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对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
2026-07-22 17:35
1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
2026-07-22 17:36
2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
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2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
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2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
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2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx

对比文件名称:2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:未指定(基于公开规则自动推理)

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## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译及段落标号)公开性论述
**技术特征A:** 其包括具有中心轴的LED电路小片<br>**【直接公开】**【0206】“light emitter 12 of a light emitting diode (LED chip)”及【0207】“optical axis of the light emitter 12”。<br>翻译:【0206】“发光二极管(LED芯片)的光发射器12”;【0207】“光发射器12的光轴”。对比文件明确公开了LED芯片及其光轴,所述光轴即为权利要求中的中心轴。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征已被直接公开。
**技术特征B:** 相对于LED电路小片固定的透镜<br>**【直接公开】**【0207】“In a front central part of the mold resin 13, there is disposed a direct emission region 18 having a convex lens configuration”。<br>翻译:【0207】“在模制树脂13的前部中心部分,设置有具有凸透镜构型的直接发射区域18”。直接发射区域18是形成在密封LED芯片的模制树脂上的透镜,该透镜相对于LED芯片固定(通过模制一体固定)。因此,该特征被直接公开。
**技术特征C:** 该透镜使LED电路小片发出的光折射<br>**【直接公开】**【0207】“light emitted to the direct emission region 18 in the light emitted from the light emitter 12 is emitted approximately in parallel directly from a front of the mold resin 13 to front”。<br>翻译:【0207】“从光发射器12发射到直接发射区域18的光被大致平行地从模制树脂13的前部直接向前发射”。光通过凸透镜形状的直接发射区域后平行射出,该过程必然包含折射作用。因此,透镜使光折射已被直接公开。
**技术特征D:** 从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内<br>**未公开**对比文件全文未记载峰值强度偏离中心轴的具体角度范围。仅笼统提及可通过设计改变方向性图案(如【0214】“directional pattern can be changed to a desired pattern”),但未给出50-80°的数值。本领域技术人员无法从对比文件中直接且毫无疑义地得出该具体角度范围,也无法通过合理推理唯一确定该范围。因此,该特征未被公开(包括直接和隐含)。
**技术特征E:** 使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间<br>**未公开**对比文件全文未提及中心轴强度与峰值强度之间的比例关系。对比文件没有任何关于中心轴强度相对值的记载,本领域技术人员不能合理推断出该比例范围。因此,该特征未被公开。
**技术特征F:** 其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜<br>**【直接公开】**【0206】“light emitter 12 sealed in a mold resin 13”及【0207】“direct emission region 18 having a convex lens configuration”。<br>翻译:【0206】“光发射器12密封在模制树脂13中”;【0207】“具有凸透镜构型的直接发射区域18”。模制树脂13密封了LED芯片,并且其前部形成凸透镜形状(直接发射区域18),该透镜部分即为密封LED的第一透镜。因此,该特征被直接公开。
**技术特征G:** 围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜<br>**未公开**对比文件没有公开任何围绕第一透镜(直接发射区域18)的独立辅透镜。最接近的结构是围绕直接发射区域的全反射区域19,但该区域为平面或锥形面,并非透镜,不具有折射或聚光功能(【0207】“a total reflection region 19 in a flat shape”)。对比文件中的全反射区域仅用于全反射,不是透镜,更没有形成围绕第一透镜的辅透镜。本领域技术人员无法从对比文件得到该技术特征。因此,该特征未被公开。
**技术特征H:** 该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分<br>**未公开**对比文件所有实施例中,光源与透镜之间均填充有透明树脂(如【0206】“sealed in a mold resin 13”),不存在空气间隙。唯一接近的结构是第三十三实施例(图57)中发射器与光学模块之间的空隙,但该空隙被透明树脂324填充(【0368】“a transparent resin 324 is filled within the housing 323”)。对比文件没有公开任何空气间隙,更未提及辅透镜的中空部分形成空气间隙。因此,该特征未被公开。
**技术特征I:** 该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面<br>**未公开**基于特征H未公开,对应的间隙和折射界面均不存在。无关联公开内容,该特征未被公开。
**技术特征J:** 其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内<br>**未公开**与特征D类似,对比文件未公开任何峰值强度具体角度。对比文件无此具体数值,本领域技术人员不能合理推断出70-80°的范围。因此,该特征未被公开。
**技术特征K:** 其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内(重复)<br>**未公开**同特征J。同特征J。
**技术特征L:** 沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%<br>**未公开**与特征E类似,对比文件未提及中心轴强度相对值。对比文件无此数值,不能合理推断。因此,该特征未被公开。
**技术特征M:** 其中该辅透镜包括非球面外表面<br>**未公开**基于特征G辅透镜未公开,其外表面形状无关。对比文件虽在直接发射区域采用非球面(【0207】“a spherical lens shape”),但那是第一透镜,不是辅透镜。辅透镜本身未被公开,故其外表面特征无法被公开。
**技术特征N:** 和非球面圆顶形内表面<br>**未公开**同特征M,辅透镜未公开,其内表面形状无从谈起。辅透镜未公开,该特征未公开。
**技术特征O:** 其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面<br>**未公开**对比文件中的全反射区域19用于全反射,但该区域并非辅透镜,且其位置在直接发射区域周围,并非在辅透镜外表面设置TIR部分。辅透镜未公开,且对比文件没有在透镜外表面设置TIR部分以减小中心光强的技术启示。因此,该特征未被公开。
**技术特征P:** 其中该第一透镜为半球形<br>**【直接公开】**【0222】“the direct emission region 18 has a generally hemispheric shape”。<br>翻译:【0222】“直接发射区域18具有大致半球形形状”。对比文件明确记载第一透镜(直接发射区域)为半球形。因此,该特征被直接公开。
**技术特征Q:** 其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜<br>**【直接公开】**从【0206】-【0207】及【0208】可知,LED芯片先被放置在模具中,然后注入树脂形成透镜,透镜与LED芯片直接接触且一体成型。通过模制工艺,透镜直接形成在LED芯片上,即直接模制在LED电路小片上。因此,该特征被直接公开。
**技术特征R:** 密封了该LED电路小片<br>**【直接公开】**【0206】“light emitter 12 sealed in a mold resin 13”。<br>翻译:【0206】“光发射器12密封在模制树脂13中”。模制树脂密封了LED芯片,第一透镜(直接发射区域)是树脂的一部分,因此第一透镜密封了LED电路小片。该特征被直接公开。
**技术特征S:** 其中该间隙为圆顶形空气间隙<br>**未公开**基于特征H未公开,无空气间隙。该特征未公开。
**技术特征T:** 其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料<br>**未公开**对比文件仅提及“optically transparent resin materials”(【0206】),未指定硅树脂;辅透镜不存在,更无塑料材质。对比文件未公开第一透镜的具体材料,也未公开辅透镜及其材料。因此,该特征未被公开。
**技术特征U:** 进一步包括次级载具<br>**【直接公开】**【0206】“mounted on a stem 15 disposed on a leading edge of a lead frame 17”。<br>翻译:【0206】“安装在位于引线框架17前端的基座15上”。基座(stem)15用于安装LED芯片,可视为次级载具,即用于承载LED电路小片的中间载体。因此,该特征被直接公开。
**技术特征V:** 其上安装了LED电路小片<br>**【直接公开】**同上【0206】,基座15上安装了LED芯片。直接公开。
**技术特征W:** 印刷电路板<br>**【直接公开】**【0336】“circuit board 73”。<br>翻译:【0336】“电路板73”。对比文件明确记载了印刷电路板。因此,该特征被直接公开。
**技术特征X:** 其上安装了次级载具<br>**【隐含公开】**【0206】公开了基座(stem)15(次级载具),【0336】公开了电路板73。虽然未直接说明基座安装在电路板上,但引线框架17通常焊接在电路板上,基座通过引线框架与电路板连接。本领域技术人员结合公知常识,可以合理推断出次级载具(基座)通过引线框架安装于印刷电路板上。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征Y:** 其中该透镜直接接触该印刷电路板<br>**【直接公开】**【0336】“The optical module 72 is put on the chip-type light emitter 12 of a surface-mount type which is mounted on the circuit board 73”。<br>翻译:【0336】“光学模块72放置在表面贴装型的芯片型光发射器12上,该光发射器安装在电路板73上”。光学模块72包含透镜部分,其底面直接放置于电路板上。光学模块72作为透镜系统直接接触电路板。因此,该特征被直接公开。
**技术特征Z:** 围绕该次级载具<br>**【直接公开】**图3及【0206】-【0207】显示,模制树脂13(包含透镜部分)围绕基座15和引线框架。透镜(模制树脂)围绕次级载具(基座)。因此,该特征被直接公开。

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根据上述比对,对比文件直接公开了技术特征A、B、C、F、P、Q、R、U、V、W、Y、Z;隐含公开了技术特征X。其他技术特征未被公开。

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