对比文件的名称：2012-08-29_CN202404338U_实用新型_：CN202404338U 液晶面板结构
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek-深度思考模型（V3版本）
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用 | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层《直接公开》 | 段落[0019]：“基板1上设置取向层2”；段落[0023]：“所述基板1可以是柔性基板”。 | 对比文件明确公开了基板1，作为承载其他层的基础结构，与目标专利的“基础层”作用完全相同（支撑后续层）。本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物《直接公开》 | 段落[0006]：“所述基板上具有取向层和设置在取向层中的多个photo-spacer间隔子”；段落[0021]：“形成所述photo-spacer间隔子4”。 | 对比文件公开了基板上通过取向层间接设置多个间隔子，间隔子数量为多个且形成在基板之上（中间层不影响其设置关系），与目标专利中“复数个间隔物设置在基础层上”含义一致，直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《隐含公开》 | 段落[0021]：将混有间隔颗粒的UV胶均匀涂覆后，“由于疏水性区域和亲水性区域材料的表面张力和性能不同，造成混有间隔颗粒的UV胶会自动积聚到亲水区域21里，从而形成所述photo-spacer间隔子”。 | 对比文件未明确描述间隔子的形状，但根据其形成原理——UV胶在亲水区域表面张力作用下自发积聚，在无外力干扰时通常呈现凸起的球冠形状（即顶部具有半球形部分）。本领域技术人员从该过程可以合理推断间隔子为顶部带半球形的半球形间隔物，该推断具有技术合理性，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《隐含公开》 | 参见特征C的引用内容。 | 基于特征C的推断，间隔物顶部半球形部分必然为包含弯曲形状的部分，对半球形部分的定义性描述被隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 无 | 对比文件未提供任何关于间隔子截面曲率或尺寸的数值信息，无法确定曲率是否满足150mm⁻¹或更小的条件，本领域技术人员也无法从现有内容合理推断出该具体曲率范围，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《未公开》 | 无 | 对比文件形成的间隔子由UV胶积聚构成，无柱状结构的任何暗示或描述，完全不同于半球形部分加柱状部分的复合结构，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小《未公开》 | 无 | 对比文件未公开间隔子高度数值，也未提及面积比率参数，本领域技术人员无法从已知内容推导出这些具体范围和比率，未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小《未公开》 | 无 | 对比文件仅提及多个间隔子，未涉及任何间距定义、标准偏差等统计参数，无法直接或间接得出该特征，未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 无 | 对比文件未公开间隔子的位置分布特性，未以任何正态分布图或类似方式描述间距，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上《未公开》 | 无 | 对比文件完全未涉及分布图的具体构成要素，未公开该特征。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何关于分布图半高宽、最大高度等量化参数，未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 无 | 对比文件未描述间隔子截面轨迹包含平坦部分（曲率为0），根据其形成原理形成的球冠顶面曲率通常不为0，无任何内容支持曲率为0的轨迹存在，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《未公开》 | 无 | 对比文件未公开间隔子的宽度尺寸，无法确定其是否落在2-40μm范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分《未公开》 | 无 | 对比文件未描述间隔子底部的渐缩形状，且由UV胶积聚形成的液滴状间隔子，其底部通常为与基板接触的弧形曲线（曲率中心在截面内部），与目标专利定义的曲率中心在截面外部的渐缩部分不同，也未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形《隐含公开》 | 段落[0022]：“所述取向层2上面还可根据需要进一步设置一PI取向层。” | 对比文件公开了在间隔子形成后可增设PI取向层（相当于配向膜），该层通过涂覆形成，自然会覆盖基板（通过取向层）和间隔子的整个表面，故配向膜形成在基础层和间隔物上。同时，基于特征C隐含公开的间隔物半球形顶部，本领域技术人员可合理推断配向膜涂覆后顺应间隔物形状，其顶部亦呈半球形。因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小《未公开》 | 无 | 对比文件未公开配向膜顶部形状的具体曲率参数，无法推断其满足2,000mm⁻¹或更小的条件，未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 无 | 对比文件无任何信息表明配向膜顶部存在曲率为0的平坦部分，未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内《未公开》 | 无 | 对比文件未公开配向膜的高度尺寸，未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内《未公开》 | 无 | 对比文件未公开配向膜的宽度尺寸，未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及间隔物的选择规则或形成几何图形的概念，未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何关于闭合图形形成的条件，未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 无 | 对比文件未公开关于闭合图形内部不含其他间隔物的要求，未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同《未公开》 | 无 | 对比文件未公开间隔子排列的边长度差异特性，未公开。 |
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