对比文件的名称：2015-07-21_KR1020150083956A_发明公开_KR1020150083956A 표시장치 및 이의 제조방법
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek-chat
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层** 《直接公开》 | [0015] “所述第一显示基板(100)包括第一基础基板(110)和像素电极(130)。”<br>[0019] “所述第二显示基板(200)包括第二基础基板(210)……” | 对比文件明确公开了第一基础基板110和第二基础基板210，即相当于权利要求中的基础层，且作用为支撑其上的结构，与目标专利中基础层的作用相同。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物** 《直接公开》 | [0022] “在所述第一和第二显示基板(100,200)之间设置有第一和第二间隔物(261,262)。”<br>[0063] “所述第一和第二间隔物(261,262)可以设置在选定基板上。” | 对比文件公开了多个间隔物（第一间隔物、第二间隔物）设置在基板上（如第二基础基板210上），用于保持基板间隔，即公开了复数个间隔物设置于基础层上。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物** 《隐含公开》 | [0033] “在下膜(10)上形成初始图案(11)。初始图案具有第一高度(h1)和第一宽度(w1)。”<br>[0038] “当所述下膜(10)具有疏水性时，经热处理后所述初始图案(11)变为具有第三高度(h3)和第三宽度(w3)的第二图案(13)，所述第三高度大于第一高度，所述第三宽度小于第一宽度。”<br>[0074]-[0077] 类似描述：疏水区域上形成的间隔物高度增加、宽度减小。 | 对比文件未直接使用“半球形”术语，但其描述的通过热回流形成的间隔物在疏水下膜上高度增加、宽度减小，在表面张力作用下顶部必然呈现弯曲形状，且该弯曲形状具有类似半球形的外观。本领域技术人员可以合理推断出该间隔物的顶部为半球形部分。因此隐含公开。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分** 《隐含公开》 | 同上[0033]-[0038]及[0074]-[0077]。 | 基于特征C的隐含公开，该间隔物顶部包含的弯曲形状部分显然对应于半球形部分，该部分具有弯曲形状的截面。对比文件的热回流过程自然形成弯曲顶部，因此本领域技术人员可毫无疑义地得出该弯曲部分相当于半球形部分。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹** 《未公开》 | 对比文件全文未提及曲率数值。 | 对比文件未给出间隔物弯曲部分的任何曲率信息，且从其所描述的尺寸（如初始宽度30μm、高度3μm）推算，其曲率远大于150mm⁻¹（曲率半径约在微米级）。本领域技术人员无法从对比文件中得到关于最大曲率为150mm⁻¹或更小的任何教导或暗示，因此未公开。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物** 《隐含公开》 | [0033] “在基板上形成初始图案(11)，其具有第一高度(h1)和第一宽度(w1)。”<br>[0074] “在公共电极及开口图案上形成初始间隔物图案(260)。”<br>[0077] “在疏水性的公共电极上形成的初始间隔物图案变成第一间隔物(261)，其宽度更小、高度更大。” | 对比文件中的初始图案为柱状（具有宽度和高度），经过热回流后，顶部变为弯曲（半球形部分），而底部仍保留柱状结构，因此整体形成在柱状顶部带有半球形部分的形状。本领域技术人员可合理推断该间隔物为柱状间隔物且半球形部分高度小于总高度。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小** 《未公开》 | [0035] “如果初始图案的宽度为30μm，高度为3μm……”<br>[0037]-[0038] 仅定性描述尺寸变化，未给出具体高度范围和面积比率。 | 对比文件公开的初始高度为3μm，远小于5μm，且热回流后的高度虽有增加但未给出达到5～20μm的具体数值。对比文件亦未计算或提及间隔物所占面积比率。因此未公开该特定数值范围。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小** 《未公开》 | [0023] “第一和第二间隔物……可以沿着栅极线或数据线以点的形式布置。”<br>[0065] “第一和第二间隔物沿栅极线排列。” | 对比文件仅提及间隔物沿线路排列，未公开其标准间距、所选正方形区域及间隔物数量标准偏差等任何参数。本领域技术人员无法从中推断出该排列均匀性指标。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示** 《未公开》 | 对比文件全文未提及间隔正态分布图。 | 对比文件未涉及间隔物间距的统计分布概念，未公开任何关于间距分布图的内容。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上** 《未公开》 | 同上，未提及分布图。 | 对比文件未公开正态分布图，更未公开其轴定义。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1** 《未公开》 | 同上，未提及。 | 对比文件无任何关于比率总和、半高宽或最大高度的教导。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** 《隐含公开》 | [0037] “当所述下膜(10)具有亲水性时，所述初始图案(11)变为具有第二高度(h2)和第三宽度(w3)的第一图案(12)，所述第二高度小于第一高度，所述第二宽度大于第一宽度。”<br>图2c及图3c示意亲水情况下图案变宽变矮。 | 在亲水性下膜上，间隔物高度降低、宽度增加，其顶部趋于平坦（柱状顶部形成平面），从而可能包含曲率为零的区段。本领域技术人员可合理推断该情况下间隔物的顶部轨迹可能具有曲率为零的部分。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内** 《隐含公开》 | [0035] “初始图案的第一宽度为30μm。”<br>[0037]-[0038] 宽度在亲水时增大，疏水时减小。 | 对比文件初始宽度30μm本身落入2～40μm范围内，且热处理后宽度虽变化但可能仍在该范围内。本领域技术人员可合理推断最终间隔物的宽度可能落在该范围内，从而隐含公开。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分** 《未公开》 | 对比文件全文未描述底部渐缩形状。 | 对比文件未公开间隔物底部具有特定弯曲形状的渐缩部分，亦无相关教导或暗示。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形** 《未公开》 | 对比文件全文未提及时配向膜。 | 对比文件描述液晶层注入基板间，未涉及配向膜的形成或形状。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出存在配向膜及其顶部半球形。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小** 《未公开》 | 同上，无配向膜内容。 | 对比文件未公开配向膜，更无其曲率参数。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未涉及。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未涉及。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未涉及。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时** 《未公开》 | [0023] “间隔物……可以沿着栅极线或数据线以点的形式布置。”<br>[0065] “第一和第二间隔物沿栅极线排列。” | 对比文件中间隔物沿线性排列，未提及选择三个、四个或六个间隔物构成多边形。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开形成闭合多边形的概念。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开闭合图形内无其他间隔物的条件。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同** 《未公开》 | 同T、U。 | 对比文件未公开多边形边长差异。 |
<<<A>>><<<B>>><<<c>>><<<d>>><<<f>>><<<l>>><<<m>>>