对比文件的名称：2014-07-30_CN103959154A_发明公开_CN103959154A 液晶显示装置
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层（直接公开） | 段[0071]：“彩色滤光片基板10包括玻璃基板等透明的绝缘基板2” | 对比文件中的绝缘基板2即为支撑性基础层，在装置中起承载其他元件的作用，与目标专利的基础层结构和功能完全相同。本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（直接公开） | 段[0066]：“在BM4上配置有副间隔物5和主间隔物15” | 对比文件明确在绝缘基板2上通过黑矩阵等结构设置有多个副间隔物和主间隔物，即复数个间隔物。直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（直接公开） | 段[0081]：“在图7(a)～(c)所示的情况下，副间隔物5的前端部变圆成球状”；段[0067]：“副间隔物5形成为圆滑的凸形状”；图2示出实施方式1的剖视形状 | 对比文件实施例的副间隔物顶部呈球状（半球形部分），整体为圆滑凸形，完全符合目标专利对半球形间隔物的定义（可为完整的半球形或近似半球形）。本领域技术人员可直接确认。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（直接公开） | 同上：前端部变圆成球状、圆滑的凸形状 | 对比文件中的副间隔物顶部即由弯曲曲线构成，直接公开了“包含弯曲形状的部分”。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（隐含公开） | 段[0166]：副间隔物的底面的直径为12μm、厚度为2.5μm；段[0081]：前端部变圆成球状 | 对比文件实施例的副间隔物具有球状前端，其高度2.5μm、底面直径12μm。本领域技术人员根据该尺寸可合理推断出截面轨迹的最大曲率（若为圆弧约为118mm⁻¹）必然小于150mm⁻¹，因此隐含公开了该曲率范围特征。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（直接公开） | 段[0081]：“还可以如图7(c)那样为圆柱形”且“在图7(a)～(c)所示的情况下，副间隔物5的前端部变圆成球状” | 对比文件公开了圆柱形间隔物，其顶部变圆成球状，即下方为圆柱柱状部分、上方为半球形部分，且半球形部分的高度必然小于柱状部分的总高。直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件实施例中半球形部分的高度仅为2.5μm，远小于5μm，且未提及任何面积比率信息。未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及标准间距、区域选择及标准偏差等概念。未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件仅提及最相邻副间隔物间的距离为30μm，未公开任何间距分布图。未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（直接公开） | 段[0081]：“还可以如图8(c)所示那样为前端部平坦的圆柱状” | 对比文件公开了具有平坦顶部的圆柱状间隔物，其顶部轨迹为直线，曲率为0。直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（直接公开） | 段[0166]：“副间隔物的底面的直径为12μm” | 对比文件实施例的副间隔物底面直径为12μm，该特征对于半球形间隔物即对应半球形部分的宽度，且12μm落入2-40μm范围内。直接公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未对间隔物底部形状作任何特殊限定，未公开渐缩部分。未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（未公开） | 段[0083]：“水平光取向膜7不形成在副间隔物5上，或者在副间隔物5上仅极微量地形成” | 对比文件明确教导取向膜通常不在副间隔物上形成或仅极微量，因此未公开在间隔物上形成配向膜并具有半球形顶部。未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及选择特定数量的间隔物形成几何图形。未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开） | 无相关公开内容 | 未公开。 |
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