对比文件名称：2011-10-13_JP2011204872A_发明专利_JP2011204872A Conductive paste for forming light-receiving surface electrode of solar cell element, solar cell element and method of manufacturing the solar cell element
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“n型拡散層２は、シリコン基板の受光面に形成されるものであり、…シート抵抗が４０ないし１００Ω／□程度のｎ+型とする。” | 对比文件明确公开了在硅基板（半导体基板）的受光面（正面）形成n型扩散层，该扩散层具有40-100Ω/□的薄层电阻，相当于目标专利中具有第一电阻的低浓度发射层。因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“ｐ型シリコン基板１”和“ｎ型拡散層２”。 | 对比文件指出硅基板为p型，扩散层为n型，导电类型相反，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“ＰＯＣｌ3を拡散源とした気相熱拡散法”。 | 对比文件明确采用热扩散工艺（如POCl3气相热扩散）形成n型扩散层，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（未公开） | 无 | 对比文件仅形成单一的n型扩散层，未公开在发射层中形成电阻更低的高浓度掺杂部分，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何高浓度发射层，更未公开其分为第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 无 | 对比文件未涉及激光束照射玻璃组成层形成掺杂部分，也未公开任何激光工艺，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开） | 无 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开） | 无 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的任何位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于第一部分和第二部分电阻比较的内容，因此未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（未公开） | 无 | 对比文件未公开高浓度发射层及其形成后的玻璃组成层去除步骤，因此未公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“反射防止層３を形成する。…材料としては、ＳｉＮｘ膜（Ｓｉ3Ｎ4を中心にして組成ｘには幅がある）、ＴｉＯ2膜、ＳｉＯ2膜、ＭｇＯ膜、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ2膜、ＺｎＯ膜などを用いることができる。” | 对比文件公开了在n型扩散层（低浓度发射层）上形成反射防止层（绝缘层），直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“表面電極５は、シリコン基板１上に公知の塗布法を用いて本発明の太陽電池素子の受光面電極形成用導電性ペーストを塗布し、…焼成することにより形成できる。” | 对比文件公开了在反射防止层（绝缘层）上印刷导电浆料并烧成形成表面电极（第一电极），直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（未公开） | 对比文件公开了表面电极通过烧穿（fire-through）穿过反射防止层与扩散层接触（见烧成工艺描述），但扩散层为低浓度发射层。 | 对比文件仅公开了电极连接到低浓度扩散层，未公开连接到高浓度发射层，因此未直接公开，也不能隐含公开（因为对比文件没有高浓度发射层）。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“ＢＳＦ層４を形成する。” | 对比文件明确公开形成BSF层（背面场层），直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“一導電型半導体不純物が高濃度に拡散されてなる領域”和“ｐ+型”。 | 对比文件指出BSF层为p+型，与p型基板导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“ＢＢｒ3を拡散源とした熱拡散法”以及“アルミニウムペーストを塗布した後、６００ないし８５０℃程度で焼成してアルミニウムをシリコン基板１に向けて拡散する方法”。 | 对比文件公开了采用热扩散或铝扩散形成BSF层，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜（未公开） | 无 | 对比文件未公开在背面场层上形成钝化膜的任何内容，故未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极（未公开） | 无 | 由于未公开钝化膜，因此未公开在钝化膜上形成第二电极。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（未公开） | 无 | 对比文件未公开背面钝化膜及电极穿过钝化膜连接，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于第一部分和第二部分相对布置的内容，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（未公开） | 无 | 对比文件未涉及用于掺杂的玻璃组成层，更未提及PSG或BSG，因此未公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件整体描述了制造方法，包括多个步骤，如“次に、ｎ型拡散層２を形成する。…次に、反射防止層３を形成する。…次に、ＢＳＦ層４を形成する。…次に、…表面電極５と…裏面電極６とを形成する。”等。 | 对比文件公开了包括多个步骤的方法，因此直接公开了“该方法还包括以下步骤”这一表述。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“表面電極５は、シリコン基板１上に公知の塗布法を用いて本発明の太陽電池素子の受光面電極形成用導電性ペーストを塗布し”。 | 对比文件公开了在反射防止层（绝缘层）上涂布导电浆料（电极组成层），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理（直接公开） | 对比文件在“（８）太陽電池素子の製造方法”中记载：“焼成する”。 | 对比文件公开了将涂布的电极组成层进行烧成（热处理），直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（未公开） | 对比文件公开了烧穿工艺（fire-through）形成电连接，但连接的是低浓度扩散层。 | 对比文件未公开连接到高浓度发射层，因此未公开。 |
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