对比文件名称：JPH04356972A_Description_20260718_1949
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103389590B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 【0027】“0.7J/cm²时约1000Ω/□，0.8J/cm²时100Ω/□，超过1J/cm²时达到20-30Ω/□。”【0028】“电极间中央部E区最浅，通过调整能量和照射光斑决定了最终的结深。”【0030】表1中E区能量0.7J/cm²，结深0.08μm，表面浓度5e19。 | 对比文件公开了在P型半导体基板正面通过激光掺杂形成N型半导体层，其中电极间中央区域（E区）具有高电阻（约1000Ω/□），该区域作为低浓度发射层，与目标专利中低浓度发射层实现浅结、提高短波长响应的作用相同。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 【0023】“在P型半导体基板10上，在含有N型掺杂剂的气相中用激光照射进行N型掺杂，形成N型半导体层1。” | 对比文件明确基板为P型，形成的发射层为N型，导电类型相反，直接公开了该特征。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《未公开》 | 【0023】使用激光掺杂形成N型层，未采用热扩散工艺。【0014】指出热扩散法无法形成渐变结深，故本对比文件故意避免热扩散。 | 对比文件全程使用激光掺杂，未公开任何热扩散步骤形成低浓度发射层，且明确教导不采用热扩散。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 【0027】“超过1J/cm²时达到20-30Ω/□。”【0028】“集电极5正下方的A区较深，B、C、D各区依次变浅。”【0030】表1中A区能量1.6J/cm²，结深0.5μm。 | 对比文件公开了集电极下方的A区具有低电阻（20-30Ω/□），该电阻低于E区的高电阻（1000Ω/□），因此形成了高浓度发射层，作用相同。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《直接公开》 | 【0028】“集电极5正下方的A区较深，B、C、D各区依次变浅。”【0030】表1给出A、B、C、D区各自不同的能量和结深。 | 对比文件明确将高浓度发射层划分为A区（第一部分）和B、C、D区（第二部分），各部分具有不同的掺杂浓度和结深，直接公开该特征。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未提及玻璃组成层，激光掺杂在含掺杂剂的气相中直接进行。【0023】“在含有N型掺杂剂的气相中用激光照射进行掺杂。” | 对比文件没有在低浓度发射层上形成玻璃组成层，也没有通过激光照射玻璃组成层形成高浓度部分，因此未公开该特征。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 同特征F，无玻璃组成层。 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《直接公开》 | 【0028】“集电极5正下方的A区较深，B、C、D各区依次变浅。”【0044】图4示意显示A区在两电极正下方，其两侧依次为B、C、D区。 | 对比文件明确A区位于电极正下方，其两侧对称布置B、C、D区，因此第一部分（A）位于第二部分（B、C、D）之间，直接公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《隐含公开》 | 【0027】图3显示激光能量密度与电阻关系：能量越高，电阻越低。【0030】表1中A区能量1.6J/cm²，B区1.2J/cm²，C区1.0J/cm²，D区0.9J/cm²。 | 虽然对比文件未直接给出各区电阻值，但本领域技术人员根据图3可知能量越高电阻越低，从而可合理推断A区电阻低于B、C、D区，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 对比文件无玻璃组成层，故无去除步骤。 | 未公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 【0031】“在N型半导体层1上通过热氧化法形成约100-150Å的SiO2膜2作为表面钝化膜，接着在其表面通过热CVD法形成TiO2组成的反射防止膜3。” | 对比文件在N型层（发射层）上形成了SiO2和TiO2绝缘层，作用与目标专利的减反射膜/绝缘层相同。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 【0032】“受光面电极5通过印刷以Ag为主要成分的糊剂形成所需图案后，在600℃下烧成而形成。” | 对比文件在反射防止膜（绝缘层）上形成电极（集电极），直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 【0032】“该糊剂通过烧成贯穿反射防止膜3和SiO2膜2，与N型半导体层1的表面良好接触。” | 对比文件公开了电极烧穿绝缘层接触N型层（高浓度区域），直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 【0031】“在P型半导体基板10的背面，形成BSF层4以改善被体吸收的长波长光的收集效率。” | 对比文件公开了在背面形成BSF层（背面场层），直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 【0031】“BSF层4是通过印刷Al糊剂6后，在氧化性气氛中于700℃烧成而形成。” 烧成后Al掺杂形成P+层。 | 背面场层为P+型，与P型基板导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 【0031】“BSF层4是通过印刷Al糊剂6后，在氧化性气氛中于700℃烧成而形成。” | 烧成过程中Al杂质热扩散形成P+层，属于热扩散工艺，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 对比文件未在背面场层上形成钝化膜，仅形成背面电极。 | 对比文件没有公开背面钝化膜，未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 无钝化膜，第二电极直接形成在背面场层上。 | 未公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 无钝化膜，无穿过步骤。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《直接公开》 | 【0028】“集电极5正下方的A区较深，B、C、D各区依次变浅。”【0044】图4显示A区两侧对称分布B、C、D区。 | 对比文件公开了第一部分（A区）两侧有第二部分（B、C、D区），即第二部分包括布置在第一部分相对侧的区域，直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《未公开》 | 对比文件未涉及任何玻璃组成层。 | 未公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 【0032】公开了印刷、烧成、烧穿等步骤（即特征W、X、Y对应的步骤）。 | 对比文件公开了后续电极形成步骤，因此该方法包括这些步骤，直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 【0032】“受光面电极5是通过印刷以Ag为主要成分的糊剂形成所需图案后，在600℃下烧成而形成。” | 在绝缘层（反射防止膜）上印刷Ag糊剂（电极组成层），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 【0032】“在600℃下烧成。” | 烧成为热处理，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《直接公开》 | 【0032】“该糊剂通过烧成贯穿反射防止膜3和SiO2膜2，与N型半导体层1的表面良好接触。” | 烧穿工艺形成接触，直接公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，直接公开的特征代码（大写）为：A、B、D、E、H、K、L、M、N、O、P、T、V、W、X、Y。
隐含公开的特征代码（小写）为：i。
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