**对比文件名称**：2018-05-10_US2018130994A_发明申请_US20180130994A1 CYLINDRICAL BATTERY, AND COLLECTOR MEMBER USED THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
**目标专利名称**：1500圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
**本次调用的模型名称**：未指定（根据用户提供信息）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一绝缘层（直接公开） | [0031]：“在电极体16和集电构件17之间，设置第二绝缘板20。” 以及[0031]：“集电构件17通过将第一绝缘板19配合到集电板18而形成。”（更准确对应第一绝缘层存在） | 对比文件虽使用“第二绝缘板”（second insulating plate）的命名，但该部件是安装在电极组件上端部、具有通孔（见特征C）的绝缘层，其功能与目标专利中的“第一绝缘层”实质对应。因此，本领域技术人员可直接确认对比文件公开了“置于电极组件上方且带有通孔”的绝缘层结构，即公开了“第一绝缘层”这一技术特征。 |
| 技术特征B：所述第一绝缘层安装在所述电极组件的上端部处（直接公开） | [0038]：“将第一正极引线14a插入贯通孔20a中，同时将第二绝缘板20设置在电极体16上（图7(b)）。” | 上述内容明确公开了一个绝缘层（第二绝缘板20）直接布置在电极体16（即电极组件）的上端面上，符合“安装在电极组件的上端部处”的技术含义。因此，特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔（直接公开） | [0038]：“在将第一正极引线14a插入贯通孔20a中的同时，将第二绝缘板20设置在电极体16上……” | 对比文件第二绝缘板20设有贯通孔20a，该孔专用于供一条正极引线（相当于电极接片）穿过。该贯通的孔结构即为目标专利所述的“第一通孔”。因此，特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：和第二绝缘层（直接公开） | [0031]：“集电构件17通过将第一绝缘板19配合到集电板18而形成。” 以及同一段中提及“第二绝缘板20”。 | 对比文件明确设有“第一绝缘板19”（first insulating plate），该部件在结构和位置上（位于第二绝缘板上方）对应于目标专利的“第二绝缘层”。因此，特征D被直接公开（尽管对比文件中命名顺序相反，但功能对应）。 |
| 技术特征E：所述第二绝缘层安装在所述第一绝缘层的上端处（直接公开） | [0038]步骤顺序：先放置第二绝缘板20（第一绝缘层），再放置集电构件17（包含第一绝缘板19作为第二绝缘层）；结合[0031]描述的第一绝缘板与第二绝缘板的相对位置。 | 对比文件中的第二绝缘板20相当于第一绝缘层（安装在电极体上），第一绝缘板19相当于第二绝缘层（位于第二绝缘板20上方）。两者上下叠置关系明确，第二绝缘层（第一绝缘板19）直接安装在第一绝缘层（第二绝缘板20）的上端。因此，特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：具有与所述电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔（未公开） | [0033]：“在第一绝缘板19中设置一个开口。” 但未说明该开口的位置。 | 对比文件未提及该开口是否与电极组件的中心位置对应，也未明确该开口用于供电极接片穿过（而是用于电解液渗透）。因此，本领域技术人员无法毫无疑义地确定该开口为“与中心位置对应形成的第二通孔”，特征F未被直接公开，也缺乏隐含公开的合理依据。 |
| 技术特征G：其中穿过所述第一通孔的所述一个电极接片被弯折（直接公开） | [0038]：“接着，将正极引线14a和14b向电极体16的外部弯折（图7(c)）。” | 对比文件中正极引线14a穿过第二绝缘板20（第一绝缘层）的贯通孔20a（第一通孔）后，被弯折至电极体外侧。该弯折动作与目标专利中“穿过第一通孔的电极接片被弯折”的技术本质完全相同。因此，特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：以便穿过所述第二通孔（未公开） | [0038]弯折后接着放置集电构件17，引线连接到集电板18，未涉及穿过任何绝缘层的通孔。 | 对比文件中弯折后的引线并未穿过第二绝缘层（第一绝缘板19）的任何通孔，而是直接连接至集电板。目标专利的“以便穿过第二通孔”旨在通过弯折改变路径以对准中心第二通孔，对比文件缺乏该连接关系，因此特征H未被直接公开，也无隐含公开的可能。 |
| 技术特征I：其中穿过所述第二通孔的所述一个电极接片具有垂直于所述第二绝缘层设置并且从所述电极组件的中心伸出的形状（未公开） | 对比文件无第二通孔供接片穿过的结构，亦无对应形状描述。 | 对比文件中正极引线的最终连接形态是与集电板表面接触并折弯90°的引线部分，并非穿过第二通孔后垂直向上并从中心伸出。该特征在对比文件中缺乏任何直接或隐含的公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一通孔形成在所述第一绝缘层的中心之外的位置处（未公开） | 对比文件未描述贯通孔20a相对于第一绝缘层（第二绝缘板20）中心的位置。 | 目标专利明确将第一通孔设置在第一绝缘层中心之外以利于弯折后汇聚至中心。对比文件仅提及内圈引线插入贯通孔，未涉及该孔与绝缘层中心的相对位置，本领域技术人员无法直接或合理推断出其必然位于中心之外。因此，特征J未被公开。 |
| 技术特征K：所述第一通孔和所述第二通孔彼此不重叠（未公开） | 对比文件未公开两个通孔间的位置关系。 | 目标专利要求两个通孔在竖直方向不重叠以实现路径偏移。对比文件中第二绝缘板20的贯通孔20a与第一绝缘板19的开口分别位于不同构件，但缺少任何关于两者是否重叠的记载或暗示，特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述一个电极接片在卷绕之前位于所述电极组件的中心；并且中所述第一绝缘层仅具有一个通孔（未公开） | 对比文件无任何关于卷绕之前电极接片位置的内容；第一绝缘层（第二绝缘板20）的贯通孔数量未明确。 | 目标专利强调卷绕前接片已处于中心位置以改善电流分布，而对比文件的正极引线在卷绕后的电极体内沿径向分布（内圈和外圈），不具备卷绕前中心对位特征。另外，“仅具有一个通孔”虽从图示可能看出，但对比文件未明确限制通孔数量，且存在多个引线，特征L整体未被公开。 |
| 技术特征M：即所述第一通孔（直接公开） | 同特征C的引用。 | 特征M是对特征C中“第一通孔”的重复描述，既然特征C已被直接公开，特征M当然也被直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述第一通孔和所述第二通孔分别具有直通孔结构（隐含公开） | [0038]中“贯通孔20a”以及[0033]中“开口”均为贯穿结构；对比文件图4、图7显示通孔为直通。 | 对比文件中的“贯通孔”（through-hole）具有典型的直通结构，“开口”（opening）也必定为穿透的直通形式。本领域技术人员在阅读对比文件后，结合常规绝缘板的通孔设计，可以合理推断出这些孔均为直通孔结构。因此，特征N被隐含公开。 |
### 公开性代码汇总
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、D、E、G、M；隐含公开的技术特征有：N。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<M>>><<<n>>>