**对比文件**：2013-12-04_EP2669952A_发明公开_EP2669952A1 Photovoltaic device and method of manufacturing same
**目标专利**：1666太阳能电池CN107039542B
**模型名称**：通用语言模型（本次回答基于AI模型）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>《直接公开》 | [0046]：“该光伏器件1a包括晶体半导体本体2，第一载流子类型，在所示实施例中为n型硅晶圆。”<br>根据附图及上下文，该本体具有前表面和后表面。 | 对比文件明确公开了晶体半导体基板（硅晶圆）包含第一导电类型（n型）杂质，且具有相对的正面和背面。与目标专利的特征A完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>《直接公开》 | [0049]：“在钝化层3的表面上形成发射极4。发射极4为第二载流子类型，在示例中与半导体本体2的第一载流子类型相反。”<br>图1显示发射极位于前表面侧。 | 对比文件的发射极（emitter）即为前掺杂层，位于半导体基板前表面（通过极薄钝化层，仍视为设置在表面上）。功能与目标专利的前掺杂层相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>《直接公开》 | [0050]：“在钝化层8上形成背表面场层9。背表面场层9与半导体本体2的第一载流子类型相同。”<br>图1显示背表面场层位于后表面侧。 | 对比文件的背表面场层（back surface field layer）即为后掺杂层，位于半导体基板后表面。功能相同，直接公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>《直接公开》 | [0051]：“在发射极4上形成前侧透明导电材料堆叠。该堆叠由两层构成：前侧第一透明导电层(TC1)5和前侧第二透明导电层(TC2)6。前侧第一透明导电层5形成在发射极4上。”<br>[0014]：“整个透明导电材料堆叠形成唯一的抗反射涂层。” | 对比文件的前侧第一透明导电层（TC1）直接设置在前掺杂层（发射极）上，该层为透明导电层，具有防反射功能（整个堆叠作为抗反射涂层，TC1参与防反射）。TC1具有厚度（第一厚度）。因此直接公开了防反射层设于前掺杂层上并具有厚度。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>《未公开》 | [0054]：“在第二透明导电层6上形成前栅极金属化7。”<br>前栅极金属化（前收集器电极）形成在第二透明导电层（TC2）上，而非直接形成在TC1（第一透明导电层）上。 | 目标专利的前收集器电极直接设置在前透明导电层（防反射层）上。对比文件的前电极设置在附加的第二透明导电层（TC2）上，该层为改善接触而叠加，因此电极不与TC1直接接触。对比文件未公开前电极直接设在TC1上，也未省略TC2。故特征E未公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>《直接公开》 | [0057]：“背电极包括背侧透明导电材料堆叠……包括背侧第一透明导电层5'和背侧第二透明导电层6'形成在背侧第一透明导电层5'上。”<br>该堆叠位于背表面场层（后掺杂层）下面。 | 对比文件的背侧透明导电层堆叠（特别是第一透明导电层5'）相当于反射层，设置在后掺杂层下面，具有厚度（第二厚度）。直接公开。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>《直接公开》 | [0057]：“背电极进一步包括金属接触层15形成在背侧第二透明导电层6'上。”<br>金属接触层即为后收集器电极，设置在后侧透明导电层堆叠下面。 | 对比文件公开了后收集器电极（金属接触层）位于反射层（背侧TCM堆叠）下方，直接接触。直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>《直接公开》 | [0051]和[0057]：前侧TCM堆叠由透明导电材料（如In₂O₃）形成，后侧TCM堆叠同样由透明导电材料形成。 | 前侧的透明导电层（TC1、TC2）和后侧的透明导电层（5'、6'）均为透明导电材料构成。因此防反射层（前侧透明导电材料）和反射层（后侧透明导电材料）各自由透明导电层形成。直接公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>《未公开》 | [0010]提及“非化学计量组成（deviation from stoichiometry）”可调节特性，本领域公知氧含量是调控透明导电氧化物的关键。<br>全文未提及前后层厚度大小关系。 | 对比文件虽通过非化学计量比隐含涉及氧的作用，但未明确表述氧对电学和光学特性的控制关系。更重要的是，对比文件未公开反射层厚度小于防反射层厚度这一关键尺寸关系，故整体特征I未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>《未公开》 | 对比文件未讨论前、后透明导电层的氧含量比较。 | 无相关公开内容，本领域技术人员也无法直接从对比文件合理推断该氧含量关系，故未公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>《未公开》 | 对比文件未比较前、后层的吸光率。 | 基于氧含量的推论在对比文件中无依据，未公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>《未公开》 | 对比文件未提及前后层薄膜电阻关系，也未提及25–75nm的厚度范围。 | 无相关内容，未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>《隐含公开》 | [0021]：“第三和/或第四掺杂可以与第一和/或第二掺杂相同或不同。”<br>前侧TC1后侧5'均可选自相同基材（如In₂O₃）。 | 对比文件未强制要求前后层材料相同，但本领域技术人员根据对比文件的教导（前后均使用同类透明导电材料）可以合理选择使前后层由相同材料形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In₂O₃作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>《直接公开》 | [0051]：“第一基材选自包括氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镉的材料组。”<br>[0006]提及ITO（掺锡氧化铟）。<br>[0076]提及“氢掺杂氧化铟（hydrogen-doped indium oxide）”。 | 对比文件直接公开了以氧化铟为主要成分且掺杂锡（ITO）或氢的材料层，符合特征N的一种或多种选择（Sn、H），因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及钛（Ti）或钽（Ta）作为掺杂剂。 | 未公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>《未公开》 | [0051]提到氧化锌作为基材选项，但未指定掺杂元素。 | 对比文件未明确公开ZnO掺杂Al、B或Ga，本领域技术人员不能直接或合理推断出该具体组合，故未公开。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO₂作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>《未公开》 | [0051]提到氧化锡作为基材选项，但未提及氟掺杂。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>《未公开》 | [0054]：前栅极金属化由银指状电极组成。<br>[0068]‑[0072]：描述汇流条电极（bus‑bar）。<br>[0057]：后电极由连续的金属接触层15构成。 | 对比文件的前电极包含指状和汇流条，但后电极为连续的金属层（非指状/汇流条结构），因此未公开后收集器电极包括指状和汇流条。特征R未完全公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>《未公开》 | 附图中指状电极通常沿一方向延伸（隐含），但无明确文字说明。 | 由于特征R未公开，作为从属特征的S也随之未公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>《未公开》 | [0068]‑[0072]显示汇流条正交连接指状电极，但仅针对前电极。 | 同上，特征R未公开，特征T也未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>《未公开》 | 对比文件未限定前透明导电层的具体厚度范围。 | 无披露该数值范围，未公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | [0048]：“在半导体本体2的前表面和后表面形成钝化层3,8。”<br>[0049]：“发射极4形成在钝化层3上。” | 对比文件明确在半导体基板前表面与发射极（前掺杂层）之间设置了钝化层3（本征非晶硅）。直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | [0048]：后钝化层8形成在半导体本体2的后表面。<br>[0050]：背表面场层9形成在钝化层8上。 | 后钝化层位于基板与后掺杂层之间，直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>《直接公开》 | [0048]：钝化层3,8为“本征氢化非晶硅（intrinsic hydrogenated amorphous silicon）”。<br>[0005]：掺杂层由非晶氢化硅（a‑Si:H）形成（可掺杂杂质）。<br>隧穿氧化物未提及。 | 对比文件公开了掺杂层由含杂质的非晶硅形成，钝化层由本征非晶硅形成。特征X中的“本征非晶硅”选项被满足，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《直接公开》 | [0047]：“在氢氧化钾溶液中对晶体半导体本体2进行纹理化处理。” | 对比文件明确公开半导体基板的前后表面均为纹理化表面，直接公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《隐含公开》 | [0047]：基板表面纹理化；后续各层（包括透明导电层）均沉积在纹理表面上，自然继承表面形貌。 | 本领域技术人员根据公知常识，在纹理化基板上沉积的薄膜（尤其是透明导电层）会复制其纹理，因此可合理推断防反射层和反射层也形成纹理化表面。隐含公开。 |
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