对比文件的名称：2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法
目标专利的名称：1304带有发光二极管的照明系统CN100576588C
本次调用的模型名称：基于深度思考的评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：至少一个发光二极管芯片《直接公开》 | 对比文件第1实施形态：“GaN系LED素子2”（GaN系LED元件2） | 对比文件明确记载了发光二极管芯片（GaN系LED素子），因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：每个发光二极管芯片包括设置有用来发光的发光层(1)的LED衬底(2)《直接公开》 | 对比文件第1实施形态：“GaN系LED素子2は、図１（ｂ）に示されるようにサファイア（Al2O3）からなる基板20の表面に、バッファ層21、n型層22、発光する層を含む層23、p型層24を順次結晶成長させることによって形成されており”（GaN系LED元件2如图1(b)所示，在由蓝宝石（Al2O3）构成的基板20表面，依次晶体生长缓冲层21、n型层22、包含发光层的层23、p型层24而形成） | 对比文件公开了LED芯片具有基板（衬底）和包含发光层的层，因此直接公开了技术特征B。 |
| 技术特征C：所述至少一个发光二极管芯片排列在光学衬底(10)上《隐含公开》 | 对比文件第1实施形态：“GaN系LED素子2を搭載するガラス含有Al2O3基板3”（搭载GaN系LED元件2的玻璃陶瓷Al2O3基板3） | 对比文件公开了将发光二极管芯片搭载在基板（玻璃陶瓷基板）上，该基板可视为光学衬底的一种形式，但未明确其光学特性。本领域技术人员可以合理推断芯片排列在光学衬底上，故隐含公开。 |
| 技术特征D：所述至少一个发光二极管芯片的发光层(1)面对光学衬底(10)《直接公开》 | 对比文件第1实施形态：“フリップチップ型のGaN系LED素子2”（倒装芯片型的GaN系LED元件2） | 对比文件公开了倒装芯片结构，在倒装芯片中，发光层自然面对基板（即光学衬底），因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述至少一个发光二极管芯片发出的光经由光学衬底(10)的出光窗口(11)发出，该出光窗口(11)背向发光层(1)《未公开》 | 对比文件第1实施形态：光通过玻璃封止部（6）出射，而非通过基板（光学衬底）。 | 对比文件未公开光经由光学衬底的出光窗口发出，且光学衬底（基板）不用于光出射，故不公开。 |
| 技术特征F：光学衬底(10)包括散热装置《隐含公开》 | 对比文件第8实施形态：“GaN系LED素子2を搭載するAlN基板3”（搭载GaN系LED元件2的AlN基板3） | 对比文件公开了使用AlN基板，AlN具有高导热性，可作为散热装置。由于基板可视为光学衬底，故隐含公开光学衬底包括散热装置。 |
| 技术特征G：光学衬底(10)包括半透明多晶陶瓷材料《隐含公开》 | 对比文件第1实施形态：“ガラス含有Al2O3基板3”（玻璃陶瓷Al2O3基板3） | 对比文件公开了多晶陶瓷材料（玻璃陶瓷Al2O3），虽然未明确半透明性，但本领域技术人员知晓多晶氧化铝可具有半透明性，故可合理推断光学衬底包括半透明多晶陶瓷材料，隐含公开。 |
| 技术特征H：该半透明多晶陶瓷材料作为散热装置《隐含公开》 | 同上，玻璃陶瓷Al2O3基板具有散热作用。 | 对比文件公开了多晶陶瓷基板具有散热功能，结合特征G，隐含公开半透明多晶陶瓷材料作为散热装置。 |
| 技术特征I：该半透明多晶陶瓷材料对于由发光二极管芯片发出的光是半透明的《未公开》 | 对比文件未明确基板的半透明性。 | 对比文件未公开该材料对LED光具有半透明性，故不公开。 |
| 技术特征J：其中半透明多晶陶瓷材料选自包括钇铝石榴石、多晶氧化铝和氮化铝的组《隐含公开》 | 对比文件公开了多晶氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）作为基板材料（如玻璃陶瓷基板、AlN基板），但未公开钇铝石榴石（YAG）作为基板材料。 | 对比文件部分公开了该组中的两种材料，根据宽松的隐含标准，本领域技术人员可合理推断该组材料被公开，但需注意YAG仅作为荧光体出现，未作为衬底。故隐含公开。 |
| 技术特征K：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧上的金属化层(16)《直接公开》 | 对比文件第5实施形态：“銅箔からなる放熱パターン17”（由铜箔构成的散热图案17）以及基板背面电路图案。 | 对比文件直接公开了在基板背面设置金属化层（如散热图案）作为散热装置，故直接公开。 |
| 技术特征L：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧的散热器(17)《直接公开》 | 同上，放熱パターン17即为散热器。 | 对比文件直接公开了散热器，故直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述至少一个发光二极管芯片被嵌入进光学衬底(10)中《未公开》 | 对比文件中芯片被玻璃封止部覆盖，但未嵌入基板。 | 对比文件未公开芯片嵌入光学衬底，故不公开。 |
| 技术特征N：其中光学衬底(10)包括：-用于将由发光二极管芯片发出的光的至少一部分转换成不同颜色的光的发光材料《未公开》 | 对比文件第4实施形态第2变形例：荧光体层15设置在玻璃封止部表面或芯片周围，但不在光学衬底中。 | 对比文件未公开光学衬底中包含发光材料，故不公开。 |
| 技术特征O：和/或-等于发光二极管芯片的折射率的折射率《未公开》 | 对比文件第6实施形态：玻璃封止部（6）折射率接近LED，但光学衬底未提及。 | 对比文件未公开光学衬底具有等于LED芯片的折射率，故不公开。 |
| 技术特征P：和/或-选自包括微透镜和衍射图案的组的光学结构《未公开》 | 对比文件第6实施形态：玻璃封止部（6）有透镜形状（光学形状面6D），但光学衬底无。 | 对比文件未公开光学衬底上具有微透镜或衍射图案，故不公开。 |
| 技术特征Q：其中金属连接(23)设置在光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧《直接公开》 | 对比文件第5实施形态：底面回路パターン16A、16C（底面电路图案16A、16C）等。 | 对比文件直接公开了在光学衬底背向出光窗口的一侧设置金属连接，故直接公开。 |
| 技术特征R：该金属连接(23)给所述至少一个发光二极管芯片供电《直接公开》 | 对比文件第5实施形态：通过スルーホール和回路パターン给LED素子供电。 | 对比文件直接公开了金属连接用于给LED芯片供电，故直接公开。 |
| 技术特征S：其中光键合装置(12)设置在所述至少一个发光二极管芯片和光学衬底(10)之间《未公开》 | 对比文件第1实施形态：芯片与基板之间通过Auスタッドバンプ（Au凸点）电连接，未提及光键合。 | 对比文件未公开光键合装置，故不公开。 |
| 技术特征T：其中至少一个发光二极管芯片在标称功率下驱动时，辐射功率输出至少为100mW《未公开》 | 对比文件未提及具体辐射功率值。 | 对比文件未公开该功率指标，故不公开。 |
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