**对比文件名称**：2014-03-25_US8680513B_发明授权_US08680513B2 Organic light emitting diode display
**目标专利名称**：1585基板CN110770646B
**本次调用的模型名称**：Gemini
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：包括：基础层<br>**→ 直接公开** | 对比文件[0011]记载：“一种有机发光二极管显示器，包括：基板构件；形成在基板构件上的多个像素电极；……”（英文原文：a substrate member） | 对比文件明确公开了“基板构件”，该构件起支撑作用，相当于目标专利的基础层。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征已被直接公开。 |
| **特征B**：和设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>**→ 直接公开** | 对比文件[0011]记载：“……从像素定义层向上突出的多个间隔物”；[0040]记载：“每个间隔物形成在像素定义层上”。 | 间隔物通过像素定义层间接形成在基板构件（基础层）上，目标专利允许间隔物通过其他层设置，因此复数个间隔物设置在基础层上已被直接公开。 |
| **特征C**：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物<br>**→ 直接公开** | 对比文件[0018]记载：“间隔物可以具有至少一部分形状为截头棱锥、棱柱、截头圆锥、圆柱、半球体或半扁球体。” | 对比文件明确列举了“半球体”作为间隔物的可选形状，半球体即包含半球形部分且该部分位于顶部，与目标专利的“半球形间隔物”定义一致，因此直接公开。 |
| **特征D**：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分<br>**→ 直接公开** | 同上，对比文件[0018]提及半球体。 | 半球体必然包含弯曲形状，该特征的描述属于对半球体形状的必然限定，故直接公开。 |
| **特征E**：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹<br>**→ 未公开** | 对比文件[0018]仅提及形状，未涉及任何曲率数值或范围。 | 对比文件无任何关于曲率的上限值或下限值的记载，本领域技术人员不能从对比文件直接或合理推理出该曲率限制条件，该特征未被公开。 |
| **特征F**：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物<br>**→ 未公开** | 对比文件[0018]分别列举了圆柱、半球体等独立形状，但未公开半球体与柱体的组合结构。 | 对比文件未教导间隔物具有柱状底部加半球形顶部的复合形状，所列形状均为单一形态，本领域技术人员无法毫无疑义地得出该结构，故未公开。 |
| **特征G**：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小<br>**→ 未公开** | 对比文件未记载半球形部分的高度数值，也未记载间隔物的面积比率。 | 对比文件在尺寸和面积占比方面均未给出任何具体数值范围，无法直接或隐含获得该特征。 |
| **特征H**：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小<br>**→ 未公开** | 对比文件[0042]记载：“间隔物可以均匀地或非均匀地分布在像素定义层上”。 | 对比文件仅提及均匀/非均匀分布，但未定义标准间距、正方形区域选择、标准偏差等具体参数，本领域技术人员无法从中推导出该特定统计条件。 |
| **特征I**：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示<br>**→ 未公开** | 对比文件未提及任何形式的分布图。 | 对比文件无相关内容，该特征未被公开。 |
| **特征J**：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上<br>**→ 未公开** | 对比文件未提及分布图。 | 该特征是对间隔正态分布图坐标的定义，对比文件无任何公开。 |
| **特征K**：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1<br>**→ 未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开任何关于分布图参数（总和、半高宽、最大高度）的信息，该特征未被公开。 |
| **特征L**：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>**→ 未公开** | 对比文件[0018]未公开半球形部分包含曲率为0的平坦部分。 | 对比文件虽提及截头圆锥等有平坦顶部，但该平坦顶部并非针对半球形部分的定义，目标专利中半球形部分可包含平坦部分（如说明书图2、4）的内容未被对比文件公开。 |
| **特征M**：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内<br>**→ 未公开** | 对比文件未记载半球形部分宽度的数值范围。 | 无尺寸公开。 |
| **特征N**：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分<br>**→ 未公开** | 对比文件未描述间隔物底部渐缩的具体形状。 | 对比文件未涉及该特定底部形状。 |
| **特征O**：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形<br>**→ 未公开** | 对比文件涉及有机发光二极管显示器，不含配向膜。 | 对比文件未公开任何配向膜及其形状。 |
| **特征P**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小<br>**→ 未公开** | 对比文件无配向膜相关公开。 | 无公开。 |
| **特征Q**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>**→ 未公开** | 对比文件无配向膜相关公开。 | 无公开。 |
| **特征R**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内<br>**→ 未公开** | 对比文件无配向膜相关公开。 | 无公开。 |
| **特征S**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内<br>**→ 未公开** | 对比文件无配向膜相关公开。 | 无公开。 |
| **特征T**：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时<br>**→ 未公开** | 对比文件[0042]提及间隔物可非均匀分布，但未涉及选择特定数量间隔物形成闭合图形的概念。 | 对比文件未公开该选择步骤。 |
| **特征U**：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时<br>**→ 未公开** | 对比文件未公开闭合图形的形成。 | 无公开。 |
| **特征V**：在所述闭合图形中不存在其他间隔物<br>**→ 未公开** | 对比文件未公开闭合图形内部无其他间隔物的条件。 | 无公开。 |
| **特征W**：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同<br>**→ 未公开** | 对比文件[0042]仅提及非均匀分布，但未具体到闭合图形边长不同。 | 对比文件未公开该具体的排列规则。 |
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