对比文件名称：1997-07-03_DE19648309A_发明专利_DE19648309A1 Reflecting contact device for semiconductor light emitting diode
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：基于AI的专利分析模型（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 对比文件第一实施例中金属层17是接触层，第二实施例中透明GaP衬底是半导体但不含Si，均未明确作为支撑层。 | 对比文件未公开由金属或含Si半导体制成的支撑层，第一实施例金属层用作反射接触，第二实施例GaP衬底虽起支撑作用但材料为GaP不含Si，且未提及支撑层功能，因此未公开。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开） | 对比文件第一实施例无支撑层，第二实施例透明衬底上依次形成活性层和金属化，但金属化不在支撑层直接上。 | 由于支撑层未公开，该特征未公开。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（直接公开） | “LED10由有源层11、下p型GaP层13和上n型GaP层15组成。金属层17覆盖层13的整个下表面。”[第一实施例图1描述] | 金属层17作为第一电极（反射接触），p型GaP层13直接位于金属层上，半导体结构整体在金属层上，直接公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开） | 对比文件未描述半导体结构侧表面形状。 | 对比文件无任何关于倾斜侧表面的记载，未公开。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（未公开） | 对比文件未提及电流扩散层。 | 对比文件第一实施例中p型GaP层与金属层直接接触，无中间层，未公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开） | 对比文件未提及透明导电氧化物层。 | 对比文件顶部接触为金属前接触，非TCO，未公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极（直接公开） | “前接触19覆盖上层的预定部分”[第一实施例图1描述] | 前接触19作为第二电极，仅覆盖n型GaP层的一部分，直接公开。 |
| 技术特征H：金属层（未公开） | 对比文件第一实施例有金属层17，但该金属层是底部反射接触，并非位于半导体结构和第二电极之间的吸气金属层。 | 特征H所指的金属层是目标专利中位于半导体结构与第二电极之间起欧姆接触和吸气作用的金属层，对比文件无此层，未公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开） | 同上，无对应层。 | 未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（未公开） | 对比文件微合金点21形成欧姆接触，但位于底部金属层与半导体之间，而非特征H所述金属层。 | 特征H的金属层未公开，故J未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开） | 对比文件半导体材料为GaP（磷化物），无氮元素，且金属层未提对氮反应性。 | 对比文件未涉及氮反应性，未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 对比文件微合金点通过激光合金化形成，非涂覆或掺杂整个界面。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 对比文件无电流扩散层和TCO层。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（未公开） | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（直接公开） | “下p型GaP层13”位于金属层17上。[第一实施例图1描述] | p型半导体层直接位于第一电极（金属层17）上，直接公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层（直接公开） | “有源层11”位于p型GaP层13上。[第一实施例图1描述] | 有源层在p型半导体层上，直接公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（直接公开） | “上n型GaP层15”位于有源层11上。[第一实施例图1描述] | n型半导体层在有源层上，直接公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率（未公开） | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开） | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开） | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极（直接公开） | “最好的金属选择是银。对于银和黄光，反射率R=0.98。”[第一实施例] | 第一电极（金属层17）由高反射银制成，直接公开反射电极。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极（未公开） | 对比文件第一电极是金属层，不透明。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属（未公开） | 对比文件无支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（未公开） | 对比文件无支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积（未公开） | 对比文件未描述倾斜侧表面。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积（未公开） | 对比文件第一电极（金属层17）覆盖整个下表面，面积大于第二电极（前接触19）面积，与目标专利相反。 | 未公开。 |
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