对比文件名称：2007-05-10_WO2007052985A_发明申请_WO2007052985A1 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | 对比文件[22]：“本发明提供一种具有倒序结构的有机电致发光器件，其特征在于包括基板、阴极、至少两个包括发光层的有机材料层和阳极……” | 对比文件明确记载了器件包括基板，该特征与目标专利完全相同，且作用均为承载电极和有机层，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《隐含公开》 | 对比文件[22]记载了阴极位于基板上；[73]“本发明可应用于顶部发射或两侧发射结构”；实施例7：“制备两侧发射型器件，阴极由在150nm厚ITO薄膜上形成5nm厚Al薄膜构成”。 | 对比文件未明确使用“透明阴极”一词，但实施例7为两侧发射器件，阴极需透明，且采用ITO（透明导电氧化物）作为阴极主体，仅附极薄Al层，本领域技术人员可合理推断该阴极具有透明性，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：阳极 《直接公开》 | 对比文件[22]：“……包括阳极……” | 对比文件明确记载了阳极，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《直接公开》 | 对比文件[22]：“……在阴极和阳极之间设置至少两个有机材料层……” | 对比文件明确公开了有机材料层位于阴极和阳极之间，与目标专利结构相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《直接公开》 | 对比文件[45]：“包含选自咪唑基、噁唑基、噻唑基的官能团的有机材料层可以是电子传输层，该电子传输层可通过有机材料与低功函数金属（如Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu）共沉积形成。” | 对比文件公开了电子传输层可通过有机材料与低功函数金属共沉积形成，即n型掺杂，并且该层与发光层均位于有机材料层中，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《直接公开》 | 同[45]：“电子传输层由有机材料与低功函数金属共沉积形成”。 | 对比文件明确公开了电子传输层包含有机材料（电子传输材料）和低功函数金属（n型掺杂剂），因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《直接公开》 | 对比文件[22]：“位于阴极和发光层之间的有机材料层包含具有咪唑基、噁唑基或噻唑基的化合物”。 | 对比文件明确该有机材料层（即电子传输层）位于阴极和发光层之间，且阴极可透明，因此直接公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 对比文件全文未提及掺杂剂的具体含量范围。 | 对比文件未给出任何关于掺杂剂含量的数值范围，本领域技术人员无法合理推断出1-20wt%的限定，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《直接公开》 | 对比文件[45]：“低功函数金属：Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu”。 | 对比文件公开的金属Li、Cs、Na、Mg、Ca、K均落入目标专利的列表中，满足“至少一种”的条件，因此直接公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《直接公开》 | 对比文件[68]：“阳极优选由功函数为2-6eV的金属或金属氧化物构成，更优选ITO或IZO”以及[7]：“导电氧化物膜功函数通常大于4.5eV”。 | 对比文件明确公开阳极的功函数范围（2-6eV包括2.7eV以上），且优选ITO/IZO功函数>4.5eV，透明阴极若采用氧化物同样具有高功函数，因此直接公开阳极满足条件，进而特征J整体被公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《隐含公开》 | 对比文件实施例7：“阴极由150nm厚ITO薄膜上形成5nm厚Al薄膜构成”。 | 对比文件未明确阴极完全由透明金属氧化物形成，但实施例7中阴极主体为ITO，且两侧发射要求阴极透明，本领域技术人员可合理推断阴极可由ITO等透明氧化物形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 对比文件[68]：“阳极优选ITO或IZO”（均为透明导电氧化物）；实施例2-6均使用IZO阳极。 | 对比文件明确公开阳极由透明氧化物形成，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | 对比文件[68]：“阳极优选ITO或IZO”；实施例2-6使用IZO阳极。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO或IZO等透明金属氧化物形成，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《直接公开》 | 对比文件[22]：“位于阴极和发光层之间的有机材料层包含具有咪唑基、噁唑基或噻唑基的化合物”。 | 对比文件公开了咪唑基、噁唑基、噻唑基，满足“至少一种”要求，因此直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 对比文件全文未提及掺杂剂的浓度梯度。 | 对比文件无任何关于浓度梯度的教导或暗示，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《未公开》 | 对比文件实施例中，电子传输层与发光层之间无其他电子传输层；仅存在电子注入层（LiF）位于阴极/电子传输层之间。 | 对比文件未公开在n型掺杂电子传输层与发光层之间再设置一层电子传输层的结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 对比文件未公开特征P所述结构，更未提及材料相同。 | 基于特征P未公开，该特征同样未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《未公开》 | 对比文件实施例中，阴极与电子传输层之间始终存在LiF电子注入层（[46]：“优选包含LiF层作为电子注入层”）。 | 对比文件明确教导使用LiF层改善电子注入，未公开直接接触，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 对比文件实施例2-6：“在发光层上沉积NPB空穴传输层，再沉积HAT空穴注入层”。 | 对比文件明确公开了空穴传输层和空穴注入层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《直接公开》 | 对比文件[65]：“包含式3化合物的缓冲层优选与阳极接触形成”。 | 对比文件公开了缓冲层位于最临近阳极的位置（与阳极接触），因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《直接公开》 | 对比文件[50]：“式3化合物：R1至R6定义……”（式3结构与目标专利式23完全相同）。 | 对比文件公开了与式23完全相同的化合物，因此直接公开。 |
| 技术特征V：[式23] 《直接公开》 | 对比文件[50]：“式3”结构式（与目标专利式23一致）。 | 对比文件公开了相同的化学结构式，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 《直接公开》 | 对比文件[50]：“R1至R6各自选自氢、卤素原子、腈基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R31)、亚砜基(-SOR31)、磺胺基(-SO2NR31)、磺酸酯基(-SO3R31)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR31)、酰胺基(-CONHR31或-CONR31R32)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺”。 | 对比文件对R1-R6的定义与目标专利完全一致，因此直接公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 《直接公开》 | 对比文件[50]：“R31和R32各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环”。 | 对比文件对R31和R32的定义与目标专利的R和R’完全一致，因此直接公开。 |
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