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对比文件列表
1993-01-14_None_发明专利_JPH055758A Current detecting apparatus_+++A_C_H_J_e_n+++.docx
2026-07-03 01:11
2005-01-27_US2005017760A_发明申请_US20050017760A1 Current sense shunt resistor circuit_+++A_E_F_G_H_J+++.docx
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2010-03-25_DE102009034448A_发明专利_DE102009034448A1 Detection of average current absorbed by a direct current electromotor, in a motor vehicle, uses the inductivity at a filter at the power supply connec_+++C_G_J_a_b_d_e_f_h_i_n+++.docx
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2012-10-11_WO2012137980A_发明申请_WO2012137980A1 SHUNT RESISTANCE TYPE CURRENT SENSOR_+++A_C_H_J_L+++.docx
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2012-11-12_JP2012220249A_发明专利_JP2012220249A Shunt resistance type current sensor_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2014-01-16_US2014015515A_发明申请_US20140015515A1 Shunt Resistance Type Current Sensor_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2014-02-12_EP2694985A_发明公开_EP2694985A1 SHUNT RESISTANCE TYPE CURRENT SENSOR_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2014-04-21_JP2014070275A_发明专利_JP2014070275A Plasma treatment method, and plasma treatment apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_a_b_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o+++.docx
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2014-08-01_KR1020140095285A_发明公开_KR1020140095285A 션트 저항의 온도계수를 이용한 가변부하의 전류 측정방법_+++A_C_H_J_g_i+++.docx
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2015-02-18_EP2837941A_发明公开_EP2837941A1 SHUNT RESISTANCE TYPE CURRENT SENSOR_+++A_H_L_i_j+++.docx
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2015-08-06_US2015219690A_发明申请_US20150219690A1 CURRENT SENSOR_+++H_a_j+++.docx
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2016-05-25_JP5926495B_发明专利_JP5926495B2 シャント抵抗式電流センサ_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2016-12-14_KR101686485B_发明授权_KR101686485B1 과전류 검출 전압 보정 방법 및 전지 보호 집적 회로_+++H_a_f_g_j+++.docx
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2017-09-07_US2017254839A_发明申请_US20170254839A9 METAL SHUNT RESISTOR_+++H_L_a_j+++.docx
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2018-02-15_JP2018025446A_发明专利_JP2018025446A 電流検出装置_+++A_C_H_L_i_j+++.docx
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2018-02-23_CN107728094A_发明公开_CN107728094A 电流校准系数测量装置和方法、电流检测装置和方法_+++A_H_J_L+++.docx
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2018-02-15_JP2018025446A_发明专利_JP2018025446A 電流検出装置_+++A_C_H_L_i_j+++.docx

对比文件名称:2018-02-15_JP2018025446A_发明专利_JP2018025446A 電流検出装置

目标专利名称:1619用于校正分流电阻器的电流值的系统和方法 CN111542760B

模型名称:DeepSeek

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:电流计算单元,基于检测到的电压值和第一电阻值计算电流值。《直接公开》对比文件[0017]:“微处理器26基于输入的电流信号(即电压信号)和预先给定的相当于分流电阻体16的电阻值的常数,逐次计算流过分流电阻安装总线20的电池电流Iout。”对比文件公开了通过微处理器基于电压信号(对应电压值)和电阻常数(第一电阻值)计算电流值,其作用与目标专利的电流计算单元完全相同,均用于获取流过分流电阻器的实时电流值。因此直接公开。
技术特征B:功率计算单元,基于电流值和第一电阻值计算功耗和发热值。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件全文未涉及功耗或发热值的计算,也未公开任何用于计算发热值的单元或步骤。因此未公开。
技术特征C:温度测量单元,测量分流电阻器的环境温度值。《直接公开》对比文件[0019]:“微处理器26基于设置在分流电阻体16附近的温度传感器12的信号,计算分流电阻体16的温度。”温度传感器12用于测量温度。对比文件公开了温度传感器(温度测量单元)测量分流电阻体附近的温度,该温度即为环境温度(附近介质的温度)。其功能与目标专利的温度测量单元一致,均用于获取环境温度值以参与后续计算。因此直接公开。
技术特征D:最终温度值计算单元,根据基于发热值和热阻系数计算的发热温度值以及环境温度值计算第二最终温度值和变化量。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开发热值、热阻系数、发热温度值等概念,也未公开通过发热温度值和环境温度值计算最终温度及变化量的步骤。其温度校正直接基于传感器测量的温度而非热模型推导。因此未公开。
技术特征E:计算分流电阻器的最终温度值变化量。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开计算最终温度值变化量,其温度校正不涉及从第一最终温度到第二最终温度的变化量计算。因此未公开。
技术特征F:电阻计算单元,基于最终温度值变化量和温度系数计算第二电阻值。《未公开》对比文件[0020]提及温度校正,但未说明具体计算方式。对比文件虽进行温度校正以改变电阻值,但未公开基于最终温度值变化量和温度系数计算第二电阻值。其校正方法不明确,且不涉及温度变化量的计算。因此未公开。
技术特征G:电阻计算单元通过式4(R=Ri+(T*b))确定第二电阻值。《未公开》对比文件无相关公式记载。对比文件未公开该具体计算公式。因此未公开。
技术特征H:电压测量单元,当电压下降时检测电压值。《直接公开》对比文件[0017]:“差动放大器24接收来自微处理器26通过电阻R3的驱动信号,将从分流电阻体16接收的电流信号(=分流电阻体16的两端电压ΔVRs)放大后,通过A/D元件25逐次输入到微处理器26。”对比文件公开了差动放大器作为电压测量单元,专门用于检测分流电阻体两端的电压降。其作用与目标专利的电压测量单元完全相同。因此直接公开。
技术特征I:电流计算单元将第一电阻值改变为从电阻计算单元提供的第二电阻值。《隐含公开》对比文件[0017]使用预先给定的电阻常数;[0020]显示温度校正后电阻值变化(特性30→特性31)。本领域技术人员结合对比文件可知:微处理器进行温度校正后,必然会更新用于电流计算的电阻常数(即第一电阻值改变为校正后的第二电阻值),否则校正无意义。因此可以合理推断该特征,属于隐含公开。
技术特征J:电流计算单元通过式1(I=V/R)确定电流值。《隐含公开》对比文件[0017]基于电压信号和电阻常数计算电流。微处理器基于电压和电阻计算电流必然遵循欧姆定律(I=V/R),这是本领域公知常识。对比文件虽未明确写出公式,但本领域技术人员可以毫无疑义地认识到其本质即为该关系式。因此隐含公开。
技术特征K:功率计算单元通过式2(E=I²·R·t)确定发热值。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开任何发热值计算公式或积分计算功耗的步骤。因此未公开。
技术特征L:温度测量单元与分流电阻器相邻地设置。《直接公开》对比文件[0019]:“设置在分流电阻体16附近的温度传感器12”。对比文件明确记载温度传感器与分流电阻体“附近”设置,即相邻配置。与目标专利特征L完全相同。因此直接公开。
技术特征M:最终温度值计算单元通过式3(T=(E·a)+Ta-Ti)确定第二最终温度值和最终温度值变化量。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开式3或类似利用发热值、热阻系数、环境温度及第一最终温度的计算方式。因此未公开。
技术特征N:计算分流电阻器的第二最终温度值和最终温度值变化量。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开计算第二最终温度值及变化量的步骤,其温度校正不涉及此类计算。因此未公开。
技术特征O:然后将第一最终温度值改变为第二最终温度值,并给出式3。《未公开》对比文件无相关记载。对比文件未公开将第一最终温度值更新为第二最终温度值的过程及具体公式。因此未公开。

<<<A>>><<<C>>><<<H>>><<<L>>><<<i>>><<<j>>>

权利要求与技术特征

A 所述系统包括,电流计算单元,该电流计算单元被配置成基于检测到的设置在电路中的分流电阻器的电压值和所述分流电阻器的第一电阻值来计算所述分流电阻器的电流值
B 功率计算单元,该功率计算单元被配置成基于设置在所述电路中的所述分流电阻器的所述电流值和所述分流电阻器的所述第一电阻值来计算所述分流电阻器的功耗和发热值
C 温度测量单元,该温度测量单元被配置成测量所述分流电阻器的环境温度值
D 最终温度值计算单元,该最终温度值计算单元被配置成根据基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数计算的所述分流电阻器的发热温度值以及所述分流电阻器的环境温度值来计算所述分流电阻器的第二最终温度值和与电流流动之前的第一最终温度值相比的所述第二最终温度值的变化量
E 计算所述分流电阻器的最终温度值变化量
F 电阻计算单元,该电阻计算单元被配置成基于所计算的所述分流电阻器的最终温度值变化量以及所述分流电阻器根据温度变化而变化的温度系数值来计算所述分流电阻器的第二电阻值
G 其中,所述电阻计算单元将通过下面的式4计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二电阻值,[式4] R=Ri+(T*b),这里,R是所述分流电阻器的所述第二电阻值,Ri是所述分流电阻器的所述第一电阻值,T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量,并且b是所述分流电阻器的温度系数。
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