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对比文件列表
2001-06-29_JP2001176662A_发明专利_JP2001176662A Organic electrocluminescent element and its manufacturing method_+++G_H_I+++.docx
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2001-07-10_JP2001189343A_发明专利_JP2001189343A Wire-bonding method and semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2001-07-12_KR1020010067448A_发明公开_KR1020010067448A 반도체 장치의 구리 상호 접속을 위한 와이어 본딩 방법 및 반도체 장치_+++C_D_E_F_G_H_I_a_j+++.docx
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2001-11-21_GB2362510A_发明专利_GB2362510A Wire bonding method for semiconductor devices_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2001-12-21_TW469592B_发明专利_TW469592B 半導體裝置中銅內連線之引線接合方法_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2002-12-12_US2002187254A_发明申请_US20020187254A1 Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays_+++A_C_G_I_J_k_l_m+++.docx
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2004-09-01_TW200417283A_发明专利_TW200417283A 製造一種發光顯示裝置的方法 METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DISPLAY_+++A_B_G_I+++.docx
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2004-09-14_US6790757B_发明授权_US06790757B1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-02-17_US2005035466A_发明申请_US20050035466A1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-04-05_US6875023B_发明授权_US06875023B1 Data bank providing connectivity among multiple mass storage media devices using daisy chained universal bus interface_+++g_h+++.docx
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2005-07-21_US2005156431A_发明申请_US20050156431A1 Vanadium redox battery energy storage and power generation system incorporating and optimizing diesel engine generators_+++G_I+++.docx
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2005-08-16_US6929869B_发明授权_US06929869B1 Organic light emitting material and device_+++a_d_e_g_h_i_n+++.docx
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2006-04-06_JP2006093743A_发明专利_JP2006093743A Semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2006-07-12_JP3796116B_发明专利_JP3796116B2 Wire bonding method and a semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_i_j+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-08-03_US2006170114A_发明申请_US20060170114A1 Novel method for copper wafer wire bonding_+++B_G_a_f_i+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-10-03_US7115994B_发明授权_US07115994B2 Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device_+++A_B_C_G_H_I_J+++.docx
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2007-03-22_JP2007073353A_发明专利_JP2007073353A Method for manufacturing organic electroluminescence element_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
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2007-03-22_US2007065962A_发明申请_US20070065962A1 MANUFACTURING OF OPTOELECTRONIC DEVICES_+++G_H_I_a_b_c_j+++.docx
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2007-07-25_EP1811579A_发明公开_EP1811579A1 Galvanic optocoupler structure and corresponding hybrid integration process_+++B_G_I_f_h+++.docx
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2007-08-14_US7256483B_发明授权_US07256483B2 Package-integrated thin film LED_+++G_I_h+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-08-22_EP1763287A_发明公开_EP1763287A2 A method for fabricating organic electroluminescent devices_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
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2007-11-29_WO2007135604A_发明申请_WO2007135604A2 INTERCONNECTION ARRANGEMENT AND METHOD FOR INTERCONNECTING A HIGH-CUURENT CARRYING CABLE WITH A METAL THIN-FILM_+++F_G_H_I+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-08-03_US2006170114A_发明申请_US20060170114A1 Novel method for copper wafer wire bonding_+++B_G_a_f_i+++.docx

对比文件的名称:2006-08-03_US2006170114A_发明申请_US20060170114A1 Novel method for copper wafer wire bonding

目标专利的名称:1295利用导体接触器件CN102150294B

本次调用的模型名称:AI模型

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:该器件(1)包括具有至少一个单元(3)、接触区(4)和封装(5)的衬底(2)《隐含公开》[0017]“铜焊盘4形成在基底材料2上。基底材料2可以是半导体、金属或晶圆中形成的任何其他材料。钝化层6形成有开口5以暴露铜焊盘4。” [0002]“对半导体芯片进行电连接”。对比文件明确公开了衬底(基底材料)、接触区(铜焊盘)和封装(钝化层)。虽然未明确提及“单元”,但本领域技术人员知晓半导体芯片通常包含集成电路单元,且背景提及“半导体芯片”,因此可以合理推断器件包含至少一个单元。故该特征被隐含公开。
技术特征B:所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《直接公开》[0017]“在一个实施例中,钝化层6是通过低压化学气相沉积(LPCVD)或等离子体增强CVD(PECVD)沉积的氮化硅。”对比文件明确公开钝化层为氮化硅薄膜,属于目标专利所列材料之一,故直接公开。
技术特征C:其中所述封装(5)封装至少接触区(4)(未公开)[0017]“钝化层6形成有开口5以暴露铜焊盘4。”对比文件中的钝化层具有开口,并未覆盖接触区,而是暴露接触区,与特征C要求相反,故未公开。
技术特征D:将导体(6)设置在封装(5)上(未公开)[0027]“图3示出了导电丝10键合到铜焊盘4。...金丝穿透Ni-Cu-P合金层8并键合到铜焊盘4。”对比文件中的导体(金丝)是直接键合在接触区上,通过钝化层开口,并未设置在钝化层上,故未公开。
技术特征E:在不事先移除导体(6)与接触区(4)之间的封装(5)的情况下将导体(6)与接触区(4)互连(未公开)[0017]“钝化层6形成有开口5以暴露铜焊盘4。” [0027]“金丝穿透Ni-Cu-P合金层8并键合到铜焊盘4。”对比文件中导体与接触区之间不存在封装(因为接触区暴露),因此不存在“不事先移除封装”的情况,故未公开。
技术特征F:其中将导体(6)与接触区(4)互连包括超声焊接《隐含公开》[0027]“图3示出了导电丝10键合到铜焊盘4。器件12是键合工具。” 未明确提及超声焊接。对比文件未明确记载超声焊接,但本领域公知,金线键合通常采用热超声键合技术,利用超声能量实现连接。因此,本领域技术人员可以合理推断对比文件中的键合步骤包括超声焊接,故隐含公开。
技术特征G:其中所述导体(6)包括金属线《直接公开》[0027]“导电丝10包含金。”对比文件明确公开导体为金丝(金属线),故直接公开。
技术特征H:其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银(未公开)[0027]“导电丝10包含金。” 未提及扁平或铜铝银。对比文件中的金属线为金线,未描述为扁平,也不包含铜、铝、银,故未公开。
技术特征I:其中所述接触区(4)用作用于所述单元(3)的电极《隐含公开》[0002]“对半导体芯片进行电连接”;[0017]“铜焊盘4形成在基底材料2上”;[0027]“金丝键合到铜焊盘4”。对比文件中的铜焊盘作为接触区,其功能是提供与芯片内部电路(单元)的电连接,即用作电极。虽然未明确提及“单元”,但本领域技术人员可以理解焊盘用于连接芯片内的功能单元,故隐含公开。
技术特征J:其中所述封装(5)封装至少所述接触区(4)和所述至少一个单元(3)(未公开)[0017]“钝化层6形成有开口5以暴露铜焊盘4。”对比文件中封装(钝化层)并未封装接触区,而是暴露接触区,且单元未明确,故未公开。
技术特征K:其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间(未公开)对比文件未记载超声焊接频率。对比文件未提及超声焊接的任何具体工作频率,故未公开。
技术特征L:其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间(未公开)同上。对比文件未记载超声焊接频率,更未提及30-40kHz的范围,故未公开。
技术特征M:其中所述超声焊接工作于35kHz(未公开)同上。对比文件未记载超声焊接频率,更未提及35kHz,故未公开。
技术特征N:一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED(1)(未公开)对比文件全文未涉及OLED。对比文件的技术领域为半导体芯片封装,不涉及OLED器件,也未公开任何OLED相关结构或方法,故未公开。

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