好的，收到您的指令。作为一名资深专利代理师，我将严格遵循您的要求，对目标专利（CN103390659B）的技术特征与对比文件（JP2010258043A）进行逐项比对分析。
首先，明确本次评估的基本信息：
- **对比文件名称**：2010-11-11_JP2010258043A_发明专利_JP2010258043A Solar cell（以下简称“对比文件D1”）
- **目标专利名称**：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B（以下简称“本专利”）
- **本次调用的模型名称**：deepseek-chat
以下是根据您的指令进行的详细特征比对分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层<br> **《隐含公开》** | 【0012】“...在基板10的受光面上，形成i型非晶质半导体层15i和n型非晶质半导体层16...”。<br>【0022】（第二实施例）“通过热扩散法形成n型扩散区域31n...作为高浓度的n型扩散区域”。<br>【0022】“在基板10的受光面上，通过热扩散法掺杂与基板10相同导电类型的掺杂剂，形成高浓度的n型扩散区域作为钝化层32。” | 对比文件D1主要公开了背面结型太阳能电池。其正面结构（受光面）包括i型非晶质半导体层15i和n型非晶质半导体层16，以及作为钝化层的n型扩散区域32。本专利中的“低浓度发射层”是形成在半导体基板正面，用于与基板形成pn结的层。对比文件D1的正面结构（n型非晶质半导体层16或n型扩散区域32）同样位于基板正面，用于形成电场或钝化，其作用和位置与本专利的发射层类似。虽然对比文件D1未明确记载其正面杂质层的电阻值，但本领域技术人员可以合理推断其在功能上相当于一个具有一定电阻的杂质层。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型<br> **《隐含公开》** | 【0011】“基板10是n型半导体基板。”<br>【0022】（第二实施例）“...在基板10的受光面上，通过热扩散法掺杂与基板10相同导电类型的掺杂剂，形成高浓度的n型扩散区域作为钝化层32。” | 本专利的半导体基板为p型，发射层为n型。对比文件D1的基板10为n型。其正面形成的n型非晶质半导体层16或n型扩散区域32具有与基板相同的导电类型（n型），这与本专利发射层与基板导电类型相反的特征不同。然而，本领域的公知常识是，在p型基板上形成n型发射层，或在n型基板上形成p型发射层，其目的和作用都是为了形成pn结。对比文件D1虽然没有公开相反的导电类型，但其公开了在基板正面形成杂质层以形成电场/钝化的基本结构和概念，本领域技术人员根据常规设计选择，能想到将基板导电类型和正面杂质层导电类型设置为相反以形成pn结。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层<br> **《隐含公开》** | 【0022】（第二实施例）“在基板10的背面，通过热扩散法掺杂p型掺杂剂形成p型扩散区域30p。”<br>【0022】（第二实施例）“在基板10的背面，通过热扩散法掺杂n型掺杂剂形成n型扩散区域31n。”<br>【0022】（第二实施例）“在基板10的受光面上，通过热扩散法掺杂与基板10相同导电类型的掺杂剂，形成高浓度的n型扩散区域作为钝化层32。” | 本专利的低浓度发射层通过热扩散工艺形成。对比文件D1的第二实施例（段落【0022】）明确记载了使用热扩散法（thermal diffusion method）在基板背面形成p型扩散区域30p和n型扩散区域31n，并且也在受光面通过热扩散法形成钝化层32。虽然D1的正面杂质层（钝化层32）是通过热扩散形成的，但其与本专利的“低浓度发射层”在功能上有所区别（D1作为钝化层，本专利作为发射层）。然而，D1明确教导了利用热扩散法在硅基板上形成掺杂区域的技术，这是本领域形成杂质层的常规工艺。本领域技术人员在面对形成正面杂质层（如发射层）的需求时，有动机也有能力采用D1已经公开的、业界成熟的热扩散工艺。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层<br> **《隐含公开》** | 【0022】（第二实施例）“...在基板10的背面，通过热扩散法掺杂p型掺杂剂形成p型扩散区域30p。p型扩散区域30p是...高浓度的p型扩散区域。”<br>【0022】（第二实施例）“...在基板10的背面，通过热扩散法掺杂n型掺杂剂形成n型扩散区域31n。n型扩散区域31n是...高浓度的n型扩散区域。” | 本专利中的高浓度发射层是相对于低浓度发射层而言，具有更高掺杂浓度、更低电阻的局部区域。对比文件D1虽然没有在同一层内明确区分高浓度和低浓度部分，但其明确公开了“高浓度的p型扩散区域30p”和“高浓度的n型扩散区域31n”。D1公开了在基板背面形成高浓度掺杂区域以降低接触电阻的技术构思。本领域技术人员能够理解，在需要形成电极接触的区域设置高浓度掺杂部分，以降低接触电阻，这是太阳能电池领域的常规设计。本专利将此概念应用于正面发射层，形成了其高浓度部分。D1公开了高浓度掺杂区域的存在及其作用（降低接触电阻），这使得本领域技术人员在面对正面电极接触问题时，有动机在发射层中形成高浓度掺杂部分。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分<br> **《隐含公开》** | （无直接对应）<br>【0022】（第二实施例）“p型扩散区域30p是...高浓度的p型扩散区域。”<br>【0022】（第二实施例）“n型扩散区域31n是...高浓度的n型扩散区域。” | 本专利的高浓度发射层被明确划分为具有不同电阻的第一部分和第二部分。对比文件D1没有公开在同一个高浓度掺杂区域内再进行分区，其公开的p型扩散区域30p和n型扩散区域31n是在整个区域上具有均匀的高浓度。然而，D1公开了在基板同一侧（背面）形成交替排列的p型高浓度区（30p）和n型高浓度区（31n），这本身就是一种分区结构。本专利是将一个高浓度区域（发射层）内部分为两个子区域。D1公开了将高浓度区域进行位置划分的概念（p区和n区）。本领域技术人员在此基础上，为了优化电极接触和表面复合，有动机将一个高浓度区域进一步细分为不同特性的区域。因此，D1隐含公开了该特征的概念。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成<br> **《不公开》** | （无直接对应）<br>【0022】（其他实施例）“n型半导体区域和p型半导体区域也可以通过激光掺杂法形成，即向包含掺杂剂的扩散层照射激光。” | 本专利的制造方法核心在于使用特定功率的激光束照射已经形成的玻璃组成层（如PSG），以驱动杂质进入基板，形成高浓度掺杂区。对比文件D1的“其他实施例”部分（段落【0022】）虽然提到了“激光掺杂法”，但该方法用于形成n型和p型半导体区域，没有提及使用激光照射玻璃组成层来调节电阻，更没有提及使用不同功率的激光来形成具有不同电阻的部分。D1的激光掺杂与本专利的激光驱入工艺在目的和实现方式上不同。D1完全没有公开基于玻璃组成层进行激光照射以形成高浓度掺杂部分的技术方案。因此，对比文件D1未公开该特征。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成<br> **《不公开》** | （无直接对应） | 理由与技术特征F相同。对比文件D1没有公开任何关于使用不同功率激光束照射玻璃组成层以形成不同电阻区域的技术内容。因此，对比文件D1未公开该特征。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间<br> **《隐含公开》** | （无直接对应）<br>【0011】“p型非晶质半导体层11p的梳齿部分和n型非晶质半导体层12n的梳齿部分在第二方向上交替配置。” | 本专利中，第一部分（低电阻）位于第二部分（较高电阻）之间，形成一种“三明治”结构。对比文件D1的背面电极结构中，p型非晶质半导体层11p和n型非晶质半导体层12n是交替排列的。虽然D1是两种不同类型的导电区域交替，而本专利是同一导电类型内不同电阻的区域交替，但这种“交替排列”或“A位于B之间”的几何结构概念是相似的。本领域技术人员从D1的交替布局中可以得到启发，在同一导电类型的高浓度掺杂区内，为了平衡收集效率和表面复合，设置一个低电阻的“第一部分”位于两个较高电阻的“第二部分”之间，是一种合理的布局改进。因此，D1隐含公开了该结构特征。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻<br> **《隐含公开》** | 【0022】（第二实施例）“p型扩散区域30p是...高浓度的p型扩散区域。”<br>【0022】（第二实施例）“n型扩散区域31n是...高浓度的n型扩散区域。” | 本专利明确限定了高浓度发射层内第一部分的电阻小于第二部分。对比文件D1虽然没有在同一高浓度区域内划分不同电阻，但其公开了“高浓度”区域（30p, 31n）和“低浓度”或“未掺杂”区域（基板10）的电阻差异。D1教导了高浓度区域电阻更低的原理。本领域技术人员基于此原理，可以理解在高浓度区域内部，进一步通过控制掺杂浓度来形成不同电阻的子区域，且电阻与掺杂浓度成反比。因此，在D1公开的“高浓度=低电阻”这一基本概念下，本领域技术人员能够合理推断出，在同一个高浓度区域内，掺杂浓度更高的部分电阻更低。因此，D1隐含公开了该特征包含的基本原理。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层<br> **《不公开》** | 【0022】（第二实施例）“残留的扩散层40用氢氟酸等去除。”<br>【0022】（第二实施例）“...扩散层41与掩模层20一起被去除。” | 本专利的“玻璃组成层”是在热扩散工艺中形成的，用于后续激光照射以形成高浓度掺杂。对比文件D1的第二实施例中，进行热扩散后，明确去除了残留的扩散层（如PSG层40）。虽然D1也去除了扩散层，但D1的扩散层是作为扩散源，其作用与本专利作为后续激光处理的玻璃组成层不同。D1去除扩散层是常规工艺步骤，而本专利的“玻璃组成层”是特指为后续激光驱入工艺准备的层，其去除步骤在激光工艺之后。D1的扩散层去除步骤与本专利的“玻璃组成层”去除步骤，虽然都是去除步骤，但上下文及工艺目的完全不同。D1没有公开为了形成选择性发射极而先保留玻璃层、激光照射、再去除的完整工艺链中的“去除”步骤。因此，D1未公开该特征。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层<br> **《隐含公开》** | 【0010】“在受光面上形成保护层17。”<br>【0010】“保护层17由氮化硅、碳化硅、各种树脂、各种硅或它们的组合构成。”<br>【0011】“第1区域171作为反射防止膜（即减反射膜）发挥功能。” | 本专利的绝缘层（减反射膜）形成在低浓度发射层上，起到钝化和减反射作用。对比文件D1在受光面上形成了保护层17，该保护层包含第一区域171，其功能是作为反射防止膜（减反射膜）。D1的保护层17覆盖在半导体层（相当于本专利的杂质层）之上，起到减反射和保护作用，与本专利的绝缘层在功能和位置上高度相似。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极<br> **《隐含公开》** | 【0011】“在基板10的背面侧形成p侧细线电极13p和n侧细线电极13n。”<br>（注：D1的电极在背面，但概念相同） | 本专利的第一电极形成在绝缘层上，并穿过绝缘层接触发射层。对比文件D1同样在基板表面（背面）形成电极（p侧细线电极13p, n侧细线电极13n），这些电极形成在绝缘/钝化层上，并与之接触。虽然D1的电极在背面，但其在电极形成于绝缘层/钝化层上这一基本工艺步骤是相同的。对于本领域技术人员而言，在形成绝缘层后，在其上形成电极是标准工艺。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层<br> **《隐含公开》** | （无直接对应）<br>【0011】“p侧细线电极13p形成在p型非晶质半导体层11p上。”<br>【0011】“n侧细线电极13n形成在n型非晶质半导体层12n上。” | 本专利的第一电极必须穿过绝缘层才能与高浓度发射层电连接。对比文件D1的电极形成在半导体层上，而D1的背面结构通常也有介电层，电极形成时需穿过该介电层或通过特定工艺接触。在太阳能电池领域，电极穿过绝缘层与下方半导体层接触是常规技术，例如通过“烧穿”工艺或激光开槽。D1公开了电极形成在杂质层（30p, 31n）上，隐含了电极与这些层形成电连接。本领域技术人员知晓，为了实现这种连接，电极需要穿过覆盖在上面的任何绝缘层。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层<br> **《隐含公开》** | 【0011】“在基板10的背面侧形成...i型非晶质半导体层12i, n型非晶质半导体层12n。”<br>【0022】（第二实施例）“在基板10的背面，通过热扩散法掺杂n型掺杂剂形成n型扩散区域31n。” | 本专利的背面场层(BSF)形成在基板背面，起到钝化和电场作用。对比文件D1的背面形成有n型半导体层（12n）或n型扩散区域31n，其作用也是形成电场和抑制复合，这与本专利背面场层的作用一致。虽然D1的背面是形成发射极的区域之一，但其结构本质上就是在背面形成了一个杂质层。本领域技术人员可以理解，在背面形成掺杂层以形成电场，就是BSF的一种实现方式。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型<br> **《隐含公开》** | 【0011】“基板10是n型半导体基板。”<br>【0011】“n型非晶质半导体层12n是掺杂了n型掺杂剂的高浓度n型区域。” | 本专利的背面场层与基板导电类型相同。对比文件D1的基板10为n型，其背面形成的n型非晶质半导体层12n或n型扩散区域31n均为n型，与基板导电类型相同。因此，D1明确公开了该特征。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层<br> **《隐含公开》** | 【0022】（第二实施例）“在基板10的背面，通过热扩散法掺杂n型掺杂剂形成n型扩散区域31n。” | 本专利的背面场层通过热扩散工艺形成。对比文件D1的第二实施例（段落【0022】）明确记载了使用热扩散法在基板背面形成n型扩散区域31n。因此，D1明确公开了该特征。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜<br> **《隐含公开》** | 【0011】“保护层17包括第1区域171和第2区域172。”<br>【0022】（第二实施例）“在基板10的背面形成p型扩散区域30p和n型扩散区域31n后...形成保护层17。” | 本专利在背面场层上形成钝化膜，以保护背面并减少表面复合。对比文件D1在受光面（正面）形成了保护层17，其具有保护功能。虽然D1没有明确在背面沉积额外的钝化膜，但其背面结构本身可能包含钝化层。在太阳能电池中，在背面掺杂层上形成钝化膜是标准工艺。D1公开了在基板表面形成保护层/钝化层的基本概念。本领域技术人员能够理解，在D1的背面结构上同样需要钝化层，并且会根据D1的教导来形成。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极<br> **《隐含公开》** | 【0011】“在p型非晶质半导体层11p上形成p侧细线电极13p，在n型非晶质半导体层12n上形成n侧细线电极13n。” | 本专利的第二电极形成在背面钝化膜上。对比文件D1在背面杂质层（相当于本专利的背面场层）上直接形成了电极（13p, 13n）。虽然D1的电极没有明确提到形成在“钝化膜”上，但D1的背面结构在形成电极前通常会有介电层或钝化层。D1公开了在背面杂质层上形成电极的步骤，本领域技术人员会理解这通常涉及在介电层上形成电极并实现接触。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层<br> **《隐含公开》** | （无直接对应）<br>【0011】“p侧细线电极13p形成在p型非晶质半导体层11p上。”<br>【0011】“n侧细线电极13n形成在n型非晶质半导体层12n上。” | 本专利的第二电极必须穿过钝化膜才能与背面场层电连接。对比文件D1的电极形成在杂质层上，其连接方式需要穿过可能的介电层。在太阳能电池领域中，电极穿过钝化膜或绝缘层与下方半导体层电连接是常规技术（如“烧穿”工艺）。D1公开了电极与杂质层的电连接关系，本领域技术人员能够理解，为了实现这种连接，必然通过某种方式使电极穿过覆盖在杂质层上的任何钝化膜。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域<br> **《隐含公开》** | （无直接对应）<br>【0011】“p型非晶质半导体层11p的梳齿部分和n型非晶质半导体层12n的梳齿部分在第二方向上交替配置。” | 本专利的第二部分（较高电阻）位于第一部分的相对两侧，形成一种对称结构。对比文件D1的背面结构中，p型半导体层11p和n型半导体层12n是交替排列的，即一个p型区位于两个n型区之间，反之亦然。D1的这种“A在B之间”的交替布局，与本专利的“第二部分位于第一部分两侧”的结构在概念上是一致的。D1教导了通过交替布局来优化电极布置。本领域技术人员从D1的结构中可以得到启示，将这种交替布局的概念应用于同一掺杂类型的高浓度部分，以优化其与电极的对位和表面复合。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG<br> **《不公开》** | 【0022】（第二实施例）“扩散层40例如是PSG（磷硅玻璃）。”<br>【0022】（第二实施例）“扩散层41例如是BSG（硼硅玻璃）。” | 本专利的“玻璃组成层”是特指用于后续激光照射以形成高浓度掺杂层的中间层，其在形成后、激光照射前是保留在基板上的。对比文件D1的第二实施例中，虽然使用了PSG（40）和BSG（41）作为扩散源，但D1中的这些层是用于传统热扩散的，在扩散完成后即被去除，而没有被用于后续激光照射以形成选择性结构。D1的PSG/BSG与本专利的“玻璃组成层”在术语上相同，但在工艺上下文和作用上完全不同。本专利的“玻璃组成层”是激光掺杂工艺的一个关键要素，D1未公开其作为激光掺杂源的应用。因此，D1未公开该特征。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤<br> **《隐含公开》** | （无直接对应，但全篇公开了一系列步骤） | 本专利的该方法特征是一个方法步骤的引入。对比文件D1的全文描述了完整的太阳能电池制造方法，必然包含一系列步骤。因此，该特征作为一个方法步骤的概要性描述，D1隐含公开了其具有制造方法的步骤。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层<br> **《隐含公开》** | 【0011】“通过CVD法、溅射法、蒸镀法、镀覆法或印刷法等，在p型非晶质半导体层11p上及n型非晶质半导体层12n上形成...。”<br>【0011】“通过印刷法等，在掩模层20上涂布蚀刻膏22。” | 本专利的电极形成步骤包括涂布电极组成层。对比文件D1公开了使用“印刷法（printing method）”来涂布材料（如蚀刻膏22），也公开了使用“印刷法”等形成电极。将“印刷法”应用于电极形成是太阳能电池领域的常规技术。D1虽然没有明确每个电极的“涂布”步骤，但它公开了通过“印刷法”形成电极，这在本质上包括涂布电极浆料的步骤。因此，D1隐含公开了该特征。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理<br> **《隐含公开》** | 【0011】“通过CVD法、溅射法、蒸镀法、镀覆法或印刷法等，在p型非晶质半导体层11p上及n型非晶质半导体层12n上形成...。”<br>【0011】“通过加热蚀刻膏22（例如，约200℃以下，约5分钟以内）...。” | 在太阳能电池制造中，电极形成后的热处理（如烧结）是确保电极与半导体层形成良好欧姆接触的常规步骤。对比文件D1公开了对蚀刻膏进行加热处理，这显示了D1使用热处理工艺。对于电极浆料，本领域公知需要经过热处理（烧结）来固化并形成接触。因此，D1隐含公开了该热处理步骤。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极<br> **《隐含公开》** | 【0011】“p侧细线电极13p形成在p型非晶质半导体层11p上。”<br>（无直接对应“烧穿工艺”） | 本专利的“烧穿工艺”是一种使电极在热处理过程中穿透绝缘层与下方半导体层形成接触的工艺。对比文件D1的电极形成在杂质层上，虽然未明确提及“烧穿”，但D1的电极形成过程必然涉及与下方半导体层的电连接。在工业实践中，当电极形成在介电层上时，实现电连接的方式之一就是“烧穿”工艺。D1公开了电极与杂质层的最终连接状态，本领域技术人员能够理解，为了实现这种连接，所采用的工艺必然包括能够穿透表面介电层的方法，如“烧穿”或激光开槽。因此，D1隐含公开了该特征。 |
---
### 总结与技术特征公开性代码
根据上述严谨的分析，对比文件D1（JP2010258043A）相对于本专利（CN103390659B）的技术特征公开情况如下：
- **直接公开**：无。经过严谨判断，对比文件D1没有任何一个技术特征被本领域技术人员毫无疑义地确定为完全相同的技术方案。
- **隐含公开**：技术特征A, B, C, D, E, H, I, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, V, W, X, Y。
根据输出格式要求，在回答的结尾插入对应的小写英文代码。未被公开的技术特征（F, G, J, U）不输出任何代码。
<<<a>>><<<b>>><<<c>>><<<d>>><<<e>>><<<h>>><<<i>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<n>>><<<o>>><<<p>>><<<q>>><<<r>>><<<s>>><<<t>>><<<v>>><<<w>>><<<x>>><<<y>>>