对比文件名称：2010-06-24_US2010156840A_发明申请_US20100156840A1 TOUCH SCREEN SENSOR HAVING VARYING SHEET RESISTANCE
目标专利名称：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A: a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层。 **未公开** | 对比文件未记载在导电层上形成正型光敏材料层的步骤。对比文件[0076]提及“光刻与蚀刻”，但未具体描述导电层上的光敏材料涂覆及正型类型。 | 对比文件的主要制造方法为微接触印刷或一般光刻，未公开在导电层上形成正型光敏材料层的特定步骤。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征B: b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至透明光掩模上。 **未公开** | 对比文件未记载透明光掩模接触及紫外线照射步骤。 | 对比文件未使用相移光刻，未公开透明光掩模及其接触方式，也未公开紫外线照射步骤。 |
| 技术特征C: b-2)去除透明光掩模，使用显影剂使第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层。 **未公开** | 对比文件未记载去除掩模、显影等光刻工艺细节。 | 对比文件未公开显影步骤及形成正型光敏材料图案层的过程。 |
| 技术特征D: b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层。 **未公开** | 对比文件未记载固化步骤。 | 对比文件未公开光敏材料图案层的固化处理。 |
| 技术特征E: c)在具有第一正型光敏材料图案层的导电层上形成第二正型光敏材料层。 **未公开** | 对比文件未记载在第一图案层上形成第二光敏材料层的步骤。 | 对比文件未涉及两次涂覆光敏材料层的工艺。 |
| 技术特征F: d)使刻有线形图案的透明光掩模与第二正型光敏材料层的上表面接触，使得第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在导电层上形成第二正型光敏材料图案层。 **未公开** | 对比文件未记载第二光敏材料层的图案化及交叉对准步骤。 | 对比文件未公开通过两次光刻形成交叉网格图案的方法。 |
| 技术特征G: e)蚀刻导电层上未形成第一和第二正型光敏材料图案层的部分。 **未公开** | 对比文件未记载使用光敏材料图案层作为掩模蚀刻导电层的步骤。 | 对比文件的图案化主要通过直接沉积或微接触印刷后蚀刻，而非通过光刻胶掩模蚀刻导电层。 |
| 技术特征H: f)去除第一和第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下。 **直接公开** | [0007]：“该导电微图案具有金属线性导电特征，厚度小于500纳米，宽度在0.5到5微米之间。” [0067]：“导电图案元件的最小尺寸应小于或等于约0.5微米。” | 对比文件明确公开了宽度为0.5微米（500nm）的金属线性导电特征，该宽度落入本发明限定的100-900nm范围内。因此，对比文件直接公开了具有该线宽范围的导电网格图案。 |
| 技术特征I: 在步骤d)之后，在其上形成有第一和第二正型光敏材料图案层的导电层上形成第三正型光敏材料层。 **未公开** | 对比文件未记载形成第三光敏材料层的步骤。 | 对比文件未涉及三次涂覆的工艺。 |
| 技术特征J: 在导电层上形成第三正型光敏材料图案层。 **未公开** | 对比文件未记载第三光敏材料图案层的形成。 | 对比文件未公开第三图案层，如路由器图案。 |
| 技术特征K: 透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下。 **未公开** | 对比文件未公开透明光掩模的线宽参数。 | 对比文件未使用本发明的透明光掩模，未公开其线宽范围。 |
| 技术特征L: 导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金。 **直接公开** | [0074]：“用于形成导电微图案的有用金属包括金、银、钯、铂、铝、铜、镍、锡、合金及其组合。” | 对比文件公开的金属种类（金、银、铝、铜、镍、铂等）至少包含本发明列举的银、铝、金、铜、镍、铂等，因此直接公开了导电层包含这些金属的技术特征。 |
| 技术特征M: 导电层包括透明金属氧化物。 **直接公开** | [0074]：“在一些实施例中，导体是透明导电氧化物。” | 对比文件明确公开了导体可以是透明导电氧化物，直接对应于本发明的导电层包括透明金属氧化物。 |
| 技术特征N: 导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种。 **直接公开** | [0074]：“在一些实施例中导体是ITO。” | 对比文件直接公开了ITO，ITO属于本发明所列材料之一，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征O: 透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种。 **未公开** | 对比文件未公开透明光掩模的材料。对比文件[0110]使用PDMS作为微接触印刷的印章，但并非作为透明光掩模。 | 对比文件未公开将PDMS等材料用作透明光掩模的特征，且未提及这些材料在光掩模中的应用。 |
| 技术特征P: 导电层的厚度是5nm以上10μm以下。 **直接公开** | [0074]：“导体可以具有5纳米到5微米的厚度。” | 对比文件公开的厚度范围5nm-5μm完全落入本发明限定的5nm-10μm范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征Q: 第一正型光敏材料层和第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下。 **未公开** | 对比文件未记载光敏材料层的厚度参数。 | 对比文件未涉及光敏材料层的厚度特征。 |
| 技术特征R: 步骤b-1)和d)分别包括在使透明光掩模与第一正型光敏材料层或第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm2以上200mJ/cm2以下的紫外线照射至该透明光掩模上。 **未公开** | 对比文件未记载紫外线照射强度参数。 | 对比文件未公开任何曝光强度条件。 |
| 技术特征S: 在步骤a)中，形成导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法。 **直接公开** | [0097]：“导体可以使用物理气相沉积方法沉积，例如溅射或蒸发，这在本领域是已知的。” | 对比文件直接公开了溅射和蒸发（热沉积），这些方法属于本发明列举的方法，因此该技术特征被直接公开。 |
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