对比文件的名称：2008-10-16_US2008252841A_发明申请_US20080252841A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层 **《直接公开》** | 对比文件[0024]：“阵列基板10包括玻璃基板11……对向基板30包括玻璃基板31”。 | 对比文件明确公开了作为基础层的玻璃基板（11或31），其作用与目标专利中的基础层相同，均为承载其他元件的基底。本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物 **《直接公开》** | 对比文件[0023]：“柱状间隔物36设置在阵列基板10与对向基板30之间”。[0026]：“在本实施例中，间隔座36a设置在累积电容电极17上。也就是说，间隔物36设置在每个像素电极21上”。 | 对比文件公开了在基础层（阵列基板）上设置多个间隔物（spacer 36），其作用为保持基板间间隙。本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物 **《直接公开》** | 对比文件[0028]：“间隔构件36b的前端不是平坦的，而是弯曲的。在本实施例中，间隔构件36b的前端可以是半球形或根据需要的弯曲形状”。 | 对比文件明确描述间隔物36的顶部（间隔构件36b的前端）为弯曲形状，且可以是半球形。间隔物整体（间隔座+间隔构件）即构成在顶部具有半球形部分的间隔物。该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分 **《直接公开》** | 对比文件[0028]同上述引用，明确间隔构件前端为弯曲形状，即包含弯曲形状的部分。 | 对比文件公开了半球形部分（间隔构件前端）是间隔物的弯曲部分。作用相同，均为实现顶部曲面形状。所以直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹 **未公开** | 对比文件[0043]：“通过调整树脂溶液的物理性质值如粘度、表面张力等以及间隔座36a的表面能和印刷工艺条件，间隔构件36b的前端可以获得所需的表面曲率”。 | 对比文件虽提及可调整曲率，但未公开任何曲率具体数值或范围。本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出“最大曲率150mm⁻¹或更小”这一具体限定，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物 **《直接公开》** | 对比文件[0023]：“柱状间隔物36包括间隔座36a和间隔构件36b”。[0035]：“间隔物36的高度为4μm……间隔座36a的高度为1.0-3.0μm，间隔构件36b的高度为1.0-3.0μm”。 | 对比文件明确间隔物36为柱状（column shape），且总高度（4μm）高于半球形部分（间隔构件）的高度（1.0-3.0μm）。所述间隔座为柱状部分，因此构成“包括半球形部分且具有高于半球形部分的高度的柱状间隔物”。直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小 **未公开** | 对比文件[0035]公开间隔构件（半球形部分）高度为1.0-3.0μm。对比文件全文未提及间隔物占据面积比率。 | 对比文件公开的半球形部分高度范围为1.0-3.0μm，与目标专利的5-20μm范围完全不同，且未给出任何达到或选择该范围的教导。此外，对比文件对间隔物面积比率无任何描述。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小 **未公开** | 对比文件[0027]：“间隔物的排列或密度可以根据液晶面板的尺寸或用途进行各种修改，而不限于图1a所示的实施例”。 | 对比文件仅泛泛提及排列和密度可修改，但未定义标准间距、标准偏差或任何关于间隔物数量均匀性的具体度量。本领域技术人员无法从中得出该技术特征。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示 **未公开** | 对比文件全文均未涉及间隔物间距的统计分布或正态分布图。 | 对比文件没有描述间距分布的任何形式，更未提及正态分布图。本领域技术人员无法从对比文件推理出该特征。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上 **未公开** | 对比文件未公开任何分布图及其坐标定义。 | 同技术特征I，对比文件无相关公开内容。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1 **未公开** | 对比文件未公开分布图、半高宽、最大高度等参数。 | 对比文件无任何关于间距分布、半高宽、最大高度的描述，既未直接公开，也无法隐含推出。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 **未公开** | 对比文件[0028]强调前端是弯曲的（curved），且可呈半球形，未描述存在平坦（曲率0）轨迹。 | 对比文件明确间隔构件前端为弯曲形状，未提及存在平顶或曲率为0的部分，且其实施例旨在避免平顶以保证弹性。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内 **未公开** | 对比文件[0030]公开间隔座底部为15μm方形，但未公开半球形部分（间隔构件）的宽度。 | 对比文件虽然涉及间隔构件形成，但对宽度无任何数值或范围限定。本领域技术人员无法直接得到2-40μm的宽度范围。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分 **未公开** | 对比文件[0041]公开间隔座结构（堆叠层），但未描述底部有任何渐缩或外曲率弯曲形状。 | 对比文件未提及间隔物底部具有特定弯曲渐缩部分。因此该特征未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形 **未公开** | 对比文件[0031]：“最后，形成取向膜以覆盖整个显示区域”。 | 对比文件公开了配向膜形成在基础层和间隔物上（覆盖整个显示区域），但未描述配向膜在间隔物上的具体形状，更没有公开配向膜顶部具有半球形。由于第二部分未公开，整体特征未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小 **未公开** | 对比文件未涉及配向膜形状的曲率。 | 同技术特征O，对比文件对配向膜在间隔物上的形状无任何描述，更无曲率数据。未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 **未公开** | 对比文件未涉及配向膜轨迹是否有曲率为0的部分。 | 对比文件无相关公开内容。未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内 **未公开** | 对比文件未给出配向膜在间隔物上的高度值或范围。 | 对比文件无此数据。未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内 **未公开** | 对比文件未给出配向膜在间隔物上的宽度值或范围。 | 对比文件无此数据。未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时 **未公开** | 对比文件[0027]仅提及其排列密度可修改，但无具体选择间隔物形成图形的描述。 | 对比文件未公开任何关于选择特定数量间隔物形成闭合图形的技术内容。因此未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时 **未公开** | 对比文件无相关描述。 | 同T，未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物 **未公开** | 对比文件无相关描述。 | 同T，未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同 **未公开** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开间隔物排列具有边长不同的几何图形。未公开。 |
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### 输出代码
根据直接公开的技术特征插入对应大写代码，未公开的特征不插入任何代码。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>>