以下是对比文件 KR1020100063526A（인쇄회로기판 제조방법）与目标专利 CN113243145B（印刷电路板）的各技术特征进行比对分析的结果。本次调用的模型名称为：**DeepSeek-Chat**。
## 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A**：包括 | [1] “본 발명은 인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.”（本发明涉及印刷电路板制造方法。）[16] “코어기판(10), 프리프레그(20), 금속박(25), 홀(22), 시드층(28), 도금레지스트층(30), 회로패턴(35), 비아(36), 솔더레지스트층(40)이 도시되어 있다.”（示出了核心基板(10)、预浸料(20)、金属箔(25)、孔(22)、种子层(28)、镀层抗蚀层(30)、电路图案(35)、过孔(36)、阻焊层(40)等。） | 对比文件公开了印刷电路板制造方法，其产品必然包括绝缘层和电路图案等结构，因此“包括”这一开放式过渡词所对应的产品构成被直接公开。 |
| **技术特征B**：绝缘层 | [16] “코어기판(10), 프리프레그(20)”；（核心基板和预浸料）[18] “프리프레그(20)란 반경화 상태의 절연물질로서”（预浸料是半固化状态的绝缘材料）。 | 对比文件明确公开了作为绝缘层的预浸料（프리프레그）和核心基板（코어기판），属于印刷电路板中的绝缘层。因此直接公开。 |
| **技术特征C**：电路图案 | [32] “다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 개구부에 회로패턴(35)을 형성한다(S160)。”（接下来，如图8所示，在开口中形成电路图案(35)）。 | 对比文件直接公开了“회로패턴”（电路图案），与目标专利的“电路图案”相同。直接公开。 |
| **技术特征D**：电路图案设置在绝缘层上 | [32] 结合图8，电路图案(35)形成于开口中，该开口位于预浸料（绝缘层）的上表面上。另外[33] “회로패턴(35)은 시드층(28)과…구성되며”（电路图案由种子层和…构成），种子层(28)设置在绝缘层上。因此电路图案间接设置在绝缘层上。 | 对比文件工艺中，电路图案通过电镀形成于种子层上，种子层直接附着在绝缘层表面，故电路图案设置在绝缘层上。直接公开。 |
| **技术特征E**：电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面 | [33] “회로패턴(35)은 시드층(28)과 전해도금으로 형성된 도금층으로 구성되며”（电路图案由种子层和通过电镀形成的镀层组成）。任何立体图案必然具有上、下及侧表面。 | 本领域技术人员由对比文件公开的种子层+镀层结构可直接、毫无疑义地确定电路图案具有上表面（镀层顶面）、下表面（种子层底面）以及两个侧表面（种子层与镀层侧壁）。直接公开。 |
| **技术特征F**：上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下 | [30] “프리프레그(20) 표면에 조도가 거의 없기 때문에 고주파에서의 표피효과에 의한 신호손실이 없어”（由于预浸料表面几乎没有粗糙度，因此不会因高频下的趋肤效应造成信号损失）。[41] “낮은 조도의 표면에도 프리프레그와 회로패턴의 밀착력을 확보…고주파에서 표피효과에 의한 신호손실을 줄일 수 있다”（即使在低粗糙度的表面也能确保预浸料与电路图案的附着力…减少高频趋肤效应信号损失）。 | 对比文件仅定性描述预浸料（绝缘层）表面“几乎没有粗糙度”或“低粗糙度”，并未给出电路图案各表面的具体Ra数值或明确其至少三个表面Ra≤0.31μm。未公开具体定量范围，且作用对象主要是绝缘层而非电路图案表面。因此不能被直接或隐含公开。 |
| **技术特征G**：在电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度 | 对比文件全文未涉及按表面长度不同而设置不同粗糙度的概念。 | 无任何文字或暗示记载长度与粗糙度的关系。未公开。 |
| **技术特征H**：至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下 | 同技术特征F，对比文件未给出任何具体Ra数值。 | 未公开。 |
| **技术特征I**：至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm | 同技术特征F，对比文件无具体数值范围。 | 未公开。 |
| **技术特征J**：电路图案宽度方向横截面中的上表面长度和下表面长度中的至少一个与第一侧表面长度和第二侧表面长度中的至少一个不同 | [33] 种子层厚度一般小于镀层厚度，且宽度通常大于高度（厚度）。本领域公知电路图案的宽度与高度不同。 | 电路图案的横截面中，上表面/下表面的宽度与侧表面的高度在常规结构下必然不同（长度不同），这是本领域技术人员的普通认识，对比文件虽未明确指明，但由电路图案的基本几何形状可直接推理得出。隐含公开。 |
| **技术特征K**：上表面和下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与第一侧表面和第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同 | 对比文件未涉及不同表面具有不同粗糙度的教导。 | 无任何记载或暗示。未公开。 |
| **技术特征L**：横截面中上表面和下表面的长度中的至少一个大于第一侧表面和第二侧表面的长度中的至少一个；并且该至少一个表面的粗糙度小于侧表面的粗糙度 | 对比文件未公开任何与表面长度相关的粗糙度大小关系。 | 未公开。 |
| **技术特征M**：上表面的长度是上表面的宽度 | 本领域公知定义，任何矩形截面的电路图案，其上表面在宽度方向横截面中的长度即为该上表面的宽度。对比文件未专门定义，但可直接推出。 | 隐含公开。 |
| **技术特征N**：下表面的长度是下表面的宽度 | 同M，下表面的长度即宽度。 | 隐含公开。 |
| **技术特征O**：第一侧表面和第二侧表面的长度是电路图案的高度 | 同M，侧表面在宽度方向横截面中的长度即为电路图案的高度（厚度）。 | 隐含公开。 |
| **技术特征P**：至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下 （此处Ra疑为Rq，但按原文列表记为Ra） | 对比文件无Rq相关数值。 | 未公开。 |
| **技术特征Q**：电路图案的阻抗为35.3Ω以下 | 对比文件未提及阻抗值。 | 未公开。 |
| **技术特征R**：电镀种子层 | [10] “시드층을 형성하는 단계는 니켈 결합층(Ni tie-layer)을 형성하는 단계 및 구리 시드층(Cu Seed layer)을 형성하는 단계를 포함할 수 있고”（形成种子层的步骤可以包括形成镍结合层和形成铜种子层）。[26] “시드층은 전해도금을 위해 얇게 금속층을 형성하는 것으로서 구리 시드층이 대표적으로 이용된다”（种子层是为电镀而形成的薄金属层，典型使用铜种子层）。 | 对比文件明确公开了作为电镀种子层的铜种子层（Cu Seed layer）。直接公开。 |
| **技术特征S**：电镀种子层设置在绝缘层上 | [23] “프리프레그(20)의 표면에 이온빔 처리를 한다”（在预浸料表面进行离子束处理），[26] “진공증착법을 이용하여 시드층(28)을 형성한다”（利用真空蒸镀法形成种子层(28)）。种子层形成在预浸料（绝缘层）表面。 | 对比文件中种子层直接形成在预浸料（绝缘层）上，因此设置在绝缘层上。直接公开。 |
| **技术特征T**：图案层 | [32] “개구부에 회로패턴(35)을 형성한다”（在开口中形成电路图案(35)）。此处的电路图案即为图案层（区别于种子层）。 | 对比文件中的“회로패턴”（电路图案）由电镀形成，独立于种子层，即图案层。直接公开。 |
| **技术特征U**：图案层设置在电镀种子层上 | [32] 结合图8，开口形成于种子层上的镀层抗蚀层中，电镀时金属填充开口，形成图案层（회로패턴(35)），直接覆盖在种子层上。 | 图案层通过电镀形成于种子层之上，因此设置于种子层上。直接公开。 |
| **技术特征V**：电路图案的上表面是图案层的上表面 | [33] “회로패턴(35)은 시드층(28)과 전해도금으로 형성된 도금층으로 구성”（电路图案由种子层和电镀形成的镀层构成）。本领域技术人员可知镀层（图案层）的顶面即为电路图案的上表面。 | 由对比文件公开的堆叠结构可以直接确定图案层远离绝缘层的一面是电路图案的上表面。直接公开。 |
| **技术特征W**：电路图案的下表面是电镀种子层的下表面 | 同上，种子层接触绝缘层的一面是电路图案的下表面。 | 直接公开。 |
| **技术特征X**：电路图案的第一侧表面包括电镀种子层的第一侧表面和图案层的第一侧表面；第二侧表面包括电镀种子层的第二侧表面和图案层的第二侧表面 | [33] 电路图案由种子层和图案层构成，两者侧面大致对齐（经闪蚀后种子层可能略缩进，但仍构成侧面的一部分）。侧表面必然包含这两部分的侧壁。 | 本领域技术人员根据种子层与图案层的层叠关系可以直接得出侧表面包括两者的对应侧面。直接公开。 |
| **技术特征Y**：上表面的长度小于下表面的长度 | 对比文件未提及上、下表面宽度比较，其工艺形成的种子层和图案层在宽度方向上可能一致或种子层略缩进，但未给出必然关系。 | 未公开。 |
| **技术特征Z**：第一侧表面和第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在上表面和下表面之间 | 对比文件未涉及侧表面的倾斜角度。 | 未公开。 |
## 公开性代码总结
基于上述比对，被对比文件直接公开的技术特征（直接公开）为：A、B、C、D、E、R、S、T、U、V、W、X。
被对比文件隐含公开的技术特征（隐含公开）为：J、M、N、O。
其余技术特征（F、G、H、I、K、L、P、Q、Y、Z）未被直接或隐含公开。
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