对比文件名称：2008-12-17_JP4197863B_发明专利_JP4197863B2 Method of manufacturing a photovoltaic device
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：深度思考AI助手（基于GPT-4架构）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：双面太阳能电池包括晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（隐含公开） | [0012]：“首先，将约1Ω·cm、厚度300μm的n型(100)硅晶圆进行通常清洗，去除杂质，准备基板1。”<br>[0029]：“此外，在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅、透明导电膜、集电极的情况下，背面侧也可适用本发明。” | 对比文件明确公开了n型晶体硅基板（包含第一导电类型杂质），且基板具有前表面和后表面。虽然对比文件实施例主要示出单面受光结构，但其[0029]明确指出可在背面形成类似堆叠，使得双面结构成为可能。本领域技术人员可以合理推断该基板可用于双面太阳能电池，因此隐含公开了该特征。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（直接公开） | [0013]：“在基板1上的一方表面上，通过等离子体CVD方法，依次形成i型非晶硅层2及p型非晶硅层3（图1(b)）。” | 对比文件直接在基板前表面上形成了p型非晶硅层，该层即为前掺杂层（与半导体基板形成pn结）。技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（隐含公开） | [0029]：“在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅、透明导电膜、集电极的情况下，背面侧也可适用本发明。” | 对比文件明确教导可以在基板背面形成n型非晶硅层（后掺杂层）。虽然实施例未具体实施，但该教导使得本领域技术人员能够合理推断存在后掺杂层，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（直接公开） | [0014]：“在p型非晶硅层3上，通过溅射法形成透明导电膜4（图1(c)）。具体地，使用公知的磁控溅射装置，在基板温度250℃以下、气体流量Ar 200sccm以下且O₂ 50sccm以下、功率0.5～3kW的条件下，形成了膜厚约1000Å的ITO膜。” | 对比文件在p型非晶硅层（前掺杂层）上直接形成透明导电膜，该透明导电膜公知具有减反射功能，相当于防反射层，并明确公开了第一厚度（约1000Å）。技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（直接公开） | [0017]：“最后，在透明导电膜4上形成梳形集电极5及汇流条电极作为正侧电极，同时在基板1的背面形成背面电极6作为负侧电极（图1(e)），制造光起电力装置。” | 对比文件直接在透明导电膜（防反射层）上形成了前收集器电极（梳形集电极和汇流条），技术特征被直接公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（未公开） | 对比文件实施例中背面为金属电极，未设置透明导电反射层。[0029]虽提及背面可形成透明导电膜，但未明确该层作为反射层，未教导第二厚度及其关系。 | 对比文件没有公开反射层及其厚度。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（未公开） | 对比文件实施例中背面电极为直接形成在基板背面的金属电极，并非设置在反射层下面。[0029]提及背面可形成集电极，但未描述具体位置关系。 | 对比文件没有公开后收集器电极设置在反射层下面。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（隐含公开） | [0014]：前表面形成ITO透明导电膜。[0029]：“在基板背面形成…透明导电膜…的情况下。” | 对比文件前表面防反射层由透明导电层形成是明确的；对于后表面反射层，对比文件[0029]教导可以在背面形成透明导电膜，因此本领域技术人员可以合理推断反射层也由透明导电层形成。隐含公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（未公开） | 对比文件在形成透明导电膜时通入O₂，但并未将氧作为控制电学和光学特性的手段，也没有任何关于前后层厚度比较的教导。 | 对比文件未公开利用氧控制特性，也未公开厚度关系。不公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（未公开） | 无相关教导。 | 对比文件未公开氧含量比较。不公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（未公开） | 无相关教导。 | 对比文件未公开吸光率比较。不公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（未公开） | 对比文件未提及薄膜电阻比较，也未公开反射层厚度范围（其正面膜厚为100nm，背面未指定）。 | 对比文件未公开。不公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（隐含公开） | [0014]：前表面使用ITO膜。[0029]：“透明导电膜4使用ITO膜…但使用ZnO膜当然也是可以的。” | 对比文件前表面材料明确（ITO），背面可形成透明导电膜但未指定材料；考虑到工艺便利性，本领域技术人员可能采用相同材料，且对比文件未禁止使用相同材料。因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In₂O₃作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（直接公开） | [0014]：“形成了膜厚约1000Å的ITO膜。” | ITO即氧化铟锡，属于包含In₂O₃为主要成分且杂质为Sn的层，落入特征N的公开选项之一。技术特征被直接公开。 |
| 技术特征O：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（未公开） | 对比文件未提及此类材料。 | 不公开。 |
| 技术特征P：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（隐含公开） | [0029]：“透明导电膜4使用ITO膜，但使用ZnO膜当然也是可以的。” | 对比文件明确公开了可使用ZnO膜。ZnO透明导电膜公知需要掺杂Al、B或Ga等杂质以获得导电性，本领域技术人员阅读对比文件后能合理推断ZnO膜包含此类杂质。因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：或者包含氧化锡SnO₂作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层（未公开） | 对比文件未提及。 | 不公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（未公开） | [0017]：前集电极为“具有多个互相平行的枝部的梳形集电极5及汇流条电极”。背面电极6为“在基板1的背面蒸镀Al形成的背面电极”，是整面电极，不具有指状和汇流条结构。 | 对比文件前电极满足，但后电极为整面金属电极，不满足“每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极”。故不公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（直接公开） | [0017]：“具有多个互相平行的枝部的梳形集电极5”。 | 枝部即指状电极，相互平行延伸，相当于沿第一方向。技术特征被直接公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（直接公开） | [0017]：“集电极5中流动的电流集合的汇流条电极”。结合本领域公知常识及附图，汇流条电极方向与梳齿方向正交并连接所有枝部。 | 技术特征被直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（直接公开） | [0014]：“形成了膜厚约1000Å的ITO膜。”1000Å = 100nm。 | 100nm落入70-100nm范围内，技术特征被直接公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（直接公开） | [0013]：“依次形成i型非晶硅层2及p型非晶硅层3”。i型非晶硅层2即为前钝化层，位于基板和p型层之间。 | 技术特征被直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（隐含公开） | [0029]：“在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅…的情况下”。 | 对比文件教导可在背面形成i型非晶硅层，该层可起钝化作用，置于基板与背面掺杂层之间。本领域技术人员可合理推断存在后钝化层，隐含公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成（隐含公开） | [0013]：前掺杂层为p型非晶硅（含杂质），前钝化层为i型非晶硅（本征）。[0029]：背面可形成i型非晶硅、n型非晶硅。 | 对比文件直接公开了前部分材料（p型a-Si、i型a-Si）；对于后部分，对比文件[0029]暗示背面可形成n型a-Si（含杂质）和i型a-Si，因此前后层材料可相同。整体特征被隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件未提及基板表面纹理化处理。 | 不公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件未提及透明导电层的纹理化。 | 不公开。 |
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