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对比文件列表
1980-05-06_发明授权_US4201960A Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna_+++A_C_D_F_H_L_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1988-12-06_发明授权_US4789846A Microwave semiconductor switch_+++C_D_F_a_h+++.docx
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2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver_+++C_D_H_I_J_Q_a_b_f+++.docx
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2002-09-04_发明公开_EP1237222A1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++B_C_D_H_O_Q_a_p+++.docx
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2002-09-06_发明申请_WO2002069435A1 MULTIBAND R. F. SWITCHING DEVICE_+++C_D_H_Q_a_b_f_j+++.docx
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2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit_+++A_B_C_D_F_I_J_h_q+++.docx
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2004-05-13_发明申请_US20040092285A1 Multiband r f switching device_+++C_D_H_J_Q_a_b_e_f+++.docx
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2005-04-14_发明专利_JP2005101097A Semiconductor device and its manufacturing method_+++C_D_Q_f_h_j+++.docx
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2005-10-20_发明申请_US20050233706A1 Switching circuit_+++B_C_D_H_J_f_o_p_q+++.docx
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2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx
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2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx
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2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device_+++C_D_J_Q_a_f+++.docx
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2008-08-28_发明申请_US20080204338A1 METHOD AND SYSTEM FOR SOFTWARE DEFINED ANTENNA CONTROL_+++A_B_C_D_F_L_Q_h_j+++.docx
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2008-10-02_发明申请_US20080238570A1 Spst Switch, Spdt Switch and Mpmt Switch_+++C_D_H_J_b_f_g_i_l+++.docx
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2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기_+++D_H_c_f+++.docx
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2009-10-29_发明申请_US20090267588A1 METHOD AND APPARATUS TO DYNAMICALLY CONTROL IMPEDANCE TO MAXIMIZE POWER SUPPLY_+++A_B_C_D_F_K_L_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-05-05_发明申请_US20110102291A1 Method and System for Software Defined Antenna Control_+++A_B_C_D_F_J_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-08-29_发明申请_US20130222075A1 Methods and Apparatuses for use in Tuning Reactance in a Circuit Device_+++A_C_D_F_H_J_b_g_i_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-12-18_发明公开_CN103454654A 一种用于卫星导航射频前端的可配置的匹配网络_+++C_D_F_h_l_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-10-23_发明申请_WO2014172077A1 TUNABLE MULTIBAND ANTENNA WITH PASSIVE AND ACTIVE CIRCUITRY_+++D_F_Q_c+++.docx
2026-03-10 19:07
2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기_+++D_H_c_f+++.docx

对比文件名称:2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기(开关电路和移相器)

目标专利名称:223可切换的天线阵列CN105917581B

模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:阻抗电路<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件全文未提及“阻抗电路”或具有相应功能的结构。其开关电路(图1)由晶体管T1、T2和电感器L组成,并未描述一个独立的、用于提供阻抗匹配的“阻抗电路”。目标专利中的“阻抗电路”(如说明书[0031]段所述)是用于在所有操作模式下提供足够阻抗匹配的特定匹配网络,对比文件不存在该技术特征。
**技术特征B**:多个电感器,所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子,<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开“阻抗电路”,因此不存在电感器耦合至阻抗电路的特征。对比文件中的电感器L(图1)连接在晶体管T1的源漏极之间(节点P1和P2),其并非耦合至一个“阻抗电路”,也未描述其耦合到“多个非接地输出端子”。目标专利的该特征旨在将电感器连接到分配和加和网络中的特定输出端子(如说明书[0029]段),对比文件未公开该结构。
**技术特征C**:并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关,<br>**判断结果**:隐含公开 <<<c>>>[56]段:스위치회로는 트랜지스터 Tl, T2, 인덕터 L을 구비한다.<br>(开关电路具备晶体管T1、T2、电感器L。)<br>图1:显示了电感器L并联连接在晶体管T1的源极和漏极之间。对比文件公开了单个开关电路(图1),其中电感器L与作为开关元件的晶体管T1并联连接。尽管对比文件未明确描述具有“多个”此类并联结构的网络,但本领域技术人员可以毫无困难地理解,为了构建如对比文件图2所示的移相器电路,必然需要多个这样的开关电路(SW1-SW4)。每个开关电路中的电感器都与其对应的开关(晶体管T1)并联耦合。因此,通过合理推断,对比文件隐含公开了“多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关”这一技术特征。
**技术特征D**:其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。<br>**判断结果**:直接公开 <<<D>>>[57]段:트랜지스터 Tl, T2의 각각의 게이트에는, 고주파신호가 누설되지 않도록 저항소자 Rl, R2을 통해 각각 제어신호 SGa, SGb를 공급한다.<br>(在晶体管T1、T2的各个栅极上,通过电阻元件R1、R2分别供给控制信号SGa、SGb,以防止高频信号泄漏。)<br>[69]段:각 스위치회로의 트랜지스터 Tl은 하이패스필터측과 로우패스필터측에서 일방이 온(on)이면 타방이 오프(off)가 되도록 상반적(배타적)으로 동작한다. 즉, 제어신호 SGl과 제어신호 SG2는 상반하는 신호레벨로 되고, SPDT 스위치를 구성하는 스위치회로 SWl, SW3과 SPDT스위치를 구성하는 스위치회로 SW2, SW4가 각각 동기해서 동작한다.<br>(各开关电路的晶体管T1在高通滤波器侧和低通滤波器侧以一方为导通(on)则另一方为截止(off)的方式互斥地(排他地)动作。即,控制信号SG1和控制信号SG2成为相反的信号电平,构成SPDT开关的开关电路SW1、SW3和构成SPDT开关的开关电路SW2、SW4分别同步动作。)对比文件明确公开了开关(晶体管T1)可以通过施加到其栅极的控制信号(如SGa、SG1、SG2等)独立地被激活(导通或截止)。例如,在移相器应用(图2)中,开关电路SW1和SW3、SW2和SW4被配置为互斥地动作,这本身就意味着每个开关或每组开关可以被独立控制以实现不同的路径选择。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出“至少一个开关被配置为独立地被激活”的技术方案。
**技术特征E**:还包括组合器,所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件涉及的是通过开关选择不同滤波路径(高通或低通)的移相器(图2),其功能是从两个路径中选择一个进行信号传输,而非将从多个开关输出的信号进行组合。对比文件全文未提及任何用于组合多个开关输出信号的“组合器”。目标专利中的组合器(如说明书[0029]段的组合器450)用于在分配和加和网络中组合来自多个天线的信号,这与对比文件的技术方案完全不同。
**技术特征F**:其中,每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。<br>**判断结果**:隐含公开 <<<f>>>[59]段:트랜지스터 Tl은 온(on) 상태에서는 등가적으로 저항으로 표현되고, 트랜지스터 T2도 저항으로 나타내진다. 따라서, 스위치회로는 저항소자 및 인덕터가 직렬로 접속된 회로가 저항소자에 병렬접속된 회로로 나타내진다. 이 경우 스위치회로는 통상의 스위치의 통과특성을 보인다. 또한, 트랜지스터 Tl이 오프(off) 상태에서는 트랜지스터 Tl은 등가적으로는 오프용량으로 표현된다. 따라서, 스위치회로는 저항소자 및 인덕터가 직렬로 접속되는 회로가 오프용량과 병렬접속된 회로로 의미된다.<br>(晶体管T1在导通(on)状态下等价地表示为电阻,晶体管T2也表示为电阻。因此,开关电路表示为电阻元件及电感器串联连接的电路与电阻元件并联连接的电路。此时开关电路显示出通常开关的通过特性。此外,晶体管T1在截止(off)状态下,晶体管T1等价地表示为截止电容。因此,开关电路意味着电阻元件及电感器串联连接的电路与截止电容并联连接的电路。)对比文件描述了开关(晶体管T1)的两种状态:导通时,信号主要流经低电阻的晶体管T1(此时电感器L与导通的T1并联,信号被T1“旁路”);截止时,信号路径主要由电感器L和始终导通的晶体管T2的电阻构成(此时T1呈现高阻抗,信号不通过T1)。这实质上公开了开关根据其状态选择性地“旁路”电感器(当开关导通时)或使信号通过包含电感器的路径(当开关截止时)。虽然对比文件中信号的输入点并非来自一个明确的“阻抗电路”,但其开关电路接收输入信号(如节点P1),并根据开关状态决定信号是否旁路电感器L。因此,本领域技术人员可以合理推断出该技术特征。
**技术特征G**:其中,所述多个开关中的每个开关包括晶体管,并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件虽然公开了开关使用晶体管(如T1),但全文未提及任何关于根据特定“标准”来确定晶体管大小,以平衡不同模式下的阻抗匹配和串联损耗的内容。目标专利说明书[0031]-[0032]段详细描述了基于在所有可能开关配置下优化插入损耗和返回损耗的标准来确定开关(晶体管)大小。对比文件的目的在于改善开关的隔离特性和便于DC测试,并未涉及此类设计优化标准。
**技术特征H**:其中,所述第一模式对应于闭合的开关,而所述第二模式对应于断开的开关。<br>**判断结果**:直接公开 <<<H>>>[59]段:트랜지스터 Tl은 온(on) 상태와 오프(off)태를 취한다.<br>(晶体管T1采取导通(on)状态和截止(off)状态。)对比文件明确且直接地定义了开关的两种状态:导通(on)和截止(off),这分别对应于目标专利权利要求中所述的“闭合的开关”和“断开的开关”。因此,该特征被直接公开。
**技术特征I**:其中,所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开任何关于确定电感器大小所基于的“标准”,尤其未提及该标准与“多个开关的多个配置”相关。目标专利说明书[0031]-[0032]段描述了电感器大小基于开关电容选择,并需匹配输入阻抗,且考虑所有可能的开关配置(例如4开关有16种配置)以保持合理的返回损耗和低插入损耗。对比文件没有披露此类设计方法或考量。
**技术特征J**:其中,所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路,并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开“阻抗电路”,因此不存在“多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路”的特征。虽然对比文件公开了开关基于控制信号(如SGa)被激活(见特征D的论述),但特征J是包含“公共节点耦合至阻抗电路”以及“基于控制信号激活”的并列技术特征。由于前半部分未被公开,整个技术特征J未被公开。
**技术特征K**:其中,所述阻抗电路包括:第二电感器,被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开如目标专利图4所示的、包含串联的第二电感器(404)和并联的电容器(未标号)的“阻抗电路”结构。
**技术特征L**:以及电容器,被耦合至所述输入并被耦合至地。<br>**判断结果**:未公开未公开同上,对比文件未公开该特定的阻抗电路结构。
**技术特征M**:其中,所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件涉及的是用于选择信号路径(高通或低通滤波器)的开关电路和移相器,其应用场景和电路架构与目标专利中的“分配和加和网络”(CDS网络)完全不同。对比文件未提及任何形式的“分配和加和网络”,更不用说其“第一级”。
**技术特征N**:其中,所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关,其中,所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开“分配和加和网络”,因此其“第二级”以及该级“经由多个放大器被耦合至多个天线”的特征也未被公开。对比文件不涉及天线阵列或与放大器的此类耦合。
**技术特征O**:其中,所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开“分配和加和网络”,也未涉及任何在发射和接收路径之间共享网络的结构。其开关电路用于移相器,与天线收发路径无关。
**技术特征P**:其中,所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件未公开“第一级”、“第二级”和“多个放大器”形成的分配和加和网络结构,因此其是否集成在射频集成电路(RFIC)内也无从谈起。
**技术特征Q**:其中,所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。<br>**判断结果**:未公开未公开对比文件说明书中未提及将所公开的开关电路或移相器应用于或包含在“移动通信设备”中。其背景技术和具体实施方式均围绕改善移相器性能本身,未扩展到移动设备应用。

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