**对比文件名称**：2013-05-23_WO2013073539A_发明申请_WO2013073539A1 高耐圧半導体装置
**目标专利名称**：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
**调用的模型名称**：GPT-4 大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：未公开 | 对比文件未涉及在导电层上形成第一正型光敏材料层的步骤。 | 对比文件涉及高压半导体装置的制造，全文未提及在导电层上涂覆光敏材料、更未指定正型光敏材料层。目标专利中该步骤用于后续相移光刻形成线形图案，对比文件无任何对应工艺，因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：未公开 | 对比文件未涉及使用刻有线形图案的透明光掩模接触第一正型光敏材料层并进行紫外线照射。 | 对比文件未描述任何光掩模（尤其透明光掩模）与光敏材料层接触并进行紫外曝光的步骤。目标专利利用接触式相移光刻，对比文件完全未涉及该类型光刻工艺，因此未公开。 |
| 技术特征C：未公开 | 对比文件未涉及去除透明光掩模、使用显影剂显影并形成第一正型光敏材料图案层的步骤。 | 对比文件中未记载任何显影过程以形成光敏材料图案层。目标专利中该步骤是获得线形光刻胶图案的核心，对比文件无相应内容，故未公开。 |
| 技术特征D：未公开 | 对比文件未涉及对形成的光敏材料图案层进行固化。 | 对比文件未提及光敏材料图案的固化操作（如热处理）以稳定图案。目标专利通过固化提高图案对后续工艺的耐受性，对比文件无此步骤，未公开。 |
| 技术特征E：未公开 | 对比文件未涉及在具有第一光敏材料图案层的导电层上形成第二正型光敏材料层。 | 对比文件未公开在已图形化的光刻胶层上再次涂覆光敏材料层。目标专利通过两次涂覆实现交叉网格，对比文件无任何对应重复涂覆工艺，未公开。 |
| 技术特征F：未公开 | 对比文件未涉及使光掩模与第二光敏材料层接触以使线形图案交叉形成第二图案层。 | 对比文件无任何关于两次光掩模对准、使图案交叉的描述。目标专利的交叉步骤是形成网格的关键，对比文件未涉及，故未公开。 |
| 技术特征G：未公开 | 对比文件未涉及以光敏材料图案为掩模蚀刻导电层上的未覆盖部分。 | 对比文件虽然提到蚀刻工艺（如干法蚀刻），但未以光敏材料网格图案作为蚀刻掩模来选择性地去除导电层。目标专利的蚀刻步骤与特定图案化流程紧密关联，对比文件未公开该具体操作。 |
| 技术特征H：未公开 | 对比文件未涉及去除光敏材料图案层以制造导电网格图案，更未提及线宽100nm-900nm。 | 对比文件未制造任何导电网格图案，其形成的电极是实心布线条而非网格结构。目标专利的网格线宽范围在对比文件中无任何记载或暗示，因此未公开。 |
| 技术特征I：未公开 | 对比文件未涉及在步骤d)之后形成第三正型光敏材料层。 | 对比文件无任何形成第三光敏材料层的步骤。目标专利添加第三层以制作路由器图案等，对比文件无此类多次叠加的工艺，未公开。 |
| 技术特征J：未公开 | 对比文件未涉及在导电层上形成第三正型光敏材料图案层。 | 与特征I类似，对比文件无第三图案层形成的任何教导，未公开。 |
| 技术特征K：未公开 | 对比文件未涉及透明光掩模的线形图案线宽为2μm-500μm。 | 对比文件未使用任何透明光掩模，更未限定其线宽范围，因此未公开。 |
| 技术特征L：直接公开 | “また、ドレイン電極配線１２０、ソース電極配線１２１をアルミ系の材料で形成する。”（翻译：此外，漏电极布线120、源电极布线121由铝系材料形成。）该句位于对比文件说明书实施例1部分，描述电极配线的材料。 | 对比文件明确公开了使用铝（Al）作为导电材料。技术特征L要求导电层包含铝、银、铜等金属中的至少一种，铝被明确列出。虽然对比文件中铝用于形成电极配线而非目标专利中待蚀刻的连续导电层，但其材料本身完全相同，且均起到导电作用。本领域技术人员从对比文件的记载能毫无疑义地得出“导电层可包含铝”的技术内容，该内容的公开与目标专利中相应特征的技术方案一致。故技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：未公开 | 对比文件未涉及导电层包含透明金属氧化物。 | 对比文件使用的导电材料为铝等金属，未提及任何透明金属氧化物（如ITO、IZO等），因此未公开。 |
| 技术特征N：未公开 | 对比文件未涉及具体透明金属氧化物种类。 | 对比文件无透明金属氧化物的任何记载，更未列出ITO、IZO等具体材料，未公开。 |
| 技术特征O：未公开 | 对比文件未涉及透明光掩模的材料种类。 | 对比文件未使用透明光掩模，因此对PDMS、PMMA等材料无任何提及，未公开。 |
| 技术特征P：未公开 | 对比文件未涉及导电层的厚度范围5nm-10μm。 | 对比文件未明确给出导电层（或铝电极）的厚度数值或范围，故未公开该技术特征。 |
| 技术特征Q：未公开 | 对比文件未涉及第一、第二正型光敏材料层的厚度范围。 | 对比文件未形成目标专利所述的光敏材料层，因此未公开其厚度范围，未公开。 |
| 技术特征R：未公开 | 对比文件未涉及紫外线照射强度为10mJ/cm²-200mJ/cm²。 | 对比文件未描述任何紫外曝光步骤，更未限定曝光量，故未公开。 |
| 技术特征S：未公开 | 对比文件未明确导电层的形成方法为热沉积、溅镀、电子束沉积、层压或溶液涂覆。 | 对比文件仅称“形成电极”，未具体说明形成方法，本领域技术人员无法合理推断其必然使用目标专利所列的特定方法，因此未公开。 |
**总结**：对比文件仅直接公开了技术特征L（导电层包含铝），其余技术特征均未以直接或隐含方式公开。
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