对比文件名称：2013-12-16_TW201351062A_发明专利_TW201351062A 透過捲到捲光刻法製造用於透明電極與偏光片之微米級與納米級導體柵之方法
目标专利名称：形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体（CN105980935B）
本次调用的模型名称：GPT-4（基于深度学习的自然语言处理模型）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层（直接公开） | “另一方面，本揭露提供基板之微米圖案化或奈米圖案化之方法，基板包含放置於其上的輻射敏感材料，例如正光阻材料。在滾筒裝置之堅硬圖案化表面下方傳遞基板。特定變動中，基板包含導電材料，位於輻射敏感正光阻材料下方。”（参见说明书“另一方面”至“正光阻材料”部分） | 对比文件明确记载在基板的导电层上形成正光阻（正型光敏材料）作为辐射敏感材料，该步骤与目标专利步骤a)完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上（直接公开） | “輻射或電子束能量通過堅硬圖案化表面的一或多個區域。特定變動中，輻射通過堅硬圖案化表面之一或多個區域到達輻射可硬化光阻材料，這樣暴露給輻射或電子束能量的正光阻材料的一或多個預選區域能夠藉由顯影劑被移除”（参见“特定變動”段）。此外，“建立光遮罩圖案化表面322與基板310之輕微接觸，同時紫外線輻射被發射通過光遮罩320的傳輸部以硬化光阻材料314”（参见卷对卷接触光刻部分）。 | 对比文件明确公开了使用具有图案的透明掩模（光遮罩/相位遮罩）与光阻层接触，并通过掩模照射紫外线（辐射）以进行曝光。此过程与目标专利步骤b-1)完全一致，因此直接公开。 |
| 技术特征C：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层（直接公开） | “暴露基板至顯影劑，以移除暴露的輻射敏感正光阻材料之一或多個預選區域”（参见正光阻方法的“另一方面”部分）。 | 对比文件明确指出曝光后使用显影剂处理，移除暴露部分的正光阻，从而形成图案层。掩模的去除在基板移开后自然完成。因此直接公开。 |
| 技术特征D：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件中针对正光阻仅描述了“移除暴露的辐射敏感正光阻材料”，未提及在显影后对正光阻图案进行固化处理。负光阻部分有“硬化”步骤，但正光阻未涉及。 | 目标专利的固化步骤用于增强第一图案层以耐受后续工艺，对比文件未给出任何关于正光阻显影后固化的教导或暗示，本领域技术人员无法合理推断出该步骤。 |
| 技术特征E：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层（未公开） | 对比文件仅描述在导电层上涂布一层光阻（正光阻或负光阻），未公开在已形成第一图案层后再涂布第二光敏材料层的工艺。 | 对比文件的方法采用单次光阻涂布和单次曝光（例如通过相移掩模直接产生网格），不存在叠加工艺。因此未公开。 |
| 技术特征F：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件未描述两次曝光和两次图案化形成交叉网格的步骤。其网格图案通过单次曝光（如棋盘格相位掩模）实现。 | 同特征E，对比文件不存在两次涂布和两次交叉曝光的过程，因此未公开。 |
| 技术特征G：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分（未公开） | 对比文件有蚀刻步骤：“蚀刻基板以移除一或多個預選區域外部之區域中未硬化的辐射可硬化光阻材料與下方的導電材料”。但这是针对单层光阻图案，而非依赖两层图案。 | 由于对比文件不存在两层光敏材料图案层，因此不可能公开蚀刻未形成第一和第二图案层的导电部分。未公开。 |
| 技术特征H：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下（未公开，但线宽数值公开） | 对比文件有去除光阻步骤：“從硬化的預選區域移除已硬化的光阻材料”。并且公开线宽：“底部寬度為250奈米”、“線寬為大約880奈米”、“360奈米寬度”等。 | 对比文件公开了去除光阻层（单层）和次微米线宽（100-900nm）的技术，但并未公开去除两层光敏材料图案层（第一和第二）的步骤，因此整体特征H未公开。 |
| 技术特征I：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层（未公开） | 对比文件未涉及任何关于在两层图案之上再形成第三光敏材料层的教导或暗示。 | 对比文件仅描述单次或最多两次（未公开）图案化，未涉及三层工艺。未公开。 |
| 技术特征J：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层（未公开） | 同特征I，对比文件无相关记载。 | 无公开。 |
| 技术特征K：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下（直接公开） | “使用具有大約40μm線寬的線形圖案(大約80μm的重复週期)的鉻(Cr)空白掩模”（参见实施例1）。 | 对比文件明确记载用于制造透明光掩模的原始掩模具有40μm线宽，落在2-500μm范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金（直接公开） | “高導電材料可選擇地包含鋁、金、銅、銀、及其組合與合金”（参见“基板上放置的高导電材料”部分）。另多次使用“鋁(Al)”、“銅(Cu)”、“金(Au)”等。 | 对比文件明确列出了这些金属及其合金作为导电层材料，与目标专利完全一致，直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述导电层包括透明金属氧化物（未公开） | 对比文件背景部分提及“氧化銦錫”，但发明内容中导电层材料均指金属或单层石墨，未将透明金属氧化物作为导电层进行公开。 | 对比文件未公开导电层包含透明金属氧化物，本领域技术人员无法从对比文件直接且毫无疑义地得出该特征。 |
| 技术特征N：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种（未公开） | 对比文件仅在背景中提及ITO作为比较对象，但未在任何处公开导电层包含上述具体透明氧化物材料。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种（直接公开） | “聚二甲基矽氧烷(PDMS)”（参见相位遮罩材料部分）；“聚氨酯丙烯酸酯(PUA)”（参见外部图案化表面部分）；“聚對酞酸乙二酯(PET)”（参见基板及支撑膜部分）。 | 对比文件明确使用了PDMS、PUA、PET等材料制作透明光掩模/相位遮罩，属于所列材料，直接公开。其他未提及材料不影响，因开放式列表至少公开了部分。 |
| 技术特征P：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下（直接公开） | “鋁以50nm的厚度沉积”（参见实施例1）。 | 50nm在5nm-10μm范围内，对比文件公开了具体厚度值，直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下（未公开） | 对比文件未提供任何关于光敏材料层厚度的具体数值或范围。 | 对比文件未公开光阻层厚度数值，本领域技术人员无法确定其必然落入该范围。未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm2以上200mJ/cm2以下的紫外线照射至该透明光掩模上（直接公开） | “曝光強度的範圍為25至45毫焦每平方公分(mJ/cm2)”（参见曝光强度与显影时间实验部分）。 | 对比文件公开了25-45mJ/cm2的强度范围，该范围完全落入10-200mJ/cm2权利要求范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法（直接公开） | “透過物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)、真空金屬噴鍍、蒸鍍或者濺射”等方法（参见沉积方法段落）。 | 对比文件列出的沉积方法（蒸发、溅射、真空金属喷镀等）实质上覆盖了热沉积、溅镀、电子束沉积等，且溶液涂覆法隐含于“喷墨”、“喷涂”等工艺中。直接公开。 |
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