对比文件名称：2012-02-23_WO2012023129A_发明申请_WO2012023129A1 ELECTROMAGNETIC ENERGY APPLICATOR FOR PERSONAL AESTHETIC SKIN TREATMENT
目标专利名称：1357具有处理设定限定器的使用RF电流的非侵入性皮肤处理装置CN107530544B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，标段落号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间，用于加热所述内部区域(15)【直接公开】 | [027]：“装置100旨在用于个人美容皮肤处理，并且在操作中，它加热与电极接触以及在操作电极之间的皮肤区段和/或体积。” [032]：“在RF电极下方存在高阻抗……与返回电极的回程路径中的低阻抗串联。” | 对比文件明确RF电流通过电极施加于皮肤，加热电极之间的皮肤区域，与目标专利中RF处理信号在电极之间加热内部区域的作用完全相同。 |
| 技术特征B：阻抗测量电路(35)【直接公开】 | [027]：“多个传感器或感测机构，例如电极‑皮肤接触质量检测机构136。” [043]：“通过监测电极之间的皮肤阻抗来评估电极与皮肤之间的接触质量。” | 对比文件公开了用于测量皮肤阻抗的机构（136），该机构构成阻抗测量电路，功能与目标专利的阻抗测量电路一致。 |
| 技术特征C：其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗【直接公开】 | [043]：“通过监测电极之间的皮肤阻抗来评估接触质量。” [044]：“控制器112可以不允许向阻抗值超过预定值的电极提供RF电压。” | 对比文件明确测量RF处理电极与返回电极之间的皮肤阻抗，且该测量用于接触质量判断，与目标专利测量电极间阻抗的配置相同。 |
| 技术特征D：处理设定限定器(30)【直接公开】 | [029]：“控制器112可包括机制158，其具有存储和检索不同皮肤处理协议的存储器160，并根据检索到的皮肤处理协议设定皮肤处理参数。” [048]：“机制156从存储器160检索适当的皮肤处理协议，并根据检索到的协议设定治疗参数。” | 对比文件公开了根据协议设定处理参数的机制（158/156），该机制相当于处理设定限定器，用于确定处理设定。 |
| 技术特征E：其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定，其特征在于，所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)【直接公开】 | [029]：同上，机制158设定参数；[027]：“控制器112”。 | 对比文件公开了控制器（112）以及用于确定处理设定的机制，具备确定处理设定和控制器，与目标特征一致。 |
| 技术特征F：所述控制器(25)被编程使得在操作期间，所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前，激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO【直接公开】 | [048]：“使用者将带有电极的载体施加到待处理皮肤上……施加测试RF电压（通常不超过50伏）到电极上。电极‑皮肤接触状态检测机构136检测到电极与皮肤适当接触……控制器112……从存储器160检索适当的皮肤处理协议，并根据检索到的协议设定治疗参数……然后向选定的电极施加皮肤治疗RF电压。” | 对比文件明确在施加治疗RF电压之前，先施加测试电压（用于阻抗测量）并检测接触状态（基于阻抗测量），控制器在检测后设定参数再施加治疗电压。因此，控制器在激活RF发生器之前激活了阻抗测量电路测量初始皮肤阻抗。 |
| 技术特征G：其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间，所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定，所述处理设定至少包括以下：与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)【未公开】 | [048]：测试电压用于检测接触质量，然后根据协议设定参数，但未提及根据初始阻抗和电极尺寸确定处理持续时间。[042]公开了电极直径范围，但未与阻抗结合用于确定TD。 | 对比文件虽然测量了初始阻抗（通过测试电压），但该测量仅用于判断接触质量，并未用于确定处理持续时间。处理持续时间由协议预设，独立于初始阻抗和电极尺寸。目标专利的核心特征（根据初始阻抗和电极尺寸预设TD）未在对比文件中公开，本领域技术人员也无法从对比文件中合理推断出该关系。 |
| 技术特征H：与所述RF处理信号相关联的RF电气参数；并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后，所述控制器连续地：激活所述处理设定限定器(30)，以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定【直接公开】 | [048]：“测试电压→检测接触→根据协议设定治疗参数（包括电压等RF电气参数）→施加治疗电压。” 顺序明确。 | 对比文件公开了先测量阻抗，然后激活处理设定限定器（机制）设定参数（包括RF电气参数），再激活RF发生器施加治疗信号。顺序与目标特征完全相同。 |
| 技术特征I：配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号【直接公开】 | [029]：“RF发生器116……提供RF电压，由控制器112控制。” [048]：控制器根据设定参数配置RF发生器。 | 对比文件公开了控制器根据设定参数配置RF发生器以提供RF处理信号，与目标特征一致。 |
| 技术特征J：激活所述RF发生器(20)，以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)【直接公开】 | [055]：“为了达到足够的真皮穿透和满意的美容效果，电极被激活一段时间，范围在25毫秒至10000毫秒之间。” | 对比文件公开了激活RF发生器（电极）持续一定处理时间，与目标特征一致。 |
| 技术特征K：其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联【未公开】 | [052]：“皮肤温度升高超过治疗协议设定的温度可能导致皮肤加热过程转变为皮肤消融过程。为了避免这种转变，皮肤消融检测机构监测皮肤处理状态……控制器112可以通过改变施加的RF辐射的功率来改变皮肤处理模式。” | 对比文件通过实时监测来避免过渡，而非预先将处理持续时间与过渡相关联。目标专利中TD根据过渡点预设，对比文件未公开这种关联，本领域技术人员也无法合理推断。 |
| 技术特征L：其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联【直接公开】 | [028]：“装置100的操作参数被设定为仅加热皮肤而不引起皮肤消融。” [052]：“皮肤消融过程。” | 对比文件明确将消融视为不期望的处理结果，因此不期望的结果与消融相关联。 |
| 技术特征M：其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm【直接公开】 | [042]：“电极208、308和408的直径约为100至2000微米。” | 直径为100-2000微米，即0.1-2mm，最大尺寸≤2mm，与目标特征完全一致。 |
| 技术特征N：其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定：J＝K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT))，其中：J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子【未公开】 | 对比文件全文未记载任何类似公式。 | 目标专利的公式是核心发明点，对比文件未公开任何基于该公式的确定方法，本领域技术人员无法从对比文件中获得该技术特征。 |
| 技术特征O：K是常数，单位为每毫米‑毫焦耳，取决于皮肤组织的热和介电特性【未公开】 | 对比文件未公开K常数。 | 对比文件未提及该常数及其定义。 |
| 技术特征P：R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径，单位为毫米【直接公开】 | [042]：“电极直径约为100至2000微米”，相应的半径范围50-1000微米（0.05-1mm）。 | 对比文件公开了电极的尺寸（直径），本领域技术人员可直接得出半径R，且单位为毫米（通过换算）。 |
| 技术特征Q：TT是皮肤组织的热时间常数，单位为毫秒【未公开】 | 对比文件未公开热时间常数。 | 对比文件未提及热时间常数。 |
| 技术特征R：PM是与所述RF处理信号相关联RF功率，单位为瓦特，等于VM^2/ZO，其中VM是所述RF处理信号的电压【未公开】 | 对比文件[055]公开了功率和电压，但未公开PM等于VM^2/ZO的关系，也未将其与初始阻抗ZO关联。 | 对比文件未公开该等式，也未公开使用初始阻抗计算功率。 |
| 技术特征S：TD是所述处理持续时间，单位为毫秒【直接公开】 | [055]：“电极被激活一段时间，范围在25毫秒至10000毫秒之间。” | 对比文件明确公开了处理持续时间TD，单位为毫秒。 |
| 技术特征T：其中K等于0.38±0.03mm^-1 mJ^-1【未公开】 | 对比文件未公开K的具体数值。 | 对比文件无此数值。 |
| 技术特征U：其中TT等于40.4±4.8毫秒【未公开】 | 对比文件未公开TT的具体数值。 | 对比文件无此数值。 |
| 技术特征V：其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个：J＝1±0.3，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时【未公开】 | 对比文件未公开J的取值。 | 对比文件未公开损害发作因子概念及具体数值。 |
| 技术特征W：或者J＝1.7±0.5，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时【未公开】 | 对比文件未公开J的取值。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个：IM，是所述RF处理信号的电流，单位为安培【直接公开】 | [055]：“典型操作参数：电流50-400mA。” | 对比文件公开了RF处理信号的电流范围，单位为安培。 |
| 技术特征Y：VM，是所述RF处理信号的电压，单位为伏特【直接公开】 | [049]：“施加的RF电压通常在50V至400V之间。” [055]：“高阻抗负载上的电压约为450Vpp。” | 对比文件公开了RF处理信号的电压值，单位为伏特。 |
| 技术特征Z：PM，是与所述RF处理信号相关联的功率，单位为瓦特【直接公开】 | [029]：“RF功率”；[055]：“每脉冲能量……0.54J，更典型为12J”（能量/时间即功率，且RF功率参数常见）。 | 对比文件公开了RF功率参数，单位为瓦特（隐含公知单位）。 |
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