对比文件名称：1998-12-22_None_发明专利_JPH10341035A Semiconductor light emitting element and fabrication thereof
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开由金属或含Si半导体制成的支撑层，仅提及可替换生长基板（例如透明窗口），但未明确其材料为金属或含Si半导体。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开支撑层，因此未公开在其上的第一电极。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开支撑层及第一电极，因此未公开半导体结构在其上。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面《直接公开》 | [0022]“通过斜切锯片形成倾斜侧壁”；[0017]“一次窗口的侧壁16是倾斜的” | 对比文件明确公开通过斜切锯片在芯片整体上形成倾斜侧壁，芯片包括半导体结构（外延层），因此半导体结构直接具有倾斜侧表面。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开在半导体结构和第一电极之间的专门电流扩散层，其窗口层虽具有电流扩散功能但材料及位置均不同。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层《直接公开》 | [0023]“透明ITO，非常薄的AuGe层，或AuZn”作为晶圆键合界面；[0030]“透明ITO作为欧姆接触” | 对比文件明确公开使用透明导电氧化物（ITO）直接形成在半导体结构上，作为接触或界面层。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极《直接公开》 | [0015]“p型和n型欧姆接触” | 对比文件公开了n型欧姆接触作为第二电极，位于半导体结构上。 |
| 技术特征H：金属层《直接公开》 | [0015]“欧姆接触”为金属层（如AuZn、AuGe） | 对比文件公开了金属层作为欧姆接触，直接形成在半导体结构上。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件中的金属层直接作为电极，未独立于第二电极，因此未公开金属层布置在半导体结构和第二电极之间。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触《直接公开》 | [0015]“欧姆接触” | 对比文件公开了金属层直接充当欧姆接触。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未提及金属层对氮具有高反应性（如Ti、Zr、Cr）。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未提及涂覆或掺杂特定金属在半导体结构的界面上或界面中。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未涉及功函数比较。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开InGaN电流扩散层。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层《隐含公开》 | [0012]“p型及n型掺杂的外延层” | 对比文件公开了p型层，本领域技术人员根据通常的垂直结构（p型层位于底部）可合理推断出p型半导体层位于第一电极上。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层《直接公开》 | [0012]“活性区域11” | 对比文件直接公开了有源层（活性区域）。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层《直接公开》 | [0012]“n型掺杂的外延层” | 对比文件直接公开了n型层。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未提及电流扩散层增强载流子迁移率。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未涉及功函数。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未涉及功函数。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极《隐含公开》 | [0021]“反射性Ag基粘合环氧树脂”和“图案化AuZn背面接触” | 对比文件公开了使用反射性材料（如Ag、AuZn）作为接触，本领域技术人员可合理推断出第一电极可包括反射电极。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极《直接公开》 | [0030]“透明ITO作为欧姆接触” | 对比文件直接公开了透明电极（ITO）。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开支撑层材料为金属。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（未公开） | 无直接相关原文 | 对比文件未公开支撑层。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积《隐含公开》 | [0017]“上部表面17的区域范围比活性元件区域范围更宽” | 对比文件公开了上部表面面积大于活性元件区域面积，通过倾斜切割，本领域技术人员可合理推断出半导体结构自身的第二表面（上表面）面积大于第一表面（下表面）面积。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积《隐含公开》 | 同上 | 基于倾斜侧壁，第一电极表面面积小于第二电极表面面积，本领域技术人员可合理推断。 |
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