对比文件名称：WO2018180748A1_Description_20260618_1954
目标专利名称：1500圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
本次调用的模型名称：资深专利代理师评估模型（深度思考模式）
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用 | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：第一绝缘层<br>**《直接公开》** | 对比文件公开了绝缘板17（上绝缘板）。原文：“電極体14の上下には、絶縁板17，18がそれぞれ設けられる。”以及图1。 | 对比文件的绝缘板17是一种绝缘层，安装于电极组件上端部，起到绝缘隔离作用，与目标专利的第一绝缘层在构件类型和基本功能上相同，因此被直接公开。 |
| 技术特征B：所述第一绝缘层安装在所述电极组件的上端部处<br>**《直接公开》** | 原文：“電極体14の上下には、絶縁板17，18がそれぞれ設けられる。”结合图1，绝缘板17位于电极体14上方（上端部）。 | 对比文件明确绝缘板17设置于电极组件的上端部，使用状态与目标专利完全相同，因此被直接公开。 |
| 技术特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔<br>**《直接公开》** | 原文：“正極リード19は絶縁板17の貫通孔を通って封口体16側に延び、封口体16の底板であるフィルタ22の下面に溶接される。” | 绝缘板17具有贯通孔（第一通孔），正极极耳（电极接片）穿过该孔，结构及连接方式一致，因此被直接公开。 |
| 技术特征D：和第二绝缘层<br>**《直接公开》** | 同上文：“電極体14の上下には、絶縁板17，18がそれぞれ設けられる。”绝缘板18为另一绝缘层。 | 对比文件公开了第二个绝缘层（绝缘板18），尽管其位于电极组件下端，但特征D仅要求存在第二绝缘层，该构件已明确公开。 |
| 技术特征E：所述第二绝缘层安装在所述第一绝缘层的上端处<br>**未公开** | 绝缘板18安装于电极组件下端，而非第一绝缘层（绝缘板17）的上端。原文明确“電極体14の上下には、絶縁板17，18がそれぞれ設けられる”，即上下各一。 | 对比文件完全没有将第二绝缘层与第一绝缘层层叠设置在上端的教导或暗示，本领域技术人员无法直接地、唯一地推导出该特征，故未被公开（不满足直接公开，亦不满足隐含公开）。 |
| 技术特征F：具有与所述电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔<br>**未公开** | 对比文件中绝缘板18具有贯通孔，但未描述其位置与电极组件中心对应。正极极耳虽位于径方向大致中心（“正極リード19は、例えば電極体１４の径方向βの略中央部に設けられている。”），但该中心位置属于第一绝缘层的通孔，而非第二绝缘层。 | 目标专利的第二通孔位于第二绝缘层且对准中心，对比文件未公开第二绝缘层的通孔位置特征，也无该方面的任何指引，故未被公开。 |
| 技术特征G：其中穿过所述第一通孔的所述一个电极接片被弯折<br>**未公开** | 对比文件描述正极极耳19穿过绝缘板17的贯通孔后直接向上延伸，未提及任何弯折操作。原文：“正極リード19は絶縁板17の貫通孔を通って封口体16側に延び”。 | 对比文件中的电极接片保持笔直走向，未进行弯折以改变位置，该技术特征不存在于对比文件中，本领域技术人员无法从中获得启示，故未被公开。 |
| 技术特征H：以便穿过所述第二通孔<br>**未公开** | 无对应内容。 | 该特征是对弯折目的的描述，由于弯折特征（特征G）未被公开，对应的目的特征也不被公开。 |
| 技术特征I：其中穿过所述第二通孔的所述一个电极接片具有垂直于所述第二绝缘层设置并且从所述电极组件的中心伸出的形状<br>**未公开** | 无对应内容。对比文件中正极极耳穿出第一通孔后未进入第二通孔，负极极耳穿出第二通孔（绝缘板18）后向下延伸，且其形状并非垂直从中心伸出。 | 对比文件中没有任何电极接片同时满足“穿过第二通孔”、“垂直于第二绝缘层”以及“从中心伸出”的形状，故该特征完全未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一通孔形成在所述第一绝缘层的中心之外的位置处<br>**未公开** | 对比文件记载：“正極リード19は、例えば電極体１４の径方向βの略中央部に設けられている。”即正极极耳（及相应的第一通孔）位于电极组件的径向大致中心。 | 目标专利要求第一通孔偏离中心，而对比文件明确通孔位于中心附近，两者位置关系相反，因此不被公开。 |
| 技术特征K：所述第一通孔和所述第二通孔彼此不重叠<br>**未公开** | 对比文件中第一绝缘层的通孔（上端）和第二绝缘层的通孔（下端）位于不同平面，不存在同侧比较；且未公开任何关于通孔水平投影是否重叠的信息。 | 目标专利的不重叠特指同一侧两个绝缘层上的通孔在竖直方向不重叠，对比文件未公开这种结构关系，本领域技术人员无法合理推断，故未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述一个电极接片在卷绕之前位于所述电极组件的中心；并且中所述第一绝缘层仅具有一个通孔<br>**未公开** | 前半句：对比文件未定义卷绕前电极组件中心的明确位置，且目标专利背景技术指出常规极片接片向外偏置；后半句：绝缘板17仅有一个贯通孔，被直接公开。 | 前半句缺乏公开基础，后半句虽被公开，但特征L为复合特征，需全部满足。整体上未被公开（不满足直接公开，亦不能通过部分公开而判定整体隐含公开）。 |
| 技术特征M：即所述第一通孔<br>**《直接公开》** | 同特征C引用：“正極リード19は絶縁板17の貫通孔を通って”。 | 特征M实质上是对第一通孔的重申，该通孔已通过特征C被直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述第一通孔和所述第二通孔分别具有直通孔结构<br>**《隐含公开》** | 对比文件通用术语“貫通孔”通常被理解为沿厚度方向直接贯穿的孔；图1及全部实施例未显示任何非直通孔结构。 | 本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推知其绝缘板上的通孔为常规的直通孔结构（无台阶或弯曲），该推断具有技术基础且与对比文件无矛盾，因此特征N被隐含公开。 |
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