对比文件名称：2015-08-20_US2015234224A_发明申请_US20150234224A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型（基于深度学习的对比分析引擎）
## 特征比对表格
| 第一栏（技术特征描述及公开性判断结果） | 第二栏（对比文件原文引用，非中文已翻译） | 第三栏（公开性论述） |
| 技术特征A：包括基础层《直接公开》 | [0030]：“第一基础基板BS1可以是玻璃基板或塑料基板。” [0037]：“第二基础基板BS2可以是玻璃基板或塑料基板。” | 对比文件明确公开了作为基础层的第一基础基板（玻璃或塑料），与目标专利的基础层实质相同，均用于承载后续结构，作用一致。因此本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基础层上的复数个间隔物《直接公开》 | [0027]：“LCD装置300可以包括……多个主间隔物MS和多个辅助间隔物SS。” [0041]：“主和辅助间隔物MS和SS可以设置在非像素区域N-PA上，在截面中位于第一和第二基板之间。” [0043]：“主间隔物的底面与第一基板接触。” | 对比文件公开了多个主间隔物和辅助间隔物设置在第一基板（基础层）上，用于保持基板间隙，与目标专利复数个间隔物的设置方式和功能相同。因此直接公开。 |
| 技术特征C：每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《未公开》 | [0055]：“主间隔物MS可以具有第一顶面US1、第一底面BS1和第一侧表面S1。第一底面BS1的面积大于第一顶面US1的面积，第一侧表面S1与第一顶面US1和第一底面BS1成角度并连接它们。” 图3A、3B显示顶面为平坦平面。 | 对比文件中间隔物的顶部为平坦的顶面（US1），而非半球形部分；尽管侧面可具有曲率，但顶部形状与目标专利的半球形部分（顶部弯曲形状）完全不同。本领域技术人员无法从对比文件得到顶部为半球形结构的间隔物，也无法合理推断出该结构，故未直接或隐含公开。 |
| 技术特征D：所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《未公开》 | 同上，未公开半球形部分。 | 由于对比文件未公开半球形部分，因此包含弯曲形状的部分亦未公开。 |
| 技术特征E：所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 对比文件[0071]提及“第一侧表面S1可以具有曲率半径小于第二侧表面S2”，但未涉及顶部弯曲，且未给出具体曲率数值。 | 对比文件未公开顶部半球形部分的曲率数据，更未公开最大曲率为150mm⁻¹或更小。未公开。 |
| 技术特征F：每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《未公开》 | [0055]描述间隔物为锥形，从顶面到底面逐渐变宽；无柱状部分，亦无半球形顶部。 | 对比文件中间隔物整体呈锥形，无柱状结构，且顶部平坦，不符合“柱状间隔物+半球形顶部”的特征。未公开。 |
| 技术特征G：半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；间隔物占据面积比率为20%或更小《未公开》 | [0057]：“第一厚度T1大于第二厚度T2”，但未给出具体数值；未提及间隔物面积占总面积比率。 | 对比文件既未公开半球形部分（依赖C）的高度范围，也未公开间隔物占基础层面积比例。无法从对比文件中合理推断出具体数值范围，故未公开。 |
| 技术特征H：标准间距为P，选择10P边长的正方形区域，间隔物数量标准偏差≤2《未公开》 | 对比文件未提及标准间距、标准偏差或任何间距统计参数。 | 对比文件未公开间隔物排列的统计规律，无从得出标准偏差条件。未公开。 |
| 技术特征I：间隔物布置使得间距分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 对比文件未提及任何分布图。 | 对比文件未公开间距分布方式。未公开。 |
| 技术特征J：分布图X轴为间距、Y轴为比率《未公开》 | 对比文件未提及分布图坐标定义。 | 未公开。 |
| 技术特征K：比率总和为1；半高宽0.5μm-1000μm；最大高度小于1《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征L：所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 依赖于半球形部分，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征M：半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《未公开》 | 对比文件未公开半球形部分宽度。 | 未公开。 |
| 技术特征N：在间隔物底部形成截面轨迹曲率中心在外部的渐缩部分《未公开》 | [0055]描述底面平坦，无渐缩弯曲结构。 | 对比文件中间隔物底面为平面，无弯曲渐缩部分。未公开。 |
| 技术特征O：配向膜形成在基础层和间隔物上；间隔物上的配向膜顶部具有半球形《未公开》 | [0036]：“第一配向层AL1可以提供在第一基板上覆盖像素电极。” [0063]：“光敏膜PS形成在第一基板上”以形成间隔物，但未在间隔物上形成配向膜；第二配向层AL2在第二基板上。 | 对比文件中第一配向层在间隔物形成之前形成，间隔物形成后其表面没有另外的配向膜；且间隔物顶部平坦，无半球形配向膜。因此未公开该特征。 |
| 技术特征P：配向膜顶部半球形截面最大曲率≤2000mm⁻¹《未公开》 | 依赖于O，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：配向膜顶部半球形截面包括曲率为0的轨迹《未公开》 | 依赖于O，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征R：间隔物上的配向膜高度1-50μm《未公开》 | 依赖于O，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征S：间隔物上的配向膜宽度1-80μm《未公开》 | 依赖于O，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 对比文件未提及选择间隔物形成闭合图形。 | 对比文件未公开间隔物按三角形、四边形或六边形选取的方式。未公开。 |
| 技术特征U：条件为形成三角形、四边形或六边形的闭合图形《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征V：闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征W：间隔物设置使得三角形、四边形或六边形的边长至少一者不同《未公开》 | 对比文件未公开间隔物间距的不规则设置。 | 未公开。 |
<<<A>>><<<B>>>