**对比文件的名称**：2011-06-22_CN102102173A_发明公开_CN102102173A 氧化物蒸镀材料、透明导电膜以及太阳能电池
**目标专利的名称**：1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek Chat
以下为特征比对表格，严格按目标专利权利要求的技术特征划分逐项分析，结合对比文件原文判断公开性。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（段落编号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（**直接公开**） | [0068]：“PN接合型太阳能电池元件，可以采用例如厚度0.2～0.5mm左右、大小180mm方形左右的单晶或多晶的硅基板，且在元件的硅基板内部中，形成有含较多硼等P型杂质的P层和含较多磷等N型杂质的N层相连接的PN接合。” | 对比文件明确公开了太阳能电池使用单晶或多晶硅基板，该基板包含P型或N型杂质（相当于第一导电类型杂质），且必然具有前表面和后表面。与目标专利的晶体半导体基板实质相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（**未公开**） | [0068]（同上）及[0070]：“在玻璃基板1上层叠有表面侧(受光部一侧)透明电极膜2、p型非晶硅膜或氢化非晶硅碳化物膜3、不含杂质的非晶硅膜4、n型非晶硅膜5、内侧透明电极膜(接触改善层)6和内侧金属电极即内面电极7。” | 对比文件在晶体硅基板方案中，掺杂层形成于基板内部而非表面独立层；在薄膜方案中，p型非晶硅层设置于玻璃基板上的透明电极之上，并非设置在晶体半导体基板上。未公开在晶体半导体基板前表面设置前掺杂层，故未公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（**未公开**） | 同特征B引用内容。 | 与特征B同理，对比文件未公开在晶体半导体基板后表面设置后掺杂层。薄膜方案中的n型非晶硅层设置在玻璃基板的透明电极与内侧电极之间，并非晶体硅基板的后表面。故未公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（**未公开**） | [0070]（同上）所示层序：玻璃基板/透明电极膜/p型非晶硅膜/...，即透明电极膜（防反射层）位于p型非晶硅膜（前掺杂层）之下，而非之上。 | 目标专利中防反射层设置在前掺杂层之上，而对比文件薄膜方案的透明电极膜位于p型非晶硅膜之下（光入射侧）。层序相反，功能和作用不同，因此未公开。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（**直接公开**） | [0079]：“上述任何一种类型的太阳能电池元件中，其受光面(表面)侧和内面侧上分别形成有母线电极和指状电极，该电极是通过使用银膏的丝网印刷法等来形成。” | 对比文件公开了在受光面侧（即前表面）的透明电极膜（防反射层）上形成母线电极和指状电极，即前收集器电极设置在防反射层上。因此直接公开。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（**直接公开**） | [0070]（同上）层序：.../n型非晶硅膜5/内侧透明电极膜(接触改善层)6/内面电极7。其中内侧透明电极膜6相当于反射层，位于n型非晶硅膜5（后掺杂层）下面。 | 对比文件明确公开了在后掺杂层（n型非晶硅）下面设置有透明导电膜（内侧透明电极膜），该膜具有反射功能（作为接触改善层，同时可反射光）。因此直接公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（**直接公开**） | [0070]（同上）：.../内侧透明电极膜6/内面电极7。内面电极7即为后收集器电极，设置在内侧透明电极膜（反射层）下面。 | 对比文件明确公开了内面电极（金属电极）位于内侧透明电极膜下面，即后收集器电极设置在反射层下面。直接公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（**直接公开**） | [0070]中表面透明电极膜2和内侧透明电极膜6均为透明导电膜；[0021]：“本发明的太阳能电池，其特征在于，将铈含量以Ce/In原子数比计为0.001～0.110的结晶性的上述透明导电膜用作电极。” | 对比文件的表面透明电极膜和内侧透明电极膜均采用透明导电层（如本发明的含铈氧化铟膜），因此防反射层和反射层均由透明导电层形成。直接公开。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（**未公开**） | 氧控制：[0032]“为了表现出导电性需要向膜中导入缺氧环境...必须使膜具有最佳的缺氧环境。”[0035]“L*值越大氧含量就越多...”。厚度比较：全文未提及反射层厚度小于防反射层厚度。 | 第一部分（氧控制）已被对比文件公开。但第二部分（厚度比较）在对比文件中完全未涉及，对比文件未给出任何关于前、后透明导电层厚度差异的教导或暗示。因此整体技术特征I未公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（**未公开**） | [0097]-[0098]讨论了不同氧注入量对透明导电膜特性的影响，但未指定同一电池中前、后透明导电层的氧含量关系。 | 对比文件虽教导通过氧含量调节膜性能，但未公开在同一太阳能电池中将防反射层氧含量设置得小于反射层氧含量，未暗示这种差异。故未公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（**未公开**） | 未涉及吸光率比较。 | 由于特征J未公开，该结果特征自然未公开。对比文件无任何关于不同层吸光率关系的描述或推导。未公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（**未公开**） | 薄膜电阻：全文未比较不同层的薄膜电阻。厚度：[0080]“对于构成上述电极的本发明的透明导电膜的厚度并没有特别的限制，根据材料的组成等而不同，为150～1500nm、特别优选200～900nm。” | 对比文件未公开防反射层和反射层的薄膜电阻大小关系，且反射层厚度范围（25-75nm）远小于对比文件给出的150-1500nm。因此未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（**隐含公开**） | [0070]中提及的表面透明电极膜2和内侧透明电极膜6均可以使用本发明的氧化物蒸镀材料（如In2O3:Ce）制造；[0021]将该透明导电膜用作电极。但未明确要求两者材料相同。 | 对比文件虽然没有明确要求防反射层与反射层材料相同，但本领域技术人员可以合理推断，为了简化工艺和材料管理，完全可以使用相同的透明导电材料（如含铈氧化铟）来形成前后透明导电层。因此隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（**直接公开**） | [0003]：“一般来说被广泛应用的是...含锡的氧化铟(In2O3)系膜，即ITO...含钨、钛的氧化铟...”。[0011]：“由含钨的氧化铟组成的结晶性透明导电膜”。[0020]：“以氧化铟为主要成分且含铈的烧结体”。[0029]：“以氧化铟为主要成分、且含有以Ce/In原子数比计为0.001～0.110的比例的铈”。 | 对比文件充分公开了以氧化铟为主要成分并掺杂锡、钨、铈等的透明导电膜，这些材料可用于防反射层和反射层。因此直接公开。 |
| **技术特征O**：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（**未公开**） | [0058]：“铝、钛、硅、锗、锆等金属，这些氧化物的蒸汽压与氧化铟和氧化铈的蒸汽压相比非常高，因此其包括在氧化物蒸镀材料中时，难以与氧化铟和氧化铈一起进行蒸发...因此在氧化物蒸镀材料中不可含有上述元素。” | 对比文件明确教导避免钛、钽等元素，认为其不适合用于真空蒸镀的氧化物蒸镀材料。因此未公开含有钛或钽的层，更未将其作为防反射层或反射层的材料。未公开。 |
| **技术特征P**：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（**直接公开**） | [0003]：“作为掺杂剂含铝、鎵、铟、锡的氧化锌(ZnO)”。 | 对比文件明确记载了含铝、镓等杂质的氧化锌透明导电膜，可用于太阳能电池电极。因此直接公开。 |
| **技术特征Q**：或者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层（**直接公开**） | [0003]：“含锑或氟的氧化锡(SnO2)”。 | 对比文件明确公开了含氟的氧化锡透明导电膜，因此直接公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（**直接公开**） | [0079]：“其受光面(表面)侧和内面侧上分别形成有母线电极和指状电极”。 | “母线电极”即汇流条电极，“指状电极”即指状电极，且明确声明在受光面侧（前表面）和内面侧（后表面）均形成有这两种电极。因此直接公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（**隐含公开**） | [0079]仅提及“指状电极”，未描述延伸方向。 | 指状电极的本征形状为细长平行排列的线条，本领域技术人员公知其沿一个方向延伸。对比文件虽未明示方向，但结合常识可合理推断该特征，因此隐含公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（**隐含公开**） | [0079]仅提及“母线电极和指状电极”，未描述方向关系。 | 在太阳能电池电极设计中，汇流条（母线）通常垂直于指状电极以收集电流，这是本领域的普通技术知识。对比文件公开了二者共存，本领域技术人员能自然联想到正交连接关系，因此隐含公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（**未公开**） | [0080]：“透明导电膜的厚度...为150～1500nm、特别优选200～900nm。” | 对比文件给出的透明导电膜厚度范围远大于70-100nm，未公开该具体范围。因此未公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（**未公开**） | [0070]（薄膜电池）及[0068]（晶体硅电池）均未设置前钝化层。 | 对比文件的所有电池结构中均不存在位于前掺杂层和半导体基板之间的独立钝化层（如本征非晶硅或隧穿氧化物）。未公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（**未公开**） | 同特征V。 | 对比文件未公开后钝化层。未公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成（**未公开**） | 掺杂层：[0070]使用了p型和n型非晶硅膜。钝化层：对比文件中本征非晶硅膜4位于p型和n型之间作为光电转换层，而非钝化层；无隧穿氧化物。 | 对比文件虽公开了掺杂层由非晶硅形成，但钝化层未采用本征非晶硅或隧穿氧化物，且结构位置不同。因此未公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（**隐含公开**） | [0074]：“基板表面，优选至少一侧上设置有山形的凹凸、通过蚀刻等进行粗糙化”。该描述针对化合物薄膜电池的基板，但晶体硅太阳能电池常规采用纹理化表面。 | 对比文件虽未直接描述晶体硅基板的纹理化，但在相关技术领域中，为了提高光吸收，晶体硅太阳能电池普遍采用纹理化表面。结合对比文件关于基板粗糙化的教导，本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（**未公开**） | 全文未涉及透明导电层本身的表面纹理化。 | 对比文件未提及防反射层或反射层具有纹理化表面，也未暗示其与基板纹理化表面的关系。因此未公开。 |
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**直接公开的特征**：A, E, F, G, H, N, P, Q, R
**隐含公开的特征**：M, S, T, Y
（代码已整合至结尾）
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