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对比文件列表
2003-06-10_US6577011B_发明授权_US06577011B1 Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same_+++A_B_E+++.docx
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2007-03-15_JP2007067236A_发明专利_JP2007067236A Integrated-type electronic part and manufacturing method for integrated- type electronic part_+++F_G_H_a_b_d+++.docx
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2007-06-25_KR1020070065769A_发明公开_KR1020070065769A 박막 캐패시터 및 그 제조 방법, 전자 장치 및 회로 기판_+++G_H_a+++.docx
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2007-06-27_CN1988083A_发明公开_CN1988083A 薄膜电容器及其制造方法、电子器件和电路板_+++G_a_c_h+++.docx
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2007-07-05_JP2007173386A_发明专利_JP2007173386A Thin-film capacitor, manufacturing method thereof, electronic equipment, and circuit board_+++A_B_G_d_e_h+++.docx
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2007-07-12_US2007158848A_发明申请_US20070158848A1 Electronic component_+++B_G_H_a+++.docx
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2008-01-10_JP2008004734A_发明专利_JP2008004734A Integrated passive element, and multi-layer wiring substrate incorporating the same_+++A_G_b_c_d_h+++.docx
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2011-07-12_US7977201B_发明授权_US07977201B2 Methods for forming back-end-of-line resistive semiconductor structures_+++a_b_h+++.docx
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2011-09-01_WO2011104775A_发明申请_WO2011104775A1 半導体装置_+++A_G_H_b_f+++.docx
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2011-09-08_JP2011176057A_发明专利_JP2011176057A Semiconductor device_+++A_F_G_H_b_c_d_e+++.docx
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2012-08-08_JP4997757B_发明专利_JP4997757B2 A thin film capacitor and method of manufacturing the same, electronic device and circuit board_+++H_a_e_g+++.docx
2026-03-19 23:39
2012-10-24_CN1988083B_发明授权_CN1988083B 薄膜电容器及其制造方法、电子器件和电路板_+++A_G_H_b+++.docx
2026-03-19 23:39
2013-02-28_JP2013041875A_发明专利_JP2013041875A Solid state imaging element, solid state imaging element manufacturing method and electronic apparatus_+++A_H+++.docx
2026-03-19 23:39
JP2017513222A_Description_20260309_2235_+++A_B_C_E_G_H_d_f+++.docx
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US2003071293A1_Description_20260309_2235_+++G_a_b_d_h+++.docx
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对比文件名称:JP2017513222A_Description_20260309_2235

目标专利名称:280用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**《直接公开》**[0018] 集積回路デバイス100は、基板102、第1の層間誘電体110(ILD−1)...を含む。<br>[0026] 左端の第1の導電層104によりわかるように、第1の層間誘電体110は、第1の導電層104...を囲繞のみする部分上に堆積またはパターン形成される。对比文件明确公开了基板(102)以及沉积在其上的第一层间电介质(110,即ILD-1)。第一层间电介质(110)围绕并支撑第一导电层(104)等结构,因此基板102支撑着第一沉积层间电介质110。该特征在对比文件中作用与目标专利相同,均是作为器件的基础支撑结构。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征B**:包括后端制程(BEOL)导电层的第一导电栈,所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处,<br>**《直接公开》**[0035] 図3Bでは、第1の導電性スタックI”は、基板102を基準とした第1の高さにBEOL層を有する。<br>[0034] 第1の導電性スタックI”は、第1の導電層104および第3の導電層114などの様々な層からできているバックエンド(BEOL)導電層を含むこともできる。对比文件直接描述了“第一导电栈I””在相对于基板102的第一标高处具有BEOL层”,并且该BEOL导电层由例如第一导电层104和第三导电层114构成。术语“标高(高さ)”在对比文件[0035]-[0037]段有明确定义,与目标专利中的含义一致。该特征被对比文件明确公开。
**技术特征C**:其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**《直接公开》**[0018] 第1の層間誘電体110は、第1の導電層104(たとえば、金属1(M1))、誘電体層106、第2の導電層108(たとえば、金属2(M2))、および第1のビア112を囲繞する。<br>[0019] 基板102...は、第1の導電層104、誘電体層106、および第2の導電層108を含む、金属−絶縁体−金属(MIM)コンデンサを支持することができる。<br>[0021] 第1の導電性スタックIは、第1の層間誘電体110によって囲繞され、第3の導電層114に結合される、第1の導電層104を示す。第1のビア112および第3の導電層114は、第2の層間誘電体120によって囲繞される。<br>[0032] 第1の導電性スタックI”...第3の導電層114は、基板102と接触するために低くされ...。对比文件完整公开了技术特征C的全部层状结构:1) 第一导电层(104,M1)直接在基板(102)表面上;2) 第一层间电介质(110)仅围绕(即沉积在)第一导电层(104)等结构的表面;3) 第二沉积电介质层(106)在第一导电层(104)上;4) 第二导电层(108,M2)在电介质层(106)上;5) 第三导电层(114,M3)通过第一通孔(112)耦合到第一导电层(104)。图3B的应力缓解结构(300)中,第一导电栈I”明确示出了第三导电层(114)直接在第一层间电介质(110)上方的结构(通过通孔连接)。各层的作用与目标专利中描述的完全相同,例如形成MIM电容器的一部分(第一导电层104、电介质层106、第二导电层108)以及构成导电栈的垂直互连。
**技术特征D**:以及包括BEOL导电层的第二导电栈,第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处,其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**《隐含公开》**[0033] 第2の導電性スタックII”...第4の導電層118は基板102と接触するように配置され...。<br>[0035] 図3Bの第2の導電性スタックII”は、基板102を基準とした第2の高さに第2の導電性スタックII”のBEOL層をやはり有する。第1の高さは、第2の高さと異なる。<br>[0034] 第2の導電性スタックII”のBEOL導電層は、第4の導電層118を含むことができる。对比文件明确公开了第二导电栈(II”)包含BEOL导电层(如第四导电层118),且处于与第一导电栈(I”)不同的第二标高。同时,对比文件描述了在应力缓解结构中,为了降低高度和节省材料,导电层可以被布置为直接接触基板表面,例如第四导电层118被配置为接触基板102。虽然对比文件此处直接接触基板的导电层在命名上为“第四导电层”,而目标专利权利要求中称为“第三导电层”,但根据目标专利说明书[0060]段及图3B,所述“第三导电层”旨在表示形成第二导电栈的、直接沉积在基板表面上的一个导电层,其具体命名(如M3)并非限定的关键。本领域技术人员从对比文件公开的“第二导电栈包含直接接触基板的导电层且处于不同标高”这一整体方案中,能够合理推断出存在如技术特征D所定义的、包括直接在基板表面上的导电层的第二导电栈。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征E**:其特征在于,所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**《直接公开》**[0027] 応力軽減構造200中にビアホール124が存在すると、層間誘電体材料が導電層を囲繞しないとき不要な層間誘電体材料をさらに除去することにより、層間誘電体材料の消費をさらに減少させる。<br>[0032] 図3B...第1の導電性スタックI”...第3の導電層114は、基板102と接触するために低くされ...。第3の導電性スタックIII”は、図3Aの中のICデバイス100から、第1の層間誘電体110と、第3の導電性スタックIIIの第2の層間誘電体120の最も右部分の両方を除去する。对比文件的核心思想之一就是移除不必要(即不围绕任何导电层)的层间电介质材料以减小应力和翘曲。图2A、2B、3B所示的应力缓解结构明确显示了在导电栈之间(例如图3B中第一导电栈I”与第二导电栈II”之间)的区域,层间电介质被移除,从而暴露出下方的基板(102)表面。对比文件[0027]段提到的“通孔孔洞(ビアホール)124”和[0032]段描述的移除层间电介质,都直接导致了基板表面的暴露。该特征在对比文件中用于减少材料消耗和应力,与目标专利中暴露基板以缓解应力的作用相同。
**技术特征F**:其特征在于,包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**《隐含公开》**[0019] これらの層(たとえば、104、106、108)は、インダクタなどの他のデバイスを形成するために配置することもできる。对比文件[0019]段明确公开了所述层(包括第一导电层104、第二导电层108等)可以用于形成电感器(インダクタ)。虽然该句未明确点名“第三导电层”,但图1-3B所示的器件结构中,第一导电层(104)和第三导电层(114)均是BEOL工艺形成的导电层,并且通过通孔(112)相互连接,共同构成了导电栈的一部分。本领域技术人员知晓,集成电路中的电感器通常由多层金属(导电层)通过通孔互连形成螺旋结构等。因此,结合对比文件公开的“这些层可用于形成电感器”以及其中明确存在的“第一导电层”和“第三导电层”,本领域技术人员完全有可能且合理地推断,可以利用第一导电层和第三导电层来形成电感器。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征G**:其特征在于,第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**《直接公开》**[0019] 基板102...は、第1の導電層104、誘電体層106、および第2の導電層108を含む、金属−絶縁体−金属(MIM)コンデンサを支持することができる。对比文件此段文字直接、明确地公开了由第一导电层(104)、位于第一与第二导电层之间的电介质层(106)、以及第二导电层(108)形成的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。该MIM电容器正是第一导电栈(如对比文件中的第I、I’、I”栈)的组成部分。该特征在对比文件中的作用与目标专利中完全相同,即作为集成无源器件(IPD)中的高Q值电容组件。
**技术特征H**:其特征在于,所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**《直接公开》**[0054] リモートユニットは、モバイルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット(個人情報端末などの)、GPS可能デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレイヤ、ビデオプレイヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り装置などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは検索する他のデバイスまたはそれらの組合せであってよい。对比文件[0054]段列举了包含所述IC器件(即具有应力缓解结构的集成电路)的终端设备,其列表完全涵盖了技术特征H中要求的所有设备类型:音乐播放器(音楽プレイヤ)、视频播放器(ビデオプレイヤ)、娱乐单元(エンターテインメントユニット)、导航设备(ナビゲーションデバイス、GPS可能デバイス)、通信设备(モバイルフォン、PCSユニット)、个人数字助理PDA(個人情報端末)、位置固定的数据单元(固定位置データユニット)、以及计算机(コンピュータ命令を記憶もしくは検索する他のデバイス)。该特征被对比文件明确公开。

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