对比文件名称：2012-06-21_US2012152594A_发明申请_US20120152594A1 REDUCED CIRCUIT TRACE ROUGHNESS FOR IMPROVED SIGNAL PERFORMANCE
目标专利名称：1558印刷电路板CN113243145B
模型名称：DeepSeek
以下是特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **特征A：包括**<br>《直接公开》 | [0008] "一种用于传输至少一个信号的电路板，所述电路板包括至少一个导电电路痕迹" | 对比文件直接公开了电路板包括导电电路痕迹，相当于目标专利“包括”这一上位概念，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| **特征B：绝缘层**<br>《直接公开》 | [0020] "PCB 102A having vias 104, 106 electrically connected to integrated circuits 108, 110, respectively" （印刷电路板具有用于连接集成电路的过孔） | 印刷电路板（PCB）必然包含绝缘基板作为绝缘层，对比文件直接以PCB形式公开了绝缘层，本领域技术人员可毫无疑义地确定。 |
| **特征C：电路图案**<br>《直接公开》 | [0008] "the circuit board comprising at least one conductive circuit trace" | 对比文件中的“导电电路痕迹”即相当于目标专利的“电路图案”，属于直接且明确的公开。 |
| **特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上**<br>《直接公开》 | [0020] "conductive circuit trace 112A formed on a top surface of the PCB 102A" | 对比文件明确公开了电路痕迹形成在电路板（绝缘层）的上表面，即设置在绝缘层上，直接公开。 |
| **特征E：所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面**<br>《直接公开》 | [0029] "Surface 222A (i.e., the 'top surface')... Surface 222B (i.e., the 'bottom surface')... Surfaces 222C and 222D (i.e., the 'side surfaces')" | 对比文件具体定义了电路痕迹的四个表面（上、下、第一侧、第二侧），与目标专利完全对应，直接公开。 |
| **特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下**<br>《隐含公开》 | [00010] "所述至少一个表面的表面粗糙度优选降低至不超过20微英寸RMS，更优选降低至不超过10微英寸RMS，最优选降低至不超过5微英寸RMS"；[0019] "均方根（RMS）或中心线平均（CLA）粗糙度值" | 对比文件公开了通过抛光将表面粗糙度降低至不超过20微英寸RMS（约0.508μm），更优选10微英寸RMS（0.254μm），最优选5微英寸RMS（0.127μm）。对比文件同时指出粗糙度可采用中心线平均（CLA，即Ra）表示。本领域技术人员知晓RMS通常大于Ra，当RMS≤10微英寸时，对应的Ra必然显著小于0.31μm；即使上限20微英寸RMS，经转换后对应的Ra也可能接近0.31μm。因此，结合对比文件给出的优选值以及Ra与RMS的换算关系，本领域技术人员可以合理推断出至少三个表面的Ra能够达到0.31μm以下，该特征被隐含公开。 |
| **特征G：在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度**<br>《未公开》 | / | 对比文件虽能实现不同表面粗糙度不同，但并未公开粗糙度与表面长度之间的关联，更没有基于长度大小来设定粗糙度的教导。因此该特征未被公开。 |
| **特征H：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下**<br>《隐含公开》 | 同特征F引用 | 对比文件最优选5微英寸RMS（0.127μm RMS），其对应的Ra通常小于0.127μm，必然满足0.17μm以下。本领域技术人员根据对比文件教导的极低粗糙度目标，可以合理推断出该Ra范围已被暗示公开。 |
| **特征I：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm**<br>《隐含公开》 | 同特征F引用 | 对比文件最优选5微英寸RMS（0.127μm RMS），该数值本身就落在0.13μm以内，且Ra通常小于RMS。因此本领域技术人员完全有可能通过抛光工艺实现Ra在0.1‑0.13μm范围内，该特征被隐含公开。 |
| **特征J：所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同**<br>《直接公开》 | 图1A、图1B及[0020]等相关附图描述 | 对比文件图1A、图1B等附图清晰显示了电路痕迹的横截面为矩形，其宽度（对应上/下表面长度）明显大于高度（对应侧表面长度），本领域技术人员从附图中可直接、毫无疑义地得出上/下表面长度与侧表面长度不同的特征。 |
| **特征K：所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同**<br>《直接公开》 | [0030] "顶表面222A和侧表面222C、222D可以在电路痕迹212固定到PCB 204的表面之后进行抛光，而底表面222B保持未抛光以增强粘附" | 对比文件明确描述了顶表面和侧表面被抛光，底表面未抛光，因此顶表面与底表面的粗糙度不同，或者侧表面与底表面粗糙度不同。这直接公开了不同表面可以具有不同的粗糙度。 |
| **特征L：所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)**<br>《未公开》 | / | 对比文件公开的实施例中，底表面（长度大）未抛光，粗糙度较大，与“长度大的表面粗糙度小”相反；且对比文件没有教导基于长度设定粗糙度的关系，因此该组合特征未被公开。 |
| **特征M：所述上表面的长度是所述上表面的宽度**<br>《未公开》 | / | 对比文件未对“长度”进行定义，也未提及上表面长度与宽度的关系，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得到该定义。 |
| **特征N：所述下表面的长度是所述下表面的宽度**<br>《未公开》 | / | 同特征M。 |
| **特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度**<br>《未公开》 | / | 同特征M。 |
| **特征P：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下**<br>《隐含公开》 | 同特征F引用 | 对比文件公开的粗糙度上限为20微英寸RMS（0.508μm RMS），但更优选10和5微英寸RMS对应的Ra远低于0.42μm。本领域技术人员能够合理推断出，通过采用对比文件教导的抛光工艺，至少三个表面的Ra可以控制在0.42μm以下（例如优选值时Ra仅0.1‑0.2μm），故该特征被隐含公开。 |
| **特征Q：所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下**<br>《未公开》 | / | 对比文件未涉及阻抗测量或任何阻抗数值，仅关注信号性能改善，故该特征未被公开。 |
| **特征R：所述电路图案包括：电镀种子层**<br>《未公开》 | / | 对比文件虽列举了电路痕迹的材料形成方式（如电镀箔），但未提及种子层这一特定结构或分离的层，缺乏对应的技术特征。 |
| **特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上**<br>《未公开》 | / | 同特征R。 |
| **特征T：图案层**<br>《未公开》 | / | 对比文件未区分种子层和图案层，没有公开图案层这一独立技术特征。 |
| **特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上**<br>《未公开》 | / | 同特征T。 |
| **特征V：所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面**<br>《未公开》 | / | 对比文件未公开双层结构，故无该对应关系。 |
| **特征W：所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面**<br>《未公开》 | / | 同特征V。 |
| **特征X：所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面**<br>《未公开》 | / | 同特征V。 |
| **特征Y：所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度**<br>《未公开》 | / | 对比文件未揭示上表面与下表面长度不等，其附图显示上下表面宽度基本相同，故该特征未被公开。 |
| **特征Z：所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间**<br>《未公开》 | / | 对比文件未提及侧表面的倾斜角度，其图示侧表面基本垂直，未公开倾斜角度特征。 |
综上，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、D、E、J、K；隐含公开的技术特征有：F、H、I、P。
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