对比文件名称：1996-06-25_None_发明专利_JPH08167735A Light emitting element
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
调用模型：GPT-4（基于深度思考）
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层 不公开 | 对比文件未记载任何支撑层结构。 | 对比文件全部实施方式均基于保留蓝宝石衬底的横向结构，无任何关于支撑层的描述，本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断出该特征。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极 不公开 | 对比文件无支撑层，第一电极（p侧电极8）形成在p型电流扩散层上（[0032]）。 | 由于支撑层不存在，第一电极的位置关系不在支撑层上，故未公开。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构 不公开 | 对比文件半导体结构（n型层、有源层、p型层）形成在衬底上，第一电极（p侧电极8）形成在半导体结构的最上层（[0030]-[0032]）。 | 对比文件中半导体结构位于第一电极之下（即第一电极在半导体结构上），而非第一电极之上，与目标专利的垂直结构顺序相反，故未公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面 不公开 | 对比文件未提及半导体结构的侧表面形状。 | 对比文件仅描述通过干法刻蚀暴露n型层，刻蚀可能形成垂直或倾斜侧壁，但无任何文字或图示表明侧表面为倾斜且无相关功能描述，故未公开。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层 **《直接公开》** | [0031]：“ｐ型のＩｎＧａＮクラッド層２を形成している…その上にｐ型のＩｎＧａＮ層電流拡散層１を形成している。”<br>[0032]：“このエピタキシャルウェハのｐ型ＩｎＧａＮ電流拡散層１の上にｐ側電極８を形成した。” | 对比文件明确公开了p型InGaN电流扩散层1位于p型包层2（属于半导体结构）与p侧电极8（第一电极）之间，直接接触两者，作用为电流扩散，与目标专利中电流扩散层的作用相同。因此直接公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层 不公开 | 对比文件未记载任何透明导电氧化物（TCO）层。 | 对比文件所有电极均为金属（p侧电极8、n侧电极9），无TCO层，也未暗示任何透明导电氧化物层，故未公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极 **《直接公开》** | [0032]：“上記のように形成したｐ型ＩｎＧａＮ電流拡散層１およびダブルヘテロ層の一部をドライエッチングにより除去してｎ型ＩｎＧａＮ電流拡散層５を露出させ、この露出させたｎ型ＩｎＧａＮ電流拡散層５の上にｎ側電極９を形成している。” | 对比文件公开了n侧电极9（第二电极）形成在露出的n型InGaN电流扩散层5（属于半导体结构的一部分）上，即第二电极位于半导体结构的一部分上。该特征与目标专利中第二电极位于半导体结构的一部分上的位置关系一致，故直接公开。 |
| 技术特征H：金属层 不公开 | 对比文件未记载任何金属层（除电极外）。 | 对比文件无独立的金属层（如吸气金属）位于半导体结构与第二电极之间，故未公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间 不公开 | 同特征H，无金属层。 | 缺少金属层，故该位置关系无法成立。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触 不公开 | 对比文件未提及此类金属层及其欧姆接触特性。 | 对比文件n侧电极直接形成于n型层上，可能形成欧姆接触，但无特定金属层及其与氮反应的描述，故未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性 不公开 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未涉及任何对氮具有高反应性的金属（如Ti、Zr、Cr），也未提及氮反应性，故未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中 不公开 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件n侧电极仅为常规淀积，未涉及涂覆或掺杂在界面中，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数 不公开 | 对比文件未提及功函数，且无透明导电氧化物层。 | 对比文件无透明导电氧化物层，也未对不同层功函数进行比较，故未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且其中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层 **《直接公开》** | [0031]：“ｐ型のＩｎＧａＮクラッド層２を形成している…その上にｐ型のＩｎＧａＮ層電流拡散層１を形成している。”<br>[0032]：“このエピタキシャルウェハのｐ型ＩｎＧａＮ電流拡散層１の上にｐ側電極８を形成した。” | 对比文件中的p型InGaN电流扩散层1直接形成于p型包层2（半导体结构）上，且p侧电极8直接形成于电流扩散层1上，满足直接接触；该电流扩散层为InGaN层（InGaN混晶比0.7），符合“包括InGaN层”。因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层 不公开 | 对比文件半导体结构中的p型层（p型InGaN包层2、p型InGaN电流扩散层1）位于第一电极（p侧电极8）之下（[0031]-[0032]）。 | 对比文件p型层位于第一电极下方，而非上方，与目标专利的垂直结构顺序相反，故未公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层 不公开 | 对比文件有源层（InGaN活性层3）位于p型层（p型InGaN包层2）之下（[0031]）。 | 对比文件有源层在p型层下方，不在其上方，故未公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层 不公开 | 对比文件n型层（n型InGaN电流扩散层5、n型InGaN包层4）位于有源层（InGaN活性层3）之下（[0030]-[0031]）。 | 对比文件n型层在有源层下方，不在其上方，故未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率 **《隐含公开》** | [0030]：“ｎ型のＩｎＧａＮ電流分散層５を５μｍ形成している。”<br>[0032]：“ｐ型のＩｎＧａＮ層電流拡散層１を形成している。” | 对比文件公开了p型和n型InGaN电流扩散层，其在本领域中的公认作用包括均匀扩散电流，而均匀扩散电流通常依赖于载流子迁移率的提高。目标专利说明书[0067]明确电流扩散层用于增强载流子迁移率，对比文件虽未明确描述该功能，但本领域技术人员从对比文件存在电流扩散层可合理推断其具有增强载流子迁移率的作用，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数 不公开 | 对比文件未提及功函数。 | 对比文件无任何功函数信息，无法直接或间接得出该关系。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数 不公开 | 对比文件未提及功函数。 | 对比文件无任何功函数信息，无法直接或间接得出该关系。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极 不公开 | 对比文件第一电极（p侧电极8）未指明反射材料。 | 对比文件仅描述为“p侧电极”，未指定其材料或反射功能，故未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极 不公开 | 对比文件第一电极（p侧电极8）为金属电极（通常不透明）。 | 对比文件未提及透明电极，且p侧电极通常为金属，故未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属 不公开 | 对比文件无支撑层。 | 对比文件无支撑层，更无金属支撑层，故未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上 不公开 | 对比文件无支撑层。 | 对比文件无支撑层，位置关系无法成立。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积 不公开 | 对比文件未提及倾斜侧表面，也未提及面积关系。 | 对比文件半导体结构未描述倾斜侧表面，且电极面积关系未涉及，故未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积 不公开 | 对比文件未提及面积比较。 | 对比文件无相关面积关系描述，故未公开。 |
基于上述比对，对比文件直接公开了技术特征E、N、G；隐含公开了技术特征R。其他技术特征未被公开。
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