对比文件的名称：2007-07-12_US2007158848A_发明申请_US20070158848A1 Electronic component
目标专利的名称：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**《隐含公开》** | [0031] The substrate S may be a semiconductor substrate, a quartz substrate, a glass substrate, a silicon on insulator (SOI) substrate, a silicon on quartz (SOQ) substrate, or a silicon on glass (SOG) substrate. | 对比文件公开了用于承载电子组件（如电容器、电感器）的基板（substrate S）。虽然对比文件未明确记载“第一沉积层间电介质”这一表述，但根据图2、图3、图5及说明书[0031]、[0038]、[0040]段，其公开了在基板S上形成有覆盖层（cover layer 50）以及作为电容器电介质层的“dielectric layer 13”。这些电介质层是沉积在基板S上的。本领域技术人员根据对比文件的整体教导，能够毫无疑义地理解，基板S支撑着其上形成的包括电介质层在内的各层结构。因此，对比文件隐含公开了“支撑第一沉积层间电介质的基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**《直接公开》** | [0032] The capacitors 10A, 10B respectively have a laminate structure including electrode layers 11, 12 and a dielectric layer 13.<br>[0033] The electrode layer 11 is a lower electrode layer formed in a pattern on the substrate S, and has a laminate structure including an underlying adhesion layer 11a, a main conductive layer 11b and an adhesion metal layer 11c...<br>[0034] The electrode layer 12 is an upper electrode layer formed so as to confront the electrode layer 11 via the dielectric layer 13...<br>[0038] The interconnect 40 serves to electrically connect the components on the substrate S, and includes a first interconnect region 41 patterned on the substrate S... | 目标专利中的“后端制程（BEOL）导电层”指在基板上通过半导体后端工艺形成的导电互连层。对比文件[0032]-[0034]段公开了在基板S上形成的电容器10A、10B，其包含由下电极层11和上电极层12构成的叠层结构，这些电极层由导电材料（如Cu, Au, Ag, Al）构成，并通过溅射、电镀等工艺形成，这属于典型的BEOL工艺。同时，[0038]段公开了在基板S上图案化的互连层（first interconnect region 41）。这些导电层（电极层、互连层）共同构成了位于基板S上方一定高度（即第一标高）的导电结构。因此，对比文件直接公开了“包括BEOL导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处”的技术特征。 |
| **技术特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**《未公开》** | 未找到对应结构。 | 对比文件公开的电容器10A/10B结构包括：在基板S上的下电极层11（对应第一导电层）、在下电极层11上的电介质层13（对应第二沉积电介质层）、在电介质层13上的上电极层12（对应第二导电层）。然而，对比文件并未公开目标专利权利要求中定义的“第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上”、“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”的特定多层堆叠和互连结构。目标专利的特征C描述了一个包含至少三个导电层（第一、第二、第三）、两个电介质层以及通孔互连的复杂导电栈，该结构用于实现应力缓解。对比文件的电容器是简单的MIM结构，其下电极11与上电极12之间仅通过电介质层13隔开，没有公开额外的层间电介质层和通过通孔连接的第三导电层。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**《未公开》** | 未找到对应结构。 | 对比文件确实公开了在基板S上形成的多个导电结构，例如电容器10A、10B的电极层11、12以及互连层40（第一互连区域41）。然而，这些结构并未被明确描述或图示为具有不同“标高”的独立“导电栈”。目标专利中“第二导电栈”的核心在于其BEOL导电层（第三导电层）直接位于基板表面，且其整体高度（标高）与第一导电栈不同，这是实现应力缓解的关键布局。对比文件没有教导或暗示在基板上布置这种具有不同高度、且其中一个导电栈的导电层直接接触基板表面的多个独立导电栈结构。所有导电层似乎都通过类似的工艺步骤形成在相近的平面或通过介电层隔离，未体现目标专利中通过不同标高布局来缓解应力的构思。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**《未公开》** | 未找到对应描述或图示。 | 目标专利的特征E旨在通过暴露导电栈之间的基板表面来减少层间电介质材料，从而缓解应力。对比文件的附图（如FIG. 2, FIG. 3）显示，基板S的表面基本上被下电极层11、互连区域41、电介质层13、覆盖层50等结构连续覆盖，没有公开在类似“第一导电栈”和“第二导电栈”的结构之间存在特意暴露的基板表面区域。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**《未公开》** | [0036] The coil inductor 20 is a flat spiral coil patterned on the substrate S as shown in FIGS. 1 and 3... Preferable materials of the coil inductor 20 include Cu, Au, Ag and Al. | 对比文件明确公开了在基板S上形成的线圈电感器20（coil inductor 20）。然而，目标专利的特征F限定了该电感器是“用第一导电层和第三导电层形成的”。这意味着电感器由权利要求中之前定义的第一导电栈中的特定导电层（第一导电层和第三导电层）构成。对比文件中的电感器20是一个独立的平面螺旋线圈结构，其材料虽与电极层材料类似（Cu等），但并未被描述为由电容器结构中的“第一导电层”和“第三导电层”形成或构成其一部分。因此，对比文件虽然公开了电感器，但未公开由权利要求中限定的特定导电层构成电感器的技术特征。 |
| **技术特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**《直接公开》** | [0032] The capacitors 10A, 10B respectively have a laminate structure including electrode layers 11, 12 and a dielectric layer 13.<br>[0033] The electrode layer 11 is a lower electrode layer...<br>[0034] The electrode layer 12 is an upper electrode layer...<br>[0035] The dielectric layer 13 may preferably be constituted of an oxide dielectric or a nitride dielectric... | 目标专利的特征G限定了第一导电栈中包含一个由第一导电层、第二沉积电介质层（介于第一与第二导电层之间）和第二导电层形成的MIM电容器。对比文件[0032]-[0035]段明确公开了电容器10A、10B，其具有包括下电极层11（对应第一导电层）、电介质层13（对应第二沉积电介质层）和上电极层12（对应第二导电层）的叠层结构，这正是典型的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**《直接公开》** | [0004] In a radio frequency (hereinafter, RF) system such as a mobile phone or a wireless LAN...<br>[0006] ...an integrated passive device (hereinafter, IPD)... may be employed as the passive element... | 目标专利的特征H限定了包含所述结构的集成器件的应用领域。对比文件[0004]段明确提到了其电子组件（包括IPD）可应用于“移动电话（mobile phone）”或“无线局域网（wireless LAN）”。移动电话属于“通信设备”的一种具体类型，而无线局域网设备可以属于“通信设备”或“计算机”的范畴。因此，对比文件直接公开了该集成器件可被纳入到“通信设备”中，这落入了目标专利权利要求所列举的“音乐播放器...通信设备...计算机中的至少一者”的范围之内。因此，该技术特征被直接公开。 |
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