对比文件名称：2003-07-07_KR1020030058113A_发明公开_KR1020030058113A 액정표시소자
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：本AI模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括：基础层 《直接公开》 | 引用[34]：“在第一基板(101)上沿一个方向形成的栅极布线（未示出）突出的栅极电极(102)……”；引用[35]：“在第二基板(110)上形成遮光膜(111)……”。 | 对比文件明确公开了第一基板(101)和第二基板(110)作为基础层，用于支撑后续元件，与目标专利中基础层的作用完全相同。本领域技术人员可直接确定该特征已被公开。 |
| 特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物 《直接公开》 | 引用[36]：“还包括形成在相对的第一基板(101)与第二基板(110)之间的液晶(114)和形成为使两基板保持均匀间隔的非球形间隔物(100)。”；引用[37]：“间隔物(100)为半球形，与第一基板(101)接触的面积大，从而几乎固定在第一基板(101)上的第一配向膜(109a)上。” | 对比文件公开了间隔物(100)设置在第一基板（基础层）上，并且是多个（复数个），用于维持基板间隙。该特征与目标专利的对应特征一致，因此直接公开。 |
| 特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物 《直接公开》 | 引用[37]：“间隔物(100)为半球形(반구형)。” | 对比文件明确记载间隔物为半球形，即其顶部具有半球形部分。本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| 特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分 《直接公开》 | 引用[37]：“间隔物(100)为半球形。” | 半球形形状必然包含弯曲部分，本领域技术人员从“半球形”一词即可毫无疑义地得出其包含弯曲形状。因此直接公开。 |
| 特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及任何关于截面轨迹曲率的具体数值或范围，本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。 |
| 特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅公开了半球形间隔物（单纯半球体），其他实施例（圆锥形、截头圆锥形、四面体、五面体）均不包括半球形部分下方具有柱状部分的结构。本领域技术人员无法直接或合理推断出该特征。 |
| 特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未披露半球形部分的具体高度数值范围，也未提及间隔物占据基础层面积的比率，因此未公开。 |
| 特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未讨论间隔物的间距、标准间距、正方形区域选择及标准偏差等统计参数，因此未公开。 |
| 特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及任何关于间距分布或正态分布图的概念，因此未公开。 |
| 特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及分布图的坐标定义，因此未公开。 |
| 特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开分布图的总和、半高宽或最大高度等参数，因此未公开。 |
| 特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件的半球形间隔物未明确具有平坦顶部（曲率为0的轨迹），其他实施例中虽截头圆锥形有平坦面，但其非半球形，故无法直接或隐含得出该特征。 |
| 特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未给出半球形部分的宽度数值范围，因此未公开。 |
| 特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开间隔物底部具有这种特定弯曲形状的渐缩部分；圆锥形等虽底部渐缩，但其截面轨迹为直线，非弯曲形状且曲率中心不在外部，因此未公开。 |
| 特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件[34][35]公开了配向膜(109a,109b)形成在基板上，但未公开配向膜形成在间隔物上；间隔物是独立元件，配向膜未覆盖其顶部，因此未公开。 |
| 特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及配向膜顶部的曲率，因此未公开。 |
| 特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及配向膜顶部轨迹的曲率特性，因此未公开。 |
| 特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及形成在间隔物上的配向膜的高度，因此未公开。 |
| 特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及形成在间隔物上的配向膜的宽度，因此未公开。 |
| 特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何关于间隔物选择形成特定多边形的方法，因此未公开。 |
| 特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开闭合图形的概念，因此未公开。 |
| 特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开闭合图形内无其他间隔物的条件，因此未公开。 |
| 特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开间隔物排列形成边长不同的多边形，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>>