对比文件名称：2013-02-28_JP2013041875A_发明专利_JP2013041875A Solid state imaging element, solid state imaging element manufacturing method and electronic apparatus
目标专利名称：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**判断结果**：《直接公开》 | [2] 半導体基体１１<br>（译文：半导体基体11） | 对比文件公开了半导体基体（例如11, 21, 51等），其作为固体摄像元件的支撑基础。在目标专利中，基板102（例如玻璃）用于支撑导电栈和层间电介质。虽然二者材料（硅 vs. 玻璃）和所支撑的具体器件（光电二极管 vs. BEOL导电栈）不同，但“基板/基体”作为支撑结构的功能是相同的。本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“支撑……的基板”这一结构特征。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 目标专利的“第一导电栈”是由后端制程(BEOL)的沉积导电层（如M1, M2, M3）和层间电介质堆叠而成的互连结构，用于电连接和应力缓解。对比文件涉及固体摄像元件的前端制程(FEOL)，其描述的结构（如光电二极管PD1、PD2）是由半导体基体内部掺杂形成的半导体区域（如n型、p型区域），并非沉积形成的BEOL金属导电层。对比文件未公开任何由BEOL导电层构成的“导电栈”，也未提及不同导电栈相对于基板具有不同“标高”的概念。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 技术特征C定义了第一导电栈的具体分层堆叠结构，涉及多个沉积的导电层（金属）、沉积的层间电介质以及通孔连接。对比文件全文描述的是在半导体基体中通过离子注入形成掺杂区域（如n型、p型区域）以构成光电二极管和像素分离区，完全没有提及在基板表面“沉积并图案化”金属导电层、沉积层间电介质（如ILD）、或形成用于层间连接的通孔（如Via）。对比文件的结构与目标专利的BEOL多层互连结构在材料、工艺和结构上均完全不同。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 如对特征B和C的论述，对比文件未公开任何由BEOL导电层构成的“导电栈”。对比文件中虽然在基板两侧（表面和背面）形成了半导体区域（如PD1和PD2），但这些是掺杂区域，并非沉积的金属导电层，也不构成BEOL意义上的“导电栈”。因此，“第二导电栈”及其包含“直接在基板表面上的第三导电层”的特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 该特征限定了在两个导电栈之间的区域，基板表面是暴露的，未被层间电介质覆盖，这是目标专利应力缓解结构的一个关键点。对比文件由于根本不存在“第一导电栈”和“第二导电栈”，因此自然不可能公开两者之间基板表面暴露的特征。虽然对比文件的半导体基体表面可能存在未被其他材料覆盖的区域，但这与特定导电栈结构之间的暴露无关。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 目标专利中，电感器是利用导电层（如M1和M3）形成的无源器件。对比文件涉及固体摄像元件（图像传感器），其核心是有源光电转换器件（光电二极管），说明书全文未提及任何电感器或其他集成无源器件（如MIM电容）的形成。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**判断结果**：《未被公开》 | 无相应内容 | 目标专利的MIM电容器由两层金属导电层（如M1和M2）及中间的沉积电介质层构成。对比文件未描述任何由沉积金属层和沉积绝缘层构成的MIM电容器结构。其光电二极管是基于半导体PN结的光电转换器件，结构与MIM电容器截然不同。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**判断结果**：《直接公开》 | [2] 上述の固体撮像素子は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、又は、撮像機能を備えた他の機器等の電子機器に適用することができる。<br>（译文：上述固体摄像元件，例如，能够应用于数码相机、摄像机等相机系统、具有摄像功能的移动电话、或者具备摄像功能的其他设备等电子机器。） | 对比文件明确公开了其固体摄像元件可应用于多种电子设备，包括数码相机、摄像机（对应视频播放器、娱乐单元）、移动电话（对应通信设备）等。这与目标专利特征H所列举的器件应用领域（音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、PDA、固定数据单元、计算机）存在重叠。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了将所述器件纳入到所列举类型的电子设备中的技术特征。因此，技术特征H被直接公开。 |
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