对比文件名称：2012-10-11_JP2012194257A_发明专利_JP2012194257A Display device and light barrier element
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括基础层**（直接公开） | 对比文件公开透明基板33A、33B作为一对基板（一対の基板）。具体记载：“透明基板３３Ａ，３３Ｂ（一対の基板）のうち、透明基板３３Ａが光入射側、透明基板３３Ｂが光出射側に配置されている。”（段落[2]） | 透明基板相当于本申请的基础层，二者均为支撑性基板，作用相同，均为光屏障结构的基础部件。对比文件明确公开了该技术特征。 |
| **特征B：设置在所述基础层上的复数个间隔物**（直接公开） | 对比文件记载：“複数のスペーサ３６が配設（立設，固設）されている。”（段落[2]）并且“スペーサ３６は、透明基板３３Ａ側および透明基板３３Ｂ側のいずれの側に形成されていてもよい。”（同一段落） | 多个间隔物固定设置在基板上，用于控制基板间距。功能与本申请一致。对比文件直接公开了该特征。 |
| **特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物**（未公开） | 对比文件记载：“スペーサ３６は、例えばフォトレジスト等の樹脂（例えば光硬化性樹脂等）からなり、例えば円柱等の柱形状に成型されている。”（段落[2]） | 对比文件明确描述间隔物为圆柱等柱状，顶部为平面或圆形，未提及半球形部分或半球形间隔物。本申请强调半球形部分带来的均匀取向效果，对比文件无此结构。 |
| **特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分**（未公开） | 对比文件未公开半球形部分，故无相关描述。 | 因特征C未公开，特征D必然未公开。对比文件间隔物弯曲部分仅圆柱侧面的直线，不符合弯曲形状的定义。 |
| **特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm^-1或更小的轨迹**（未公开） | 对比文件未涉及曲率概念。 | 对比文件未公开半球形部分，更未公开曲率数值限定。 |
| **特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物**（未公开） | 对比文件记载间隔物为单一柱状（円柱等の柱形状），未区分半球形与柱状部分。 | 本申请的柱状间隔物是在半球形部分下方具有额外的柱状段（如图3、4所示），对比文件的柱状间隔物无此半球形与柱状的高度关系。 |
| **特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小**（未公开） | 对比文件未公开半球形高度；但面积比率公开：“スペーサ３６の配置密度（面積密度）をそれぞれ、０．７０％，１．０７％，１．００％としている。”（段落[2]） | 面积比率部分被公开（均在20%以下），但半球形高度（5-20μm）完全未公开，整体特征G未被公开。 |
| **特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小**（未公开） | 对比文件公开间隔物随机配置，且“各単位領域２２におけるスペーサ３６の配置密度は、互いに略同一（略均等）となっていることが望ましい”（段落[2]）。 | 虽然强调密度均匀，但未公开标准间距P、标准偏差的具体数值及测量方法。随机配置不能必然得出标准偏差≤2，故未公开。 |
| **特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示**（未公开） | 对比文件未提及间隔正态分布图。 | 对比文件仅描述随机配置，未以正态分布图定义间距分布。 |
| **特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在Y轴上**（未公开） | 对比文件无此内容和定义。 | 特征I未公开，特征J自然未公开。 |
| **特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及最大高度小于1**（未公开） | 对比文件无相关数值和分布图。 | 未公开。 |
| **特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm的轨迹**（未公开） | 对比文件未公开半球形部分轨迹。 | 因半球形部分未公开，此特征未公开。 |
| **特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内**（未公开） | 对比文件记载：“スペーサ３６の径（Ｘ−Ｙ平面における円形状の直径）は、例えば５〜３０μｍ程度である。”（段落[2]） | 对比文件公开的是整个圆柱形间隔物的直径，并非本申请半球形部分的宽度。形状不同，不能直接对应。 |
| **特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分**（未公开） | 对比文件未描述间隔物底部的渐缩形状。 | 对比文件间隔物为圆柱或柱状，底部无渐缩弯曲部分。 |
| **特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形**（未公开） | 对比文件记载：“透明電極層３５Ａ，３５Ｂの液晶層３４側の面には、図示しない配向膜が形成されている。”（段落[2]）但未描述间隔物上配向膜形状。 | 对比文件配向膜只设置在电极层上，未明确覆盖间隔物；即使覆盖，间隔物为柱状，配向膜顶部为平面，非半球形。 |
| **特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm^-1或更小**（未公开） | 对比文件无相关公开。 | 未公开。 |
| **特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm的轨迹**（未公开） | 对比文件无相关公开。 | 未公开。 |
| **特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内**（未公开） | 对比文件未公开配向膜在间隔物上的高度。 | 未公开。 |
| **特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内**（未公开） | 对比文件未公开配向膜在间隔物上的宽度。 | 未公开。 |
| **特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时**（未公开） | 对比文件未涉及此选择方式。 | 未公开。 |
| **特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时**（未公开） | 对比文件无此条件。 | 未公开。 |
| **特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物**（未公开） | 对比文件无此限定。 | 未公开。 |
| **特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同**（未公开） | 对比文件未公开此排列特征。 | 未公开。 |
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