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对比文件列表
2004-02-19_JP2004055816A_发明专利_JP2004055816A Nitride compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_C_D_E_k_l+++.docx
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2004-09-14_US6791259B_发明授权_US06791259B1 Solid state illumination system containing a light emitting diode, a light scattering material and a luminescent material_+++A_B_C_D_E_o+++.docx
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2005-03-24_JP2005079167A_发明专利_JP2005079167A Light emitting element housing package and light emitting device_+++A_b+++.docx
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2005-04-14_JP3108273U_实用新型_JP3108273U Vertical electrode structure of the white light emitting diode_+++A_B_D_E_F_G_I_K_L_c+++.docx
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2005-04-27_EP1526580A_发明公开_EP1526580A2 Light source and vehicle lamp_+++A_b+++.docx
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2005-07-14_US2005151141A_发明申请_US20050151141A1 Luminescence diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-07-21_JP2005197289A_发明专利_JP2005197289A Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2005-08-18_JP2005223082A_发明专利_JP2005223082A Light emitting diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-09-06_US6939481B_发明授权_US06939481B2 White light emitting phosphor blends for LED devices_+++A_B+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_B_C_D_E_K_L+++.docx
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2006-01-12_JP2006013426A_发明专利_JP2006013426A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_b+++.docx
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2006-01-19_US2006011935A_发明申请_US20060011935A1 Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping_+++A_B_C_E_F_G_H_I_L_k+++.docx
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2006-01-19_WO2006006544A_发明申请_WO2006006544A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_b+++.docx
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2006-03-30_WO2006033057A_发明申请_WO2006033057A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_D_E_L+++.docx
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2006-04-06_JP2006093399A_发明专利_JP2006093399A Light-emitting device, its manufacturing method and luminaire_+++A_B+++.docx
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2006-05-04_US2006091411A_发明申请_US20060091411A1 High brightness LED package_+++A_b+++.docx
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2006-05-04_US2006091784A_发明申请_US20060091784A1 LED package with non-bonded optical element_+++A_C_E_F_H_L_O_b_j+++.docx
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2006-05-18_JP2006128700A_发明专利_JP2006128700A Light-emitting device having material adaptive to heat insulation and refractive index_+++A_B+++.docx
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2006-09-07_JP2006236771A_发明专利_JP2006236771A Backlight device and liquid crystal display device_+++A_b+++.docx
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2006-09-07_JP2006237264A_发明专利_JP2006237264A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_B_k_l_o+++.docx
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2006-10-05_WO2006103582A_发明申请_WO2006103582A1 WIDE EMITTING LENS FOR LED USEFUL FOR BACKLIGHTING_+++A_B+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093011A1 発光装置_+++A_C_D_E_F_L_b_h_k_o+++.docx
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2011-01-05_EP1503434A_发明公开_EP1503434A2 Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency_+++A_B_C_D_E_F_H_L_M_o+++.docx
2026-07-22 17:35
WO2006093011A1_Description_20260712_1454_+++A_C_D_E_H_K_L_b_f+++.docx
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2006-09-07_JP2006236771A_发明专利_JP2006236771A Backlight device and liquid crystal display device_+++A_b+++.docx

对比文件名称:2006-09-07_JP2006236771A_发明专利_JP2006236771A Backlight device and liquid crystal display device

目标专利名称:1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B

本次调用的模型名称:资深专利代理师评估模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(日文及中文翻译)公开性论述
技术特征A:发光装置,包括半导体发光器件(220,320,420) 《直接公开》对比文件第[2]段记载:“特に、青色発光ダイオードの開発により、光の三原色である赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ発光する発光ダイオードが揃ったことになり”、“発光ダイオードをバックライト装置の光源とすることにより”。另外,图3说明中:“光源として発光ダイオード21が組み込まれた導光板30”。<br>翻译:特别地,通过蓝色发光二极管的开发,分别发射三原色光(红色、绿色、蓝色)的发光二极管已经齐全;通过将发光二极管用作背光装置的光源。以及“作为光源,导光板中组装有发光二极管21”。对比文件公开了一种背光装置,该装置明确包括作为光源的发光二极管(半导体发光器件),因此直接公开了技术特征A。
技术特征B:半导体发光器件包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层(221,321,421) 《隐含公开》对比文件第[2]段记载:“発光ダイオード(LED)”,并且多次提及“発光ダイオード”作为光源。<br>翻译:发光二极管(LED)。虽然对比文件没有明确描述发光二极管的内层结构,但本领域技术人员公知,发光二极管(LED)是一种半导体发光器件,其基本结构包括n型层、p型层以及位于两者之间的有源层(发光层)。因此,对比文件通过提及“发光二极管”隐含公开了其必然具有发光层,故该技术特征被隐含公开。
技术特征C:透明陶瓷体(230,330,430) 《未公开》对比文件第[2]段记载:“導光板30”,并且描述了导光板通常由丙烯酸树脂等透明材料制成。没有提到陶瓷体。<br>翻译:导光板30。对比文件公开的导光板是透明树脂板,并非透明陶瓷体。透明陶瓷体是特定材料(如YAG、LuAG等)制成的波长转换陶瓷,与导光板在材料、功能和制备工艺上均不相同。对比文件未给出任何关于透明陶瓷体的技术启示,因此该技术特征未被直接或隐含公开。
技术特征D:透明陶瓷体包括定位成与半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料 《未公开》对比文件第[2]段记载了导光板用于将光从LED引导至液晶面板,但没有提到任何波长转换材料。<br>翻译:导光板。对比文件中的导光板仅起导光作用,不包含波长转换材料。波长转换材料(如磷光体)用于将初级光转换为次级光,对比文件未公开任何相关内容。因此,该技术特征未被公开。
技术特征E:陶瓷体还具有面朝半导体发光器件(220,320,420)的底面(231,331,431) 《未公开》对比文件第[2]段记载了导光板30的背面30B(光出射侧相反侧),但未明确该背面是面朝半导体发光器件的底面。<br>翻译:导光板30的背面30B。对比文件虽然公开了导光板具有底面(背面),但该底面是面向反射结构,而非面向半导体发光器件。且导光板不是陶瓷体。因此,技术特征E未被公开。
技术特征F:陶瓷体具有与底面成斜角(234,334,434)的至少一个侧面(233,333,433) 《未公开》对比文件未提及任何关于导光板侧面斜角的信息。<br>翻译:无。对比文件完全没有涉及斜侧面的概念,其导光板形状为常规矩形,侧面与底面垂直。因此,技术特征F未被公开。
技术特征G:斜角(234,334,434)大于95°或者小于85° 《未公开》对比文件未公开任何斜角。<br>翻译:无。对比文件未公开任何斜角,更未公开具体的角度范围,因此该技术特征未被公开。
技术特征H:陶瓷体(230,330,430)的至少一个斜侧面(233,333,433)具有反射性涂层(452) 《未公开》对比文件公开了反射结构部35,包括反射膜33和增反射结构32,但其位于导光板30的背面,而非侧面。<br>翻译:反射结构部35、反射膜33、增反射结构32。对比文件中的反射涂层是设置在导光板背面,而非斜侧面,且导光板不是陶瓷体。因此,技术特征H未被公开。
技术特征I:斜角(234,334,434)大于100°或者小于80° 《未公开》对比文件未公开任何斜角。<br>翻译:无。对比文件未公开任何斜角,更未公开具体的角度范围,因此该技术特征未被公开。
技术特征J:在陶瓷体(230,330,430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于陶瓷体的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件第[2]段记载:“導光板30の光出射側とは反対側の背面に、少なくとも導光板30の屈折率に比して低い屈折率とされる低屈折率材料層31を介して反射構造部35が配置される”。<br>翻译:在导光板的光出射侧的相反侧的背面上,至少通过折射率低于导光板折射率的低折射率材料层配置反射结构部。对比文件虽然公开了在导光板(透明体)与反射结构部之间设置低折射率材料层,但该结构并非应用在陶瓷体上,且反射结构部并非直接为反射性涂层,而是包括反射膜和增反射结构。更重要的是,对比文件没有公开陶瓷体本身,也没有公开斜侧面。因此,该技术特征的整体技术方案未被公开,即使部分公开了低折射率层的概念,但结合其他要素后仍未公开。
技术特征K:陶瓷体(230,330,430)具有设置有微褶皱的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件未涉及微褶皱。<br>翻译:无。对比文件未涉及微褶皱或任何表面纹理处理,因此未被公开。
技术特征L:陶瓷体(230,330,430)具有提供来包括光学功能的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件未涉及光学功能顶面。<br>翻译:无。对比文件未公开陶瓷体顶面具有光学功能,因此未被公开。
技术特征M:陶瓷体(230,330,430)具有提供有反射性涂层(452)的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件没有提到在导光板顶面设置反射涂层,顶面是光出射面,通常不设反射涂层。<br>翻译:无。对比文件未公开在顶面设置反射涂层,因此未被公开。
技术特征N:在陶瓷体(230,330,430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于陶瓷体的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件未公开顶面反射涂层和中间层。<br>翻译:无。对比文件未公开关于顶面反射涂层和中间层的任何内容,因此未被公开。
技术特征O:在底面(231,331,431)和半导体发光器件(220,320,420)之间容纳有折射率低于陶瓷体(230,330,430)的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件公开了低折射率材料层位于导光板背面(底面)和反射结构之间,但LED并非位于底面侧,而是嵌入导光板内。<br>翻译:低折射率材料层31位于导光板30背面30B与反射结构部35之间。对比文件中的低折射率材料层位于导光板背面与反射结构之间,而非底面与发光器件之间。且发光器件与底面不直接相对。因此,技术特征O未被公开。

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