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对比文件列表
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx
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1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx
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1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_Q_l_r+++.docx
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2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_O_f_i+++.docx
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2002-08-09_JP2002220297A_发明专利_JP2002220297A Seed crystal and method of producing silicon single crystal using the same_+++A_B_C_G+++.docx
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2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_L_R_e+++.docx
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2003-04-03_US2003061985A_发明申请_US20030061985A1 Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder_+++A_B_C_D_E_F_G_Q_h_l+++.docx
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2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof_+++A_B_C_D_E_G_H_L_Q_R+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx
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2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal_+++A_B_C_D_E_K_Q_R_g_l+++.docx
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2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_R_l+++.docx
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2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same_+++A_B_C_D_F_R_g_l+++.docx
2026-07-29 11:01
2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_Q_R+++.docx
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2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_O_Q_R_l+++.docx
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2002-08-09_JP2002220297A_发明专利_JP2002220297A Seed crystal and method of producing silicon single crystal using the same_+++A_B_C_G+++.docx

对比文件名称:2002-08-09_JP2002220297A_发明专利_JP2002220297A Seed crystal and method of producing silicon single crystal using the same

目标专利名称:1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B

本次调用的模型名称:AI模型(GPT-4o)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括含有硅熔体的坩埚(**直接公开**)段落[0017]:“石英ルツボ3...溶融シリコンM” 翻译:石英坩埚3容纳熔融硅M。对比文件明确公开了用于容纳硅熔体的坩埚(石英坩埚3),该坩埚在CZ法中用于容纳硅熔体,与目标专利中坩埚作用相同,均为提供硅熔体以生长晶锭。因此直接公开。
**技术特征B**:提拉装置(**直接公开**)段落[0017]-[0018]:“引上げ用のワイヤー10に設けられたシードチャック11”以及“ワイヤーリール回転装置12”等。翻译:设置在拉伸用的线10上的晶种夹持器11;线轴旋转装置12。对比文件公开了用于提拉晶锭的装置,包括线、晶种夹持器、线轴旋转装置等,其功能是提拉硅单晶,与目标专利的提拉装置相同。因此直接公开。
**技术特征C**:所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭(**直接公开**)段落[0026]:“引き上げ点P₁〜点P₂(ネック部N)の引上げを開始する” 翻译:开始拉伸点P1到点P2(颈部N)的拉伸。对比文件明确描述了通过提拉装置从硅熔体拉伸硅单晶晶锭,包括颈部拉伸,功能与目标专利相同。因此直接公开。
**技术特征D**:掺杂剂供给单元(未公开)无对比文件未公开任何专门用于在晶锭生长期间供给掺杂剂的单元。对比文件使用的是预掺杂的种晶(种晶本身含有高浓度硼),而不是在生长过程中通过外部单元供给掺杂剂。因此未公开。
**技术特征E**:所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置(未公开)无由于对比文件未公开掺杂剂供给单元,因此该特征未被公开。
**技术特征F**:用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂(未公开)无对比文件未公开任何在晶锭生长期间供给掺杂剂的操作或单元。种晶的掺杂是在生长前预先确定的,并非在生长期间供给。因此未公开。
**技术特征G**:其中,所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具(**直接公开**)段落[0018]:“シードチャック11”以及“種結晶9は...シードチャック11に取り付けられている” 翻译:晶种夹持器;种晶9安装在晶种夹持器11上。对比文件明确公开了提拉装置包括晶种夹具(seed chuck),用于夹持晶种,与目标专利的晶种夹具功能相同。因此直接公开。
**技术特征H**:所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合(未公开)无对比文件未公开掺杂剂供给单元,也没有公开与晶种夹具的组合。因此未公开。
**技术特征I**:所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁(未公开)无对比文件未公开任何环绕晶种的外壁结构。因此未公开。
**技术特征J**:以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部(未公开)无对比文件未公开容纳部结构。因此未公开。
**技术特征K**:所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中(未公开)无对比文件未公开容纳部,也未公开掺杂剂容纳在其中。因此未公开。
**技术特征L**:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂(未公开)无对比文件未公开供给单元提供掺杂剂,因此该特征未被公开。
**技术特征M**:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁶原子/cm³至1×10¹⁹原子/cm³的掺杂剂(未公开)无对比文件未公开供给单元提供特定浓度范围的掺杂剂。种晶的浓度至少1×10¹⁸,但并非由供给单元提供。因此未公开。
**技术特征N**:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的掺杂剂(未公开)无同上。
**技术特征O**:其中,所述容纳部包括通孔(未公开)无对比文件未公开任何通孔结构。
**技术特征P**:颈部穿透所述通孔(未公开)无对比文件未公开通孔,也未公开颈部穿透通孔。
**技术特征Q**:其中,所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置(未公开)无对比文件未公开掺杂剂供给单元,也未公开其固定至提拉装置。
**技术特征R**:其中,通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼(未公开)无对比文件公开了种晶中含有硼,但未公开通过供给单元提供掺杂剂。因此未公开。

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