对比文件名称：2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用的模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚 《直接公开》 | [2]“在CZ炉内设置有坩埚3，该坩埚3容纳通过熔化多晶硅原料而成的熔液5。” | 对比文件明确记载了坩埚容纳硅熔液，与技术特征A相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：提拉装置 《直接公开》 | [2]“引上げ機構4（提拉机构）由提拉用电缆4a和其前端的晶种夹具4b构成。” | 对比文件公开了引上げ機構4，即提拉装置，用于提拉晶锭，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭 《直接公开》 | [2]“提拉机构4动作，通过CZ法从熔液5提拉硅单晶（硅单晶锭）6。” | 对比文件明确提拉机构提拉硅单晶锭，与技术特征C一致，直接公开。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元 《直接公开》 | [2]“掺杂剂供给装置20具备收纳室21、供给管22、载气导入管24和流量调整装置25。” | 对比文件公开了掺杂剂供给装置20，即掺杂剂供给单元，用于供给掺杂剂，直接公开。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置 《未公开》 | [2]“掺杂剂供给装置20配置在与硅单晶6和提拉机构4不干涉的位置。” | 对比文件明确将掺杂剂供给装置配置在与提拉机构不干涉的位置，未公开相邻布置；且目标专利中相邻布置是为了与晶种夹具组合并环绕晶种，对比文件没有该结构及作用，因此未公开。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂 《直接公开》 | [2]“在硅单晶6的直胴部前半部形成之后，使用掺杂剂供给装置20向熔液5追加掺杂升华的掺杂剂23。” | 对比文件在晶锭生长期间（直胴部形成后）供给掺杂剂，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 《直接公开》 | [2]“晶种由晶种夹具4b把持。” | 对比文件公开了晶种夹具4b，直接公开。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合 《未公开》 | [2]“掺杂剂供给装置20配置在与硅单晶6和提拉机构4不干涉的位置。” | 对比文件的掺杂剂供给装置与晶种夹具是分离的，没有组合关系，也未公开任何组合或固定关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁 《未公开》 | [2]“掺杂剂供给装置20具备收纳室21、供给管22、载气导入管24和流量调整装置25。” | 对比文件的掺杂剂供给装置不包括环绕晶种的外壁，其供给管朝向熔液，不环绕晶种，因此未公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件没有公开从外壁向内延伸的容纳部结构，其收纳室21是独立的室，并非从外壁延伸，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中 《未公开》 | [2]“收纳室21中收纳有可升华的掺杂剂23。” | 虽然对比文件有收纳室容纳掺杂剂，但该收纳室并非技术特征J中的容纳部，且特征J未公开，故特征K也不被公开。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂 《隐含公开》 | [2]“在硅单晶6的直胴部前半部形成之前，掺杂剂处于低浓度添加或无添加状态；之后，掺杂剂被添加至期望的高浓度状态。” | 本领域技术人员可合理推断，为了将熔液从低浓度变为高浓度，掺杂剂供给单元提供的掺杂剂浓度必须高于熔液中的当前浓度，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm³至1×10^19原子/cm³的掺杂剂 《未公开》 | [2]“硅单晶6中的掺杂剂浓度为1.6E19 atoms/cm³以下。” | 对比文件仅公开了晶体中的浓度，未公开供给单元提供的掺杂剂浓度范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm³至1×10^18原子/cm³的掺杂剂 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开该具体浓度范围，未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件没有公开容纳部或其通孔结构，未公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件没有公开通孔及颈部穿透，未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置 《未公开》 | [2]“掺杂剂供给装置20配置在与硅单晶6和提拉机构4不干涉的位置。” | 对比文件明确将掺杂剂供给装置配置为不干涉，未固定，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼 《直接公开》 | [2]“通过高浓度添加砷As或磷P作为掺杂剂来制造N++型硅单晶。” | 对比文件公开了磷（P）作为掺杂剂，磷是磷或硼中的一种，因此直接公开。 |
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