**对比文件名称**：2005-07-07_JP2005520307A_发明专利_JP2005520307A Transparent thermal stability light emitting element having an organic layer
**目标专利名称**：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**模型名称**：本分析基于AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板《直接公开》** | “請求項２に記載の本発明の透明ＯＬＥＤの構造の好ましい第２実施形態は、以下の層構造を備えている（逆転構造）：１． 担体、基板”（反转结构描述，第1层为基板） | 对比文件明确记载反转结构包含基板（担体），与目标专利的基板作用相同，均是作为支撑层，因此直接公开。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《直接公开》** | “２ａ． 透明電極、例えばＩＴＯ、電子注入する（陰極＝負極）”（反转结构描述，第2a层为透明阴极） | 对比文件明确记载在基板上设置透明阴极（ITO），用于电子注入，与目标专利的透明阴极结构和位置相同，直接公开。 |
| **技术特征C：阳极《直接公开》** | “８ａ． 透明電極、ホール注入する（陽極＝正極）、例えばＩＴＯ”（反转结构描述，第8a层为阳极） | 对比文件明确记载透明阳极（ITO）作为空穴注入电极，与目标专利的阳极作用相同，直接公开。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》** | “３ａ． ｎドープされており、電子注入し輸送する層 … ４ａ． … ５ａ． 発光層 … ６ａ． … ７ａ． ｐドープされており、電子を注入し輸送する層”（反转结构描述，第3a-7a层为有机层） | 对比文件在透明阴极（2a）和阳极（8a）之间设置了多层有机材料层（包括n掺杂层、阻挡层、发光层、p掺杂层等），直接公开了有机材料层的整体设置。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》** | “３ａ． ｎドープされており、電子注入し輸送する層 … ５ａ． 発光層”（反转结构描述，第3a层为n掺杂电子传输层，第5a层为发光层） | 对比文件明确在有机材料层中同时包含n掺杂的电子传输层（3a）和发光层（5a），与目标专利的构成完全一致，直接公开。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》** | “３ａ：ｎドープされた電子輸送層：２０ｎｍ、Bphen：Ｌｉが１：１の分子混合比率”（实施例中n掺杂电子传输层的具体组成） | 对比文件实施例中n掺杂电子传输层由电子传输材料Bphen和n型掺杂剂Li混合而成，明确公开了电子传输材料和掺杂剂的组合，直接公开。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《直接公开》** | “２ａ． 陰極 … ３ａ． ｎドープされた電子輸送層 … ５ａ． 発光層”（反转结构顺序：阴极2a→n掺杂层3a→发光层5a） | 对比文件反转结构中，n掺杂电子传输层（3a）直接位于透明阴极（2a）和发光层（5a）之间（尽管中间有阻挡层4a，但n掺杂层整体在两者之间），与目标专利的位置关系相同，直接公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《未公开》** | “モルドーピング濃度は、一般的に１：１０〜１：１００００の範囲である”（摩尔比范围） | 对比文件仅给出摩尔比范围（1:10~1:10000），未提供重量百分比，且实施例中Li与Bphen为1:1分子比（约2.1wt%），但未明确教导1-20wt%这一具体范围，本领域技术人员无法直接、毫无疑义地得出该含量范围，因此未公开。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《直接公开》** | “３ａ：ｎドープされた電子輸送層：２０ｎｍ、Bphen：Ｌｉが１：１の分子混合比率”（实施例中使用Li作为n型掺杂剂） | 对比文件实施例中明确使用Li作为n型掺杂剂，Li属于目标专利所列掺杂剂之一，因此至少公开了Li这一种，满足“至少一种”的要求，直接公开。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》** | “ＩＴＯの仕事関数は、例えばオゾン化および／または酸素プラズマ灰化によって約４．２ｅＶから約４．９ｅＶまで変化させることができる” | 对比文件明确记载ITO的功函数为4.2~4.9eV，远高于2.7eV，且透明阴极和阳极均采用ITO，因此直接公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《直接公开》** | “２ａ． 透明電極、例えばＩＴＯ、電子注入する（陰極＝負極）” | 对比文件直接使用ITO作为透明阴极材料，ITO是所列材料之一，因此直接公开。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》** | “８ａ． 透明電極、ホール注入する（陽極＝正極）、例えばＩＴＯ” | 对比文件阳极明确为透明电极（ITO），直接公开阳极的透明性。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》** | “８ａ． 透明電極、ホール注入する（陽極＝正極）、例えばＩＴＯ” | 对比文件阳极采用ITO，属于所列材料，直接公开。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《直接公开》** | “３ａ：ｎドープされた電子輸送層：２０ｎｍ、Bphen：Ｌｉが１：１の分子混合比率”（Bphen即邻二氮杂菲化合物） | 对比文件电子传输材料Bphen（浴铜灵）属于邻二氮杂菲类化合物，直接公开了该官能团。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《未公开》** | 对比文件全文未提及浓度梯度相关内容 | 对比文件没有任何关于n型掺杂剂在层厚方向上浓度梯度的描述或暗示，本领域技术人员无法直接或合理推断出该特征，因此未公开。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《直接公开》** | “４ａ． 帯位置がそれを取り囲む層の帯位置に適合している物質を含む、薄い電子側ブロック層”（反转结构中的电子侧阻挡层4a） | 对比文件在n掺杂电子传输层（3a）和发光层（5a）之间设置了电子侧阻挡层（4a），该层具有电子传输功能，可视为电子传输层，因此直接公开。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《直接公开》** | “３ａ：ｎドープされた電子輸送層：Bphen：Ｌｉ … ４ａ：電子側ブロック層：１０ｎｍのBphen”（实施例中n掺杂层和阻挡层均使用Bphen） | 对比文件实施例中n掺杂电子传输层（3a）的电子传输材料为Bphen，电子侧阻挡层（4a）的材料也为Bphen，两者材料相同，直接公开。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《直接公开》** | “２ａ． 陰極（透明電極） … ３ａ． ｎドープされた電子輸送層”（反转结构中层2a和3a直接相邻） | 对比文件反转结构中，透明阴极（2a）之上直接设置n掺杂电子传输层（3a），两者接触，直接公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》** | “７ａ． ｐドープされており、電子を注入し輸送する層”（反转结构中的p掺杂空穴传输层7a） | 对比文件反转结构中包含p掺杂空穴传输层（7a），该层具有空穴传输功能，至少公开了空穴传输层，直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》** | “７ａ． ｐドープされており、電子を注入し輸送する層 … ８ａ． 陽極”（反转结构中层7a直接位于阳极8a之下） | 对比文件反转结构中，最临近阳极（8a）的有机材料层是p掺杂空穴传输层（7a），即有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上的层，直接公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》** | 对比文件全文未提及式23化合物 | 对比文件没有任何关于式23所示化合物的记载，本领域技术人员无法直接或合理推断出该特征，因此未公开。 |
| **技术特征V：[式23]《未公开》** | 对比文件全文未出现式23结构 | 对比文件未记载式23的化学结构，未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》** | 对比文件全文未涉及式23化合物的取代基定义 | 对比文件未公开式23化合物的任何取代基定义，因此未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《未公开》** | 对比文件全文未涉及R和R’的定义 | 对比文件未公开R和R’的定义，因此未公开。 |
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