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对比文件列表
1985-06-18_US4523471A_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++B_C_G_H_z+++.docx
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1988-06-01_EP0150634B_发明授权_EP0150634B1 Sonde pour l'échographie ultrasonore comportant une mosaique d'éléments définissant une surface convexe_+++B_C_I_a_d_f_z+++.docx
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1991-10-17_DE3940808C_发明专利_DE3940808C2_+++A_J_K_L_M_N_O_P_b_c_z+++.docx
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1998-06-18_DE19753508A_发明专利_DE19753508A1 Ultrasonic image generation system architecture using probe with switched transducer elements_+++B_C_i_z+++.docx
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1998-11-10_US5832923A_发明授权_US5832923A Utrasound imaging system architecture employing switched transducer elements_+++B_C_e_z+++.docx
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2002-05-07_US6383141B_发明授权_US06383141B1 Ultrasound transducer_+++A_B_C_F_G_I_K_N_Q_R_Z_d_e_h+++.docx
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2004-05-18_US6736779B_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++B_C_U_Z_a_g_i_q_r_s_t_w_x_y+++.docx
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2005-01-31_KR1020050012126A_发明公开_KR1020050012126A 압전진동장치_+++B_C_z+++.docx
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2005-04-07_US2005075572A_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_C_Z+++.docx
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2005-07-07_US2005146247A_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_C_Z_i+++.docx
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2006-05-19_KR1020060050707A_发明公开_KR1020060050707A 모자이크 센서 어레이의 스캐닝 장치_+++B_C_J_K_L_a_d_g_z+++.docx
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2008-05-08_CA2667751A_发明专利_CA2667751A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_Z+++.docx
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2008-05-08_WO2008054395A_发明申请_WO2008054395A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_z+++.docx
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2008-05-29_US2008122317A_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++c_g_q_r_s_t_u_z+++.docx
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2008-10-23_US2008258580A_发明申请_US20080258580A1 Reliability Improvement For Piezoelectric Imaging Array Device_+++B_C_Z+++.docx
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2009-02-05_CA2684788A_发明专利_CA2684788A1 RELIABILITY IMPROVEMENT FOR PIEZOELECTRIC IMAGING ARRAY DEVICE_+++b_c_z+++.docx
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2009-02-05_WO2009017853A_发明申请_WO2009017853A2 RELIABILITY IMPROVEMENT FOR PIEZOELECTRIC IMAGING ARRAY DEVICE_+++B_Z_c+++.docx
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2009-07-08_EP2076180A_发明公开_EP2076180A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_Z+++.docx
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2009-08-13_US2009204001A_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_C_Z+++.docx
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2009-08-14_KR1020090087022A_发明公开_KR1020090087022A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브_+++B_C_z+++.docx
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2010-03-03_CN101662989A_发明公开_CN101662989A 使用挠曲模式压电换能器的增强的超声成像探头_+++B_c_z+++.docx
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2010-04-29_US2010106431A_发明申请_US20100106431A1 APPARATUS AND METHOD FOR ULTRASONIC TESTING_+++B_C_G_I_Q_R_Z_a_d_e_f_h+++.docx
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2010-07-01_US2010168583A_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_Z+++.docx
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2011-09-08_US2011215150A_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer_+++B_C_Z+++.docx
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2012-02-22_JP4879430B_发明专利_JP4879430B2 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic apparatus using the same_+++B_C_a_i_z+++.docx
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2012-04-18_CN1766672B_发明授权_CN1766672B 控制马赛克式传感器阵列扫描的方法与装置_+++B_C_a_b_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s_t_u_v_w_x_y_z+++.docx
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2012-06-19_US8203912B_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++B_C_z+++.docx
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2012-08-16_JP2012152319A_发明专利_JP2012152319A Ultrasonic sensor and electronic appliance_+++B_C_D_E_G_H_a_f_i_j_k_l_q_r_s_t_u_z+++.docx
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2012-08-16_US2012206014A_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++B_C_D_I_U_W_X_Y_Z_e+++.docx
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2013-01-31_AU2006350241B_发明专利_AU2006350241B2 Enhanced ultrasound imaging probes using flexure mode piezoelectric transducers_+++B_C_D_E_Z_f_h_i+++.docx
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2013-02-07_KR1020130014618A_发明公开_KR1020130014618A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브_+++B_C_Z+++.docx
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2013-02-07_KR1020130014619A_发明公开_KR1020130014619A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브_+++B_C_Z+++.docx
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2013-06-05_JP5204116B_发明专利_JP5204116B2 Enhanced ultrasound probe used piezoelectric transducer flexure mode_+++B_C_U_Z+++.docx
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2013-10-03_US2013258805A_发明申请_US20130258805A1 METHODS AND SYSTEMS FOR PRODUCING COMPOUNDED ULTRASOUND IMAGES_+++B_C_z+++.docx
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2013-10-31_US2013286778A_发明申请_US20130286778A1 REFLECTIVE ECHO TOMOGRAPHIC IMAGING USING ACOUSTIC BEAMS_+++B_C_a_d_i_z+++.docx
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2014-07-17_WO2014108960A_发明申请_WO2014108960A1 IN-PIXEL ULTRASONIC TOUCH SENSOR FOR DISPLAY APPLICATIONS_+++B_C_Z_g_h+++.docx
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2014-08-28_US2014243676A_发明申请_US20140243676A1 DELTA DELAY APPROACH FOR ULTRASOUND BEAMFORMING ON AN ASIC_+++B_C_e_f_z+++.docx
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2014-09-10_GB2511556A_发明专利_GB2511556A Ultrasound imaging_+++B_C_F_a_d_e_g_h_i_z+++.docx
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US2004267134A1_Description_20260309_2007_+++B_C_D_z+++.docx
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2009-02-05_CA2684788A_发明专利_CA2684788A1 RELIABILITY IMPROVEMENT FOR PIEZOELECTRIC IMAGING ARRAY DEVICE_+++b_c_z+++.docx

对比文件名称:2009-02-05_CA2684788A_发明专利_CA2684788A1 RELIABILITY IMPROVEMENT FOR PIEZOELECTRIC IMAGING ARRAY DEVICE

目标专利名称:用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:《未公开》**<br>压电超声换能器元件阵列,所述阵列包含多个超像素区,每一超像素区包含至少两个像素组,所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中,且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中。对比文件描述了“an array of acoustic waveguides and a piezoelectric array device”(摘要及“Further Description”部分)以及“piezoelectric acoustic detector array 13”(图3及相应描述)。未提及“超像素区”(superpixel area)或对阵列像素进行分组的概念。目标专利的核心创新点在于将换能器阵列划分为多个“超像素区”,每个超像素区又进一步划分为中心和外部的像素组,这是实现选择性平面波发射和聚焦波束发射两种模式的基础结构。对比文件仅公开了一个整体的压电阵列(13),用于发射和接收超声波,但完全没有提及或暗示任何将阵列划分为具有内部中心像素组和外部像素组的重复性子单元(即超像素)的结构。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**技术特征B:《隐含公开》**<br>收发器电子装置。“The computer may have software running thereon which interprets the signals and provides an image of the biological object on a monitor.”(摘要及“Further Description”部分)目标专利中的“收发器电子装置”用于控制阵列的操作模式(第一模式和第二模式),并发射驱动信号。对比文件中提到“computer”接收来自压电阵列的信号并处理以生成图像。本领域技术人员可以毫无疑义地理解,该计算机必然包含或连接有能够控制压电阵列发射超声波并接收其输出信号的电子电路,即收发器电子装置。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**技术特征C:《隐含公开》**<br>和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合。“The detector array 13 may also produce acoustic waves...”(“Further Description”部分)以及输出信号被提供给计算机的描述。目标专利中,电耦合是实现收发器电子装置对阵列进行驱动的物理连接。对比文件明确指出压电阵列(13)能够产生声波(即需要被驱动),并且其输出信号被提供给计算机。本领域技术人员可以合理推断,为了实现驱动和信号读取功能,在压电阵列和计算机(或其关联的控制电路)之间必然存在电连接。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**技术特征D:《未公开》**<br>其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列。对比文件仅描述了压电阵列用于产生超声波并接收反射波以进行成像(参见摘要及“Further Description”部分),未提及任何可选择的、具有不同声场特性(如平面波与聚焦波束)的操作模式。目标专利的关键在于收发器电子装置能够选择性地以两种不同模式操作阵列:产生平面波的第一模式和产生高声压聚焦波束的第二模式。对比文件仅公开了单一的成像操作方式,即发射超声波并接收其反射信号,没有公开或暗示存在可切换的、产生不同波束形状和声压的特定操作模式。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征E:《未公开》**<br>在所述第一模式中,所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波。对比文件未描述阵列产生“基本上平面超声波”的模式或技术。目标专利的第一模式是通过同时激励所有像素组来产生平面超声波。对比文件未提及任何关于控制阵列各元件发射的相位或时序以形成特定波前(如平面波)的技术,也未提及“平面超声波”这一概念。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征F:《未公开》**<br>且在所述第二模式中,所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束,所述第二声压显著高于所述第一声压。对比文件未描述阵列产生“经聚焦波束”的模式或技术,也未提及通过控制不同像素组的发射时序来实现聚焦,更未比较不同模式下的声压。目标专利的第二模式是通过对超像素区内不同组的像素施加不同的时间延迟,从而实现波束聚焦并产生更高的声压。对比文件完全没有涉及波束成形、聚焦、像素分组驱动或声压增强等技术内容。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征G:《未公开》**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径,以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径,所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。对比文件未提及将阵列像素划分为不同的组,也未提及连接不同像素组到不同驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。该特征是实现对超像素区内不同像素组进行独立、分组驱动的具体硬件连接方式。对比文件仅公开了一个整体的压电阵列,没有公开任何关于其内部像素分组以及为不同组设置独立驱动路径和端子的内容。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征H:《未公开》**<br>其中:在所述第一模式中,所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者。对比文件未提及“第一模式”、“同时发射信号”到不同驱动输入端子的操作。该特征是第一模式(平面波模式)下的具体驱动时序。由于对比文件既未公开像素分组(特征A),也未公开独立的驱动路径和端子(特征G),因此更不可能公开基于此分组和端子的特定同时驱动时序。该特征依赖于前述未被公开的特征,因此其本身也未被公开。
**技术特征I:《未公开》**<br>且在所述第二模式中,所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者,使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。对比文件未提及“第二模式”、“依序发射信号”到不同驱动输入端子或“时间延迟”的操作。该特征是第二模式(聚焦波束模式)下的具体驱动时序,通过在不同像素组间引入时间延迟来实现波束聚焦。由于对比文件未公开像素分组、独立驱动路径以及可选择的操作模式,因此不可能公开这种用于波束成形的特定依序驱动时序。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征J:《未公开》**<br>其中:所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素。对比文件未描述阵列像素的任何特定几何排列,如“六方晶格”、“六边形”或由七个像素组成的特定结构。目标专利具体限定了超像素区的一种优选实施形态(七个像素的六边形)。对比文件仅一般性地提及“piezoelectric array device”,并未对其内部像素的排布方式进行任何具体描述,更未公开这种具有特定几何形状和像素数量的子单元结构。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征K:《未公开》**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素。对比文件未提及像素分组,也未提及“中心像素”。该特征是对特征J中所述具体超像素结构的进一步限定。由于对比文件未公开该超像素结构(特征J),因此自然也未公开其内部包含一个中心像素的第一像素组。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征L:《未公开》**<br>且所述第二像素组包含六个像素,所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。对比文件未提及像素分组,也未提及像素之间特定的距离关系。该特征是对特征J中所述具体超像素结构的进一步限定,描述了第二像素组的构成和空间位置关系。由于对比文件未公开该超像素结构(特征J)及其像素分组,因此也未公开这种特定的距离关系。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征M:《未公开》**<br>其进一步包含第三像素组和第四像素组,其中:所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素。对比文件未描述阵列像素的任何特定几何排列,也未提及“十九个像素”的超像素结构或“第三像素组和第四像素组”。目标专利具体限定了超像素区的另一种实施形态(十九个像素的六边形,包含四个像素组)。对比文件完全没有涉及此类具体的阵列子单元划分和分组方式。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征N:《未公开》**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素。对比文件未提及像素分组,也未提及“中心像素”。该特征是对特征M中所述具体超像素结构的进一步限定。由于对比文件未公开该超像素结构(特征M),因此也未公开其内部包含一个中心像素的第一像素组。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征O:《未公开》**<br>所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素。对比文件未提及像素分组,也未提及像素之间特定的距离关系。该特征是对特征M中所述具体超像素结构的进一步限定。由于对比文件未公开该超像素结构(特征M)及其像素分组,因此也未公开第二像素组的这种特定构成和距离关系。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征P:《未公开》**<br>且所述第三像素组包含六个像素,所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处,且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。对比文件未提及像素分组,也未提及不同组像素之间相对中心像素的距离层级关系。该特征是对特征M中所述具体超像素结构的进一步限定,详细描述了第三像素组相对于第二和第四像素组的位置关系。由于对比文件未公开该超像素结构(特征M)及其多层像素分组,因此也未公开这种复杂的相对距离关系。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征Q:《未公开》**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含:第一经固定配置的导电路径,其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子。对比文件未提及将特定像素组连接到特定驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。该特征是针对包含四个像素组的超像素结构(特征M)的具体驱动连接方式之一。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M),也未公开任何分组驱动路径,因此该连接第一像素组的具体路径特征也未被公开。
**技术特征R:《未公开》**<br>第二经固定配置的导电路径,其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子。对比文件未提及将特定像素组连接到特定驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。该特征是针对包含四个像素组的超像素结构(特征M)的具体驱动连接方式之一。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M),也未公开任何分组驱动路径,因此该连接第二像素组的具体路径特征也未被公开。
**技术特征S:《未公开》**<br>第三经固定配置的导电路径,其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子。对比文件未提及将特定像素组连接到特定驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。该特征是针对包含四个像素组的超像素结构(特征M)的具体驱动连接方式之一。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M),也未公开任何分组驱动路径,因此该连接第三像素组的具体路径特征也未被公开。
**技术特征T:《未公开》**<br>第四经固定配置的导电路径,其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子。对比文件未提及将特定像素组连接到特定驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。该特征是针对包含四个像素组的超像素结构(特征M)的具体驱动连接方式之一。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M),也未公开任何分组驱动路径,因此该连接第四像素组的具体路径特征也未被公开。
**技术特征U:《未公开》**<br>且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。对比文件未提及“第一驱动输入端子”、“第二驱动输入”、“第三驱动输入”和“第四驱动输入”。该特征限定了多个驱动输入端子均与收发器电子装置耦合。由于对比文件未公开任何分组驱动的结构,因此也未公开这些具体的驱动输入端子的存在及其与收发器的连接关系。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征V:《未公开》**<br>其中:在所述第一模式中,所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者。对比文件未提及“第一模式”,也未提及同时向多个驱动输入端子发射信号的操作。该特征是第一模式(平面波模式)在具有四个像素组的超像素结构下的具体驱动时序。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M)、独立的驱动路径和端子(特征Q-T)以及可选择的操作模式(特征D),因此不可能公开这种具体的多端子同时驱动时序。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征W:《未公开》**<br>且在所述第二模式中,所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者,使得:在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟。对比文件未提及“第二模式”,也未提及依序向多个驱动输入端子发射信号并引入时间延迟的操作。该特征是第二模式(聚焦波束模式)在具有四个像素组的超像素结构下的具体驱动时序。由于对比文件未公开像素分组(特征A、M)、独立的驱动路径和端子(特征Q-T)以及可选择的操作模式(特征D),因此不可能公开这种用于波束成形的、具有特定延迟顺序的多端子依序驱动时序。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征X:《未公开》**<br>在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟。对比文件未提及依序向多个驱动输入端子发射信号并引入时间延迟的操作。该特征是特征W中描述的依序驱动时序的一部分。由于对比文件未公开该依序驱动时序的前提特征,因此该具体的时间延迟步骤也未被公开。
**技术特征Y:《未公开》**<br>且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。对比文件未提及依序向多个驱动输入端子发射信号并引入时间延迟的操作。该特征是特征W中描述的依序驱动时序的一部分。由于对比文件未公开该依序驱动时序的前提特征,因此该具体的时间延迟步骤也未被公开。
**技术特征Z:《隐含公开》**<br>其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质,其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。“The waveguide array 16 may serve as a platen on which the biological object is placed during scanning.”(摘要)<br>“An acoustic coupling media may be disposed between the waveguide array and the piezoelectric array in order to facilitate transmission of the acoustic energy traveling between the waveguide array and the piezoelectric array.”(摘要)<br>“...an acoustic coupling media 37 may be placed between the waveguide array 16 and the piezoelectric array 13 so as to facilitate transmission of the acoustic energy.”(“Further Description”部分)目标专利的台板(platen)和声学耦合介质用于放置待成像对象(如手指)并耦合声波。对比文件明确公开了波导阵列(16)可以充当放置生物对象的台板(platen),并且在波导阵列(16)和压电阵列(13)之间设置了声学耦合介质(37)以促进声能传输。虽然对比文件的耦合介质位于波导阵列与压电阵列之间,而目标专利的耦合介质位于阵列与台板之间,但两者在功能上都是作为声学耦合层,以确保超声波的有效传输。本领域技术人员可以理解,为了实现超声波从换能器阵列到被成像对象的有效传递,设置台板和耦合介质是常规技术手段。因此,该特征被对比文件隐含公开。

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