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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层
B
在所述支撑层上的第一电极
C
在所述第一电极上的半导体结构
D
所述半导体结构具有倾斜的侧表面
E
布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层
F
在所述半导体结构上的透明导电氧化物层
G
在所述半导体结构的一部分上的第二电极
H
金属层
I
其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间
J
其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触
K
其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性
L
其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中
M
其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数
N
其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。
权利要求 2
O
其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层
P
在所述p型半导体层上的有源层
Q
和在所述有源层上的n型半导体层。
权利要求 3
R
其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。
权利要求 4
S
其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。
权利要求 5
T
其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。
权利要求 6
U
其中，所述第一电极包括反射电极。
权利要求 7
V
其中，所述第一电极包括透明电极。
权利要求 8
W
其中，所述支撑层包括金属。
权利要求 9
X
其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。
权利要求 10
Y
其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。
权利要求 11
Z
其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。