比文件公开的内容，ON状态即开关闭合导通，OFF状态即开关断开。本领域技术人员在理解目标专利的“模式”是指开关的不同配置状态时，能够毫无困难地将对比文件中开关的“ON”状态对应于“闭合”，“OFF”状态对应于“断开”。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。<br>**结果**：未公开 | 说明书[2]段：“第１及び第２のインダクタ１１，１３は、それぞれ、第１及び第２のＦＥＴ１２，１４のＯＦＦ容量と並列共振回路を構成している。” | 对比文件公开了电感器与FET的OFF状态电容构成并联谐振电路，这暗示电感值的选择与FET的寄生电容（一种开关特性）有关，以实现特定频率下的谐振。然而，目标专利的特征I强调的是电感器大小基于“多个开关的多个配置相关的标准”来确定。这意味着设计时要考虑所有可能的开关组合（例如，4个开关有16种配置）下的整体性能（如插入损耗和返回损耗），并据此优化电感值。对比文件仅涉及单个开关状态（OFF）下的谐振，未提及基于所有可能开关配置的优化标准。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。<br>**结果**：《隐含公开》 | 说明书[2]段：“アンテナ端子２１は、接続点２２に接続され、並列接続された第１のインダクタ１１と第１のＦＥＴ１２を介して、...受信側の端子２３に接続されている。また、アンテナ端子２１は、...並列接続された第２のインダクタ１３と第２のＦＥＴ１４を介して、...送信側の端子２４に接続されている。” 图1(a)显示两个并联支路（电感+FET）共享连接点22。FET作为开关，其ON/OFF由栅极电压（即控制信号）控制。 | 对比文件图1(a)明确显示，第一电感器11与第一FET12的并联组合、第二电感器13与第二FET14的并联组合，均连接到同一个“接続点２２”（连接点22）。这个连接点22相当于一个“公共节点”。虽然对比文件未提及“阻抗电路”，但“经由公共节点被耦合”这一结构关系已被公开。此外，FET作为开关，其导通（激活）与否由施加在栅极（ゲート電極）上的电压值（控制信号）决定，这是本领域公知常识。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的电路结构和FET工作原理，合理推断出“开关基于控制信号的值而被激活”。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器<br>**结果**：未公开 | 对比文件未公开任何与“多个电感器”串联连接的第二电感器。 | 目标专利的阻抗电路（图4中的404）是一个明确的匹配网络，包含一个串联的第二电感器和并联到地的电容器。对比文件的电路中不存在这样的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：以及电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地。<br>**结果**：未公开 | 对比文件未公开任何连接在输入和地之间的电容器作为阻抗匹配电路的一部分。 | 同特征K，该电容器是目标专利阻抗电路的组成部分。对比文件中没有相应的公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。<br>**结果**：未公开 | 对比文件未提及“分配和加和网络”或“级”的概念。 | 目标专利的核心是可配置的分配和加和（CDS）网络，这是一个多级结构（如图3的310, 320），用于对多个天线信号进行分配或合成。特征M限定了由特定电感和开关组成的结构是此多级网络中的“第一级”。对比文件中的开关电路是一个简单的单刀双掷（SPDT）开关，用于在天线的接收和发射端口之间进行切换，其功能是选择路径，而不是一个用于信号分配/合成的多级网络中的一级。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。<br>**结果**：未公开 | 对比文件未提及多级网络、第二级开关、多个放大器，也未描述其与“多个天线”的耦合关系。其仅涉及单个天线（アンテナ端子21）。 | 该特征描述了目标专利CDS网络的层级结构和与天线的连接方式。对比文件完全没有涉及这些概念。 |
| **技术特征O**：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。<br>**结果**：未公开 | 对比文件描述其开关电路用于在接收和发送路径之间共享一个天线。 | 目标专利的特征O特指“分配和加和网络”的级在发射和接收路径之间共享。如前述，对比文件没有公开“分配和加和网络”及其层级结构。虽然对比文件的开关共享天线，但这与共享一个多级网络是不同的技术概念。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。<br>**结果**：未公开 | 说明书[2]段：“このように構成された回路は、Ｓｉ基板やＧａＡｓ基板などの半導体基板からなる半導体チップに形成される。...半導体チップ５８は、...セラミック基板６２に、ワイヤ５９を介して接続されている。” | 对比文件明确其半导体装置由形成在半导体芯片（如Si或GaAs）上的FET和形成在陶瓷基板上的电感器通过引线键合或倒装芯片方式组装而成。这是一种混合集成或模块化结构，并非将所有部件（开关、电感器、放大器）集成在单一的“射频集成电路（RFIC）”内。目标专利明确其关键部件集成在RFIC（图3的390）中。两者在集成方式上存在根本区别。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。<br>**结果**：《直接公开》 | 说明书[2]段：“このスイッチ回路は、３端子を有するシングルポールデュアルスルー（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｕａｌ Ｔｈｒｏｕｇｈ）スイッチであり、例えば、デジタルコードレス電話機のアンテナを受信状態または送信状態に切り換えるために用いられる。” | 对比文件明确说明其开关电路用于例如“数字无绳电话机（デジタルコードレス電話機）”中，以切换天线的接收和发送状态。数字无绳电话机属于移动通信设备的一种。因此，包含该开关电路（自然包含其中的电感器，尽管不含目标专利的阻抗电路）的装置被直接公开为用于移动通信设备中。 |
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