**对比文件名称**：2006-05-11_US2006098155A_发明申请_US20060098155A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same
**目标专利名称**：1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B
**模型名称**：代理师评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 激光束的形状为椭圆形状 **《直接公开》** | [0032] 原文：*“The laser light focused on the substrate has an ellipse shape, of which an apsis line is parallel to the cutting line and a minor line is normal to the cutting line.”* 翻译：聚焦在基板上的激光具有椭圆形状，其长轴平行于切割线，而短轴垂直于切割线。 | 对比文件明确记载激光束为椭圆形状，与技术特征A的文字表述完全一致。该特征在对比文件中用于改善切割表面的质量（省略研磨），与目标专利中减少热损伤、提高切割质量的作用本质相同，本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该技术特征已被公开。 |
| **技术特征B：** 椭圆形状的长轴与切割方向平行 **《直接公开》** | [0032] 同上，原文明确说明“apsis line is parallel to the cutting line”。翻译：长轴平行于切割线。 | 对比文件直接指出激光椭圆的长轴与切割线（即切割方向）平行，与技术特征B完全相同。该特征在对比文件中用于形成圆角边缘以省略研磨，与目标专利中通过平行关系优化切割质量的作用一致，属于直接公开。 |
| **技术特征C：** 椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率 **《未公开》** | 对比文件未具体记载椭圆形状的长轴与短轴的比率数值或范围。 | 对比文件中仅提及椭圆形状，未给出任何长轴/短轴比率的数值或范围，本领域技术人员无法从中直接或合理推断出1:0.6至1:0.4的具体比率。 |
| **技术特征D：** 激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度 **《未公开》** | 对比文件未记载激光束的切割速度数值或范围。 | 对比文件全文未涉及激光束的移动速度或切割速度，本领域技术人员无法从任何记载中获得该速度范围。 |
| **技术特征E：** 激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量 **《未公开》** | 对比文件未记载激光束的脉冲能量数值或范围。 | 对比文件中仅提及激光器的输出功率（例如50~250W），未涉及脉冲能量（mJ），更未提及5mJ至7mJ的范围。 |
| **技术特征F：** 偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜 **《未公开》** | 对比文件未记载偏光板的具体层结构，尤其未提到基于环烯烃的薄膜。 | 对比文件主要涉及玻璃基板的切割，虽提及偏光板（polarizing plate），但未描述其组成薄膜类型，更未公开基于环烯烃的薄膜。 |
| **技术特征G：** 切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向 **《未公开》** | 对比文件未涉及偏光板的拉伸方向，也未提及切割方向与拉伸方向的关系。 | 对比文件中切割方向是基板上的切割线方向，无任何关于偏光板拉伸方向的描述或暗示，本领域技术人员无法得出该关系。 |
| **技术特征H：** 在偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸 **《未公开》** | 对比文件未记载切割后的锥度尺寸，也未涉及锥度测量。 | 对比文件虽提到激光切割可倒圆边缘（rounds the edges），但未给出任何锥度的具体尺寸参数。 |
| **技术特征I：** 激光为CO₂激光或UV激光 **《直接公开》** | [0124] 原文：*“A laser whose wavelength is 10.6 μm with an output of 50~250 w, such as a yag laser, CO₂ laser, gallium-arsenide laser and ruby laser can be used for those purposes.”* 翻译：波长10.6μm、输出50~250w的激光可用于这些目的，例如YAG激光、CO₂激光、砷化镓激光和红宝石激光。 | 对比文件明确列出CO₂激光作为可用的激光类型，而技术特征I为“CO₂激光或UV激光”，属于选择性特征。对比文件公开了“CO₂激光”这一选项，因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征J：** UV激光具有300纳米至400纳米的波长 **《未公开》** | 对比文件未记载UV激光，也未涉及300nm至400nm的波长范围。 | 对比文件仅提及CO₂激光（10.6μm）等，未提及UV激光及其波长，故未公开该特征。 |
| **技术特征K：** CO₂激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长 **《直接公开》** | [0124] 同上，原文指出“wavelength is 10.6 μm”属于CO₂激光的典型波长。翻译：波长10.6μm。 | 技术特征K限定的CO₂激光振荡波长为9.0~10.9μm，对比文件公开的10.6μm完全落入该范围内，因此直接公开。 |
| **技术特征L：** 使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行 **《隐含公开》** | [0079] 原文：*“The integrated substrate is cut along the cutting line by laser, at step ST72. The integrated substrates are cut by laser light one substrate and then the other substrate.”* 翻译：在步骤ST72，通过激光沿着切割线切割集成基板。集成基板通过激光光依次切割一个基板然后另一个基板。<br>[0089] 原文：*“by aligning laser focused on the outer surface of the substrate, of which an apsis is parallel and a minor axis is normal to the cutting line, the process of grinding the corner on the cut surface of the substrate can be omitted. Since the laser light with an ellipse shape round the edges of the cut surface, the grinding process is not required.”* 翻译：通过将聚焦在基板外表面上的激光（其长轴平行于切割线且短轴垂直于切割线）对准，可以省略基板切割表面边角的研磨工艺。由于椭圆形状的激光使切割表面边缘变圆，所以不需要研磨工艺。 | 对比文件描述激光切割过程时，仅提及沿切割线进行一次扫描切割（一次切割一个基板），未提及多次扫描；且椭圆激光一次成型即完成切割并省略研磨，本领域技术人员根据该过程可以合理推断出激光束移动一次即可完成切割，这符合目标专利中“单一切割系统”的定义（激光束移动一次执行切割）。因此，对比文件隐含公开了单一切割系统，由于技术特征L为“单一切割系统或多重切割系统”，该隐含公开使得该特征被覆盖。 |
| **技术特征M：** 基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度 **《未公开》** | 对比文件未涉及基于环烯烃的薄膜，更未公开其厚度范围。 | 对比文件无任何关于基于环烯烃薄膜或类似材料的厚度记载。 |
| **技术特征N：** 偏光板具有50微米至250微米的厚度 **《未公开》** | 对比文件未记载偏光板的厚度数值或范围。 | 对比文件提及偏光板的附着，但未给出任何厚度参数。 |
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