对比文件名称：2013-02-07_KR1020130014618A_发明公开_KR1020130014618A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브
目标专利名称：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
模型名称：本次评估由资深专利代理师执行。
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件第[0042]段：“pMUT 어레이의 소자는 또한 종래의 트랜스듀서 어레이 및 cMUT보다 더 높은 커패시턴스(100 내지 1,000 pF 정도)를 가져서, 더 낮은 소스 임피던스 및 케이블링 및 전자 기기에 대한 더 양호한 임피던스를 생성한다.” (pMUT阵列的元件也具有比传统换能器阵列和cMUT更高的电容（约100至1000 pF），从而产生更低的源阻抗以及对布线和电子设备更好的阻抗。)<br>图2-3展示pMUT元件阵列。 | **论述**：对比文件公开了压电超声换能器（pMUT）元件阵列（图2-3），但其描述集中于阵列的整体性能（如电容、阻抗），并未揭示将阵列划分为多个“超像素区”的结构。目标专利中定义的“超像素区”是一个特定的功能性划分，每个超像素区包含至少两个在空间上明确分组的像素组（中心部分和外部部分），用于实现不同的波束成形模式。对比文件的阵列可能由多个独立元件构成，但本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或必然推断出其阵列被组织成具有“中心部分”和“外部部分”的“超像素区”这一特定技术方案。因此，该技术特征未被对比文件直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置<br>**判断结果：《直接公开》** | 对比文件第[0046]段：“반도체 디바이스(44)는 플립-칩 패키지 조립체, 트랜지스터, 커패시터, 마이크로프로세서, 임의 접근 메모리, 다중화기, 전압/전류 증폭기, 고전압 드라이버 등과 같은 광범위한 전자 디바이스를 포함하는 당 기술 분야에 공지되어 있는 임의의 반도체 디바이스일 수 있다.” (半导体设备（44）可以是本领域已知的包括广泛电子设备的任何半导体设备，例如倒装芯片封装组件、晶体管、电容器、微处理器、随机存取存储器、多路复用器、电压/电流放大器、高压驱动器等。)<br>第[0083]段：“제어 회로” (控制电路) | **论述**：对比文件明确公开了与pMUT阵列集成或连接的半导体设备/控制电路，其包含微处理器、多路复用器、放大器、高压驱动器等电子装置。这些电子装置用于驱动换能器阵列和/或处理接收信号，其功能与目标专利中的“收发器电子装置”相同，即控制阵列的操作并处理信号。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“收发器电子装置”这一技术特征。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**判断结果：《直接公开》** | 对比文件第[0047]段：“웨이퍼-관통 상호 접속부(42)의 형성의 장점은, 전기적 접속이 상호 접속부(42)에 의해 직접 제공되기 때문에, 개별 와이어, 가요성 케이블 등이 멤브레인(35)과 반도체 디바이스(44) 사이에 전기적인 신호 전송 및 수신을 수행하도록 요구되지 않는다는 것이다.” (形成晶圆穿透互连部（42）的优点在于，由于电连接由互连部（42）直接提供，因此不需要单独的导线、柔性电缆等在膜（35）和半导体设备（44）之间执行电信号传输和接收。)<br>图2-3展示了通过焊料凸块（46）或环氧树脂层（56）将pMUT设备结构（80, 10）连接到半导体设备（44）。 | **论述**：对比文件详细描述了pMUT阵列（膜35/元件22）与半导体设备（控制电路/收发器电子装置）之间的电连接。具体公开了通过晶圆穿透互连部（42）、焊料凸块（46）或金属触点（54）等方式实现直接的电耦合，用于信号传输和接收。这完全对应于目标专利中“收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合”这一特征。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及或暗示存在两种可选择的操作模式，特别是目标专利所定义的用于产生平面波和聚焦波束的两种模式。 | **论述**：对比文件主要关注通过施加DC偏压或高压传输信号来增强接收信号灵敏度的方法（例如第[0030]-[0038]段），并未描述或暗示收发器电子装置被配置为在两种不同的、用户可选择的波束生成模式（第一模式：平面波；第二模式：聚焦波束）下操作阵列。目标专利的两种模式是实现不同成像功能（如表面成像与皮下成像）的核心。本领域技术人员无法从对比文件中直接得出或合理推断出这种特定的双模式可配置操作。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“平面超声波”的产生或“第一模式”下的平面波操作。 | **论述**：目标专利的第一模式涉及阵列产生基本上平面的超声波，适用于例如指纹成像。对比文件虽然描述了pMUT阵列可以发射超声波（例如第[0033]段），但未提及任何关于产生“平面波”的具体操作模式或方法。本领域技术人员无法从对比文件内容中得出阵列被配置为产生平面波的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“超像素区”、“经聚焦波束”或通过控制阵列不同部分的时间延迟来实现波束聚焦以产生更高声压的模式。 | **论述**：目标专利的第二模式是通过对超像素区内不同像素组施加时序延迟来产生聚焦波束，从而获得显著更高的声压。对比文件完全没有涉及“超像素区”的概念，也未描述任何通过控制阵列内不同元件组的发射时序来实现波束聚焦、从而获得更高声压的技术方案。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件中隐含推导出来。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及将像素划分为“第一像素组”和“第二像素组”，也未提及连接这些组到不同驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。 | **论述**：该特征依赖于目标专利中超像素和像素组的划分。由于对比文件未公开超像素区及像素组（特征A），因此也不可能公开将这些特定组连接到不同驱动输入端子的具体导电路径配置。对比文件描述了每个pMUT元件可能有独立的电极和互连（如图2），但这与将像素按空间位置分组并固定连接到不同驱动端子以实现特定波束成形模式的结构不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“第一模式”或“同时发射信号到第一驱动输入端子和第二驱动输入端子”的操作。 | **论述**：该特征是关于在第一（平面波）模式下对超像素内不同像素组的驱动方式。由于对比文件未公开超像素、像素组、两种操作模式以及相应的驱动输入端子，因此不可能公开在这种特定模式下同时向不同驱动端子发射信号的操作。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“第二模式”或通过依序发射信号并引入时间延迟来实现波束聚焦的操作。 | **论述**：该特征是关于在第二（聚焦波束）模式下，通过向不同像素组依序施加具有时间延迟的驱动信号来实现波束成形。对比文件完全没有涉及此类操作模式或方法。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“超像素区”或由七个像素以六边形方式排列在六方晶格上的具体结构。 | **论述**：目标专利中限定了超像素区的一种具体几何排布（七个像素形成六边形）。对比文件中的pMUT阵列可能具有某种晶格排列，但并未公开将特定数量的像素分组为一个功能单元（超像素），并按照“六边形”形状进行排布。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“第一像素组”或“中心像素”。 | **论述**：该特征依赖于特征J（七个像素的六边形超像素）的存在。由于对比文件未公开该超像素结构，因此也不可能公开其中包含一个中心像素的第一像素组。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及“第二像素组”或像素相对于中心像素的等距环形排列。 | **论述**：同上，该特征依赖于特定的超像素结构。对比文件未公开任何关于像素分组以及外部像素围绕中心像素等距排列的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及包含十九个像素的超像素区或第三、第四像素组。 | **论述**：这是超像素的另一种更复杂的配置。对比文件完全没有涉及此类多圈像素组的超像素结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断结果：未公开** | 同特征K。 | **论述**：同特征K。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**判断结果：未公开** | 同特征L。 | **论述**：同特征L。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及具有不同径向距离的多圈像素组。 | **论述**：该特征描述了超像素中像素组的同心圆环式排布。对比文件未公开任何类似的阵列像素空间组织方式。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**判断结果：未公开** | 同特征G。 | **论述**：该特征是多组超像素配置下的具体电连接。由于对比文件未公开超像素及像素组，因此也不可能公开连接这些特定组到对应驱动端子的导电路径。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**判断结果：未公开** | 同特征G。 | **论述**：同特征G、Q。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**判断结果：未公开** | 同特征G。 | **论述**：同特征G、Q。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**判断结果：未公开** | 同特征G。 | **论述**：同特征G、Q。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断结果：未公开** | 对比文件未提及多个分别对应于不同像素组的驱动输入端子。 | **论述**：该特征依赖于多组像素和对应驱动端子结构的存在。对比文件未公开此结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**判断结果：未公开** | 同特征H。 | **论述**：该特征是多组配置下的第一模式操作。由于对比文件未公开相关模式、像素组及驱动端子，故未公开此操作。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**判断结果：未公开** | 同特征I。 | **论述**：该特征是多组配置下的第二模式操作。由于对比文件未公开相关模式、像素组、驱动端子及依序延迟驱动，故未公开此操作。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**判断结果：未公开** | 同特征I、W。 | **论述**：同特征I、W。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**判断结果：未公开** | 同特征I、W。 | **论述**：同特征I、W。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**判断结果：《直接公开》** | 对比文件第[0039]段：“음향 임피던스 정합층 또는 코팅(미도시)이 테이블(1190a)의 외부 표면 상에 배치될 수 있다. 테이블(1190a)은 외부 표면 상에 코팅(미도시)을 포함할 수 있다.” (声阻抗匹配层或涂层（未示出）可以设置在台板（1190a）的外表面上。台板（1190a）可以包括外表面上的涂层（未示出）。)<br>第[0039]段：“음향 결합 매체(1165)(예를 들어, 접착제, 글루, 유연한 층 또는 다른 음향 결합 재료)가 센서 어레이 기판(1160) 상에 배치된 PMUT 센서 소자(1162) 어레이와 테이블(1190a) 사이의 결합을 개선하기 위해 제공될 수 있다.” (可以提供声学耦合介质（1165）（例如粘合剂、胶水、柔性层或其他声学耦合材料）以改善设置在传感器阵列衬底（1160）上的PMUT传感器元件（1162）阵列与台板（1190a）之间的耦合。)<br>图1B-1D明确示出了台板（1190a, 1190b, 1190c）和声学耦合介质（1165, 1165a, 1165b）。 | **论述**：对比文件明确公开了在超声传感器阵列（包含pMUT）上方设置台板（例如盖玻璃）以及用于改善声学耦合的声学耦合介质（如粘合剂）。如图1B-1D所示，阵列被配置为通过台板和耦合介质发射和接收超声信号。这与目标专利的技术特征Z完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征。 |
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