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对比文件列表
2004-03-04_US2004041222A_发明申请_US20040041222A1 Power surface mount light emitting die package_+++A_B_C_D_E_F_G_K_M_N_O_Q+++.docx
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2004-09-02_JP2004247658A_发明专利_JP2004247658A Light-emitting diode lamp equipment_+++A_B_F_G_H_n_o_p+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
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2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity_+++A_B_D_E_F_G_K_O_l_n_p+++.docx
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2006-11-29_CN1871710A_发明公开_CN1871710A 采用电表面安装的发光晶片封装_+++B_D_E_F_G_K_O_Q_n+++.docx
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2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
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2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
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2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
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2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink_+++B_C_D_F_G_H_M_O_R_a_e_k_l_n_p+++.docx
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2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
2026-07-29 13:27
WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx

对比文件的名称:2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置

目标专利的名称:1805发光器件封装CN102082223B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括封装主体(直接公开)对比文件[0035]记载:“反射体28由例如玻璃环氧树脂、工程塑料、铝和氮化铝等高耐热性和高反射特性的材料形成。” [0032]“反射体28具有收容部29”。对比文件中的反射体28形成收容部以容纳发光元件,并设置于基板上,其功能相当于目标专利的封装主体,因此直接公开了封装主体。
技术特征B:发光器件(直接公开)对比文件[0033]:“发光二极管素子21”。对比文件明确公开了发光二极管素子作为发光器件。
技术特征C:发光器件位于封装主体的腔体中(直接公开)对比文件[0035]:“反射体28具有多个收容部29,各收容部29内配置发光二极管素子21”。 [0037]:“收容部29容纳发光二极管素子21”。对比文件公开了发光二极管素子位于反射体28的收容部29中,收容部即为腔体。
技术特征D:树脂层(直接公开)对比文件[0037]:“可光转换层32填充在收容部29中”。可光转换层32由树脂材料形成,相当于树脂层。
技术特征E:树脂层用于覆盖发光器件(直接公开)对比文件[0037]:“收容部29内填充可光转换层32以覆盖发光二极管素子21”。明确公开了覆盖关系。
技术特征F:第一电极和第二电极(直接公开)对比文件[0034]:“电路图案25由导电层24形成,包括正极图案和负极图案”。电路图案的正极和负极相当于第一电极和第二电极。
技术特征G:第一电极和第二电极连接到发光器件(直接公开)对比文件[0034]:“发光二极管素子21的一方电极通过银浆接合到电路图案25的一方极图案,另一方电极通过导线27接合到电路图案25的另一方极图案”。直接公开了连接关系。
技术特征H:其中,所述封装主体包括这样的材料(直接公开)对比文件[0035]:“反射体28由玻璃环氧树脂、工程塑料、铝和氮化铝等材料形成”。反射体28作为封装主体,包括材料,直接公开。
技术特征I:所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低(不公开)无。对比文件没有公开反射体材料与树脂层材料的导热性比较,且反射体材料可以是高导热性材料,因此没有公开。
技术特征J:构成封装主体的材料和构成树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k(不公开)无。对比文件没有公开任何导热性差值。
技术特征K:发光器件安装在第一电极上(直接公开)对比文件[0034]:“发光二极管素子21安装在电路图案25的发光素子配设部26上”。发光元件安装在电路图案(电极)上,即安装在第一电极上。
技术特征L:封装主体设置在第一电极和第二电极上(直接公开)对比文件[0035]:“反射体28通过第二绝缘层23b配置在电路图案25上”。反射体28设置在电路图案(电极)上,因此直接公开。
技术特征M:树脂层放置在封装主体的腔体中(直接公开)对比文件[0037]:“可光转换层32填充在反射体28的收容部29中”。直接公开。
技术特征N:第一和第二电极的导热性高于树脂层的导热性(直接公开)对比文件[0034]:“电路图案25由铜、金、镍等导电材料形成”;[0037]:“可光转换层32由硅树脂等形成”。本领域技术人员已知铜的导热性远高于硅树脂,因此直接得出导热性关系。
技术特征O:第一电极连接到发光器件的下部(直接公开)对比文件[0034]:“发光二极管素子21的一方电极通过银浆接合到电路图案25,实现下表面连接”。直接公开了第一电极连接发光器件的下部。
技术特征P:第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金(隐含公开)对比文件[0034]:“电路图案25由铜等形成”。对比文件公开了铜,但未明确合金。本领域技术人员可合理推断电极可以使用铜的合金,因此隐含公开。
技术特征Q:还包括放置在树脂层上的透镜部(直接公开)对比文件[0038]:“透镜33配置在反射体28上,位于可光转换层32上方”。直接公开了透镜部。
技术特征R:其中,所述封装主体包括这样的材料(直接公开)同特征H。同特征H。
技术特征S:所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性(不公开)无。对比文件没有公开反射体材料与透镜部材料的导热性比较。
技术特征T:树脂层包括至少一种磷光体(直接公开)对比文件[0037]:“可光转换层32包含荧光体等可光转换物质”。直接公开。
技术特征U:腔体包括第一腔体(不公开)无。对比文件只有单一收容部,没有分为第一腔体和第二腔体。
技术特征V:第一腔体填充有树脂层(不公开)无。同上。
技术特征W:和第二腔体(不公开)无。对比文件没有第二腔体。
技术特征X:第二腔体填充有透镜部(不公开)无。无。
技术特征Y:第二腔体的直径大于第一腔体的直径(不公开)无。无。
技术特征Z:构成封装主体的材料和构成透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k(不公开)无。对比文件没有公开任何导热性差值。

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