对比文件：WO2006117975A1_Description_20260718_1948
目标专利：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：本AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层 《直接公开》 | 段落[0031]：“低濃度エミッタ層である拡散ペースト印刷部以外の箇所、すなわち気相拡散のみを行った箇所のシート抵抗は、80から110Ω/口とできる。” 翻译：“低浓度发射层，即除扩散浆料印刷部分以外的部分，仅进行气相扩散的部分的薄层电阻可以达到80至110Ω/□。” 结合图1，该层形成于受光面（正面）。 | 对比文件明确公开了在半导体基板正面通过气相扩散形成低浓度发射层，并给出了电阻范围，因此直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型 《直接公开》 | 段落[0031]：“pn接合が形成される。”（形成pn结）。基板为p型，发射层为n型（磷掺杂）。 | 对比文件公开了在p型基板上形成n型发射层，导电类型相反，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层 《直接公开》 | 段落[0031]：“POC1ｓ雰囲気下、880℃で30分間保持して気相拡散熱処理を行ない”（在POCL3气氛下，880℃保持30分钟进行气相扩散热处理）。 | 气相扩散热处理属于热扩散工艺，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层 《直接公开》 | 段落[0031]：“塗布により形成される第１拡散層２（高濃度拡散層又は高濃度エミッタ層ともいう）”（通过涂布形成的第一扩散层，也称为高浓度扩散层或高浓度发射层），以及“高濃度エミッタ層では、ドーパントの表面濃度として２×10^20 cm^-2 程度”（高浓度发射层，掺杂剂表面浓度约2×10^20 cm^-2）。 | 对比文件公开了通过涂布扩散浆料形成的高浓度发射层，其表面浓度高，电阻低于低浓度发射层，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 《不公开》 | 无。 | 对比文件的高浓度发射层为均匀结构，未划分成不同电阻的部分，也未公开任何关于第一部分和第二部分的描述，不公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 《不公开》 | 无。 | 对比文件未公开任何激光照射步骤，也未公开通过激光加热玻璃层形成高浓度部分，不公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 《不公开》 | 无。 | 同特征F，不公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间 《不公开》 | 无。 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的几何关系，不公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 《不公开》 | 无。 | 对比文件高浓度发射层内无电阻差异，不公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层 《直接公开》 | 段落[0034]：“表面に形成されたリンガラスをフッ酸でエッチングした後”（用氢氟酸蚀刻表面形成的磷玻璃之后）。 | 对比文件在形成高浓度发射层（通过涂布扩散）后，去除了玻璃组成层（磷玻璃），步骤相同，直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层 《直接公开》 | 段落[0034]：“反射防止膜４として例えば窒化膜を堆積する。”（沉积氮化膜作为反射防止膜4）。 | 氮化膜是绝缘层，直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极 《直接公开》 | 段落[0035]：“受光面側にもスクリーン印刷装置等を用い、櫛形電極パターン印刷版を用いて例えば幅80μmのAg電極を印刷し、乾燥させる。”（在受光面侧也用丝网印刷装置等，使用梳形电极图案印刷版印刷例如宽度80μm的Ag电极，并干燥）。 | 电极形成在绝缘层上（通过印刷），直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层 《隐含公开》 | 段落[0035]：“高濃度エミッタ層２に櫛形電極が乗るよう印刷する。”（印刷成梳形电极位于高浓度发射层上）。段落[0036]：“所定の熱プロファイルにより焼成を行い、... 表面櫛形電極７を形成する。”（通过预定热分布进行烧成，形成表面梳形电极）。 | 对比文件公开了印刷电极并对准高浓度发射层，然后通过烧成形成电极。本领域技术人员知晓，烧成过程中电极会烧穿绝缘层（氮化膜）与高浓度发射层形成电接触，因此电极必然延伸穿过绝缘层。虽然未明确描述“延伸穿过”，但根据烧穿工艺原理可以合理推断，故隐含公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层 《直接公开》 | 段落[0035]：“裏面ｌｂに例えばアルミニウムからなるペーストを塗布し、乾燥させる。”（在背面涂布例如铝浆料，并干燥）。段落[0036]：“焼成を行い、ＢＳＦ層５、裏面電極６を形成する。”（进行烧成，形成BSF层5、背面电极6）。 | 对比文件明确公开了在背面形成BSF层（背面场层），直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型 《直接公开》 | 段落[0035]：铝浆料烧成形成p+层，基板为p型。 | 铝掺杂形成p型高浓度层，与p型基板导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层 《直接公开》 | 段落[0036]：“焼成”（烧成）。 | 烧成过程中铝扩散形成p+层，属于热扩散工艺，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜 《直接公开》 | 段落[0053]：“両面に窒化膜等のパッシベーション膜兼反射防止膜４及び裏面パッシベーション膜１１を例えば厚さ85nmで堆積する。”（在两面沉积氮化膜等钝化膜兼反射防止膜4及背面钝化膜11，例如厚度85nm）。 | 背面钝化膜形成在背面场层上，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极 《直接公开》 | 段落[0054]：“両面の高濃度拡散層にあわせ、櫛形電極パターンをＡｇからなる電極ペーストを用い、印刷する。”（对准两面的高浓度扩散层，使用Ag电极浆料印刷梳形电极图案）。 | 背面电极印刷在钝化膜上，直接公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层 《隐含公开》 | 段落[0054]：“印刷した電極ペーストを乾燥後、所定の熱プロファイルにより焼成を行い、図６に示すような太陽電池が作製される。”（印刷的电极浆料干燥后，通过预定热分布进行烧成，制造出图6所示的太阳电池）。图6显示电极接触BSF层。 | 类似特征M，烧成工艺使电极烧穿钝化膜接触背面场层，本领域技术人员可以合理推断，故隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 《不公开》 | 无。 | 对比文件未公开高浓度发射层分区，更未公开两侧布局，不公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG 《直接公开》 | 段落[0034]：“リンガラス”（磷玻璃，即PSG）；段落[0051]：“酸化ボロンを含んだペースト”（含氧化硼的浆料），会形成硼玻璃（BSG）。 | 对比文件公开了磷玻璃和硼玻璃作为玻璃组成层，直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | 整个方法包括多个步骤。 | 对比文件公开了太阳能电池制造方法包括多个步骤，因此直接公开了方法包括步骤这一笼统特征。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层 《直接公开》 | 段落[0035]：“受光面側にもスクリーン印刷装置等を用い、櫛形電極パターン印刷版を用いて例えば幅80μmのAg電極を印刷し、乾燥させる。”（在受光面侧用丝网印刷装置印刷Ag电极）。 | 涂布电极组成层（银浆）在绝缘层上，直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理 《直接公开》 | 段落[0035]：“乾燥させる”（干燥），段落[0036]：“焼成”（烧成）。 | 干燥和烧成都是热处理，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极 《直接公开》 | 段落[0036]：“焼成”（烧成）。 | 烧成工艺即烧穿工艺，形成电连接，直接公开。 |
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