对比文件的名称：2011-09-29_US2011236833A_发明申请_US20110236833A1 Double Patterning Method
目标专利的名称：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
本次调用的模型名称：本系统语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：<br>《直接公开》 | 对比文件[0003]：“本发明的一个实施例提供一种制造器件的方法，包括在底层上形成第一光刻胶层，图案化第一光刻胶层以形成第一光刻胶图案，该图案包括沿第一方向延伸的第一光刻胶线，使第一光刻胶图案对溶剂不溶，在第一光刻胶图案上形成第二光刻胶层，图案化第二光刻胶层以在底层上形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案包括沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二光刻胶线，以及使用第一和第二光刻胶图案两者作为掩模蚀刻底层。” | 对比文件明确公开了方法包括后续步骤，与目标专利方法前序中的“包括”直接对应，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征。 |
| **技术特征I：** 其中，步骤1）中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5）是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。<br>《直接公开》 | 对比文件[0020]：“器件层包括导电材料，例如金属或金属合金，其被图案化成线形电极。”<br>对比文件[0035]：“然后，底层被图案化（即蚀刻），使用第一和第二光刻胶图案（即网格504）作为掩模。暴露在开口中的底层部分被蚀刻掉，而由网格504覆盖的剩余部分保留。” | 对比文件公开了底层（相当于基板上的层）可包括导电层，并且利用光刻胶网格蚀刻底层形成图案（例如线形电极或网格），该步骤与目标专利步骤5）蚀刻导电层上未形成光刻胶图案的部分以制造导电网格图案实质相同。本领域技术人员可以毫无疑义地得出该特征。 |
| **技术特征J：** 还包括：在步骤6）之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有公开在去除光刻胶形成母模之后再蚀刻基板的步骤，目标专利该步骤依赖于母模的存在，对比文件未涉及母模制造，因此未公开。 |
| **技术特征L：** 还包括：在步骤4）之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件仅涉及两次图案化，没有公开第三次形成光敏材料层的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征N：** 所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件不涉及透明光掩模产品，没有公开透明光掩模的凹入网格图案及其线宽范围。 |
| **技术特征O：** 其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开凹入网格图案的深度。 |
| **技术特征P：** 其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开凹入网格图案的间距。 |
| **技术特征Q：** 其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚氨酯丙烯酸酯（PUA）、聚苯乙烯（PS）、聚碳酸酯（PC）、聚乙烯醇（PVA）、环烯烃共聚物（COP）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）和聚乙烯醇缩丁醛（PVB）或它们的共聚物中的至少一种。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开透明光掩模的材料。 |
| **技术特征R：** 还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及透明光掩模上的不透明图案层。 |
| **技术特征S：** 其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开路由器图案。 |
| **技术特征T：** 其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开不透明图案层的材料。 |
| **技术特征U：** 包括：中空圆柱形基板。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及中空圆柱形基板的结构。 |
| **技术特征B：** 2）通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层。<br>《未公开》 | 对比文件[0009]：“第一光刻胶层被图案化以形成第一光刻胶图案111。”<br>对比文件[0015]：“第一光刻胶图案111通过使用第一光掩模的第一曝光形成。” | 对比文件公开了使用光掩模图案化光刻胶，但未明确“透明光掩模”（对比文件的光掩模通常是铬掩模，且未强调透明性）和“与上表面接触”的方式（对比文件未限定接触式曝光）。本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出使用透明光掩模并接触曝光的方案，因此未直接公开。也不满足隐含公开的要求，因为对比文件没有提供任何关于接触式透明掩模的提示或合理推理基础。 |
| **技术特征K：** 去除所述导电网格图案。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开在母模制造过程中专门去除导电网格图案的步骤。 |
| **技术特征M：** 在所述基板上形成第三光敏材料图案层。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开第三次图案化步骤。 |
| **技术特征V：** 配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及包覆层结构及凹入网格图案。 |
| **技术特征C：** 3）在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层。<br>《直接公开》 | 对比文件[0032]：“第二光刻胶层形成在第一光刻胶图案上。” | 对比文件明确公开了在第一光刻胶图案上形成第二光刻胶层的步骤，与目标专利步骤3）完全一致，直接公开。 |
| **技术特征W：** 配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及圆柱形基板内部的紫外灯。 |
| **技术特征D：** 4）使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层。<br>《未公开》 | 对比文件[0032]：“第二光刻胶层被图案化以在底层上形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案包括沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二光刻胶线502。”<br>对比文件[0033]：“第一和第二图案（即线500和502）在线502叠加在线500上时形成光刻胶网格504。”<br>对比文件[0034]：“第一和第二光刻胶层通过不同的光掩模曝光，或者通过同一光掩模但相对于底层在不同方向曝光。” | 对比文件公开了通过光掩模曝光形成与第一方向交叉的第二线条，从而形成网格图案。但同样未公开“透明光掩模”和“上表面接触”的方式。因此不构成直接公开，对比文件也没有提供任何关于透明接触掩模的教导，不满足隐含公开。 |
| **技术特征E：** 5）蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分。<br>《直接公开》 | 对比文件[0035]：“然后，底层被图案化（即蚀刻），使用第一和第二光刻胶图案（即网格504）作为掩模。暴露在开口中的底层部分被蚀刻掉，而由网格504覆盖的剩余部分保留。” | 对比文件明确公开了使用第一和第二光刻胶图案作为掩模蚀刻底层（相当于基板）上未被光刻胶覆盖的部分，与目标专利步骤5）完全相同，直接公开。 |
| **技术特征F：** 6）通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件中，在蚀刻底层后通常去除光刻胶，但底层中形成的是凹入开口或凸出柱（取决于工艺），而不是专门制造具有凸出网格图案的母模。对比文件的目的在于直接在器件层形成特征，而非制作供后续复制的母模，因此未公开。 |
| **技术特征G：** 7）在所述母模上形成透明树脂层。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及母模及在母模上形成透明树脂层。 |
| **技术特征H：** 8）从所述母模上去除所述透明树脂层。<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未涉及从母模剥离透明树脂层的步骤。 |
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